LED-Beleuchtung 3-Phasen Wien Topologie EV Ladepfähle VdS, Min @ Tj (max) 700V ID, Osg65r035htf TO247 Hochspannungs-Leistungs-MOSFET

• Manufacturing Technology: Optoelectronic Semiconductor
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: SMD
• Signal Processing: Digital
• Application: Solar Cell
• Modell Nr.: OSG65R035HTF TO247
• Model: ST
• Batch Number: 2010+
• Brand: Orimental
• beschreibung: Extrem geringe Schaltverluste
• Eigenschaften: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Anwendungen: pc-Stromversorgung
• Branchen: led-Beleuchtung
• Transportpaket: Air
• Warenzeichen: Orientalsemiconductor
• Herkunft: China
• HS-Code: 854129000
• Produktionskapazität: 20kkkk/Monthly

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS® Generic Serie ist für extreme Schaltleistung optimiert, um Schaltverluste zu minimieren. Es ist für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte ausgelegt, um höchste Effizienzstandards zu erfüllen.

Funktionen     
   Niedriger RDS(ein) und FOM
   Extrem geringe Schaltverluste
   Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit

Anwendungen
   PC-Stromversorgung
   LED-Beleuchtung
   Telekommunikationsleistung
   Serverleistung
   EV-Ladegerät
   Solar/USV


Wichtige Leistungsparameter
 

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min. @ Tj(max)	700	V
ID, Impuls	240	A
RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V	35	MΩ
Qg	153,6	NC

Markierungsinformationen
 

Produktname	Paket	Markierung
OSG65R035HTF	TO247	OSG65R035HT

 

 

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	600	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	80	A
Dauerablauf current1^), TC = 100 Grad		50
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	240	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	80	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	240	A
Leistung dissipation3^), TC = 25 Grad	PD	455	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5^)	EAS	1850	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis 150	GRAD

 

Thermische Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,27	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4^)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=1 MA
		650				VGS=0 V, ID=1 mA, Tj=150 Grad Celsius
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	2,9		3,9	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand	RDS(EIN)		0,024	0,028	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0,06			VGS=10 V, ID=40A, TJ=150 GRAD CELSIUS
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			1	μA	VDS = 600 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand	RG		2,2		Ω	ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		7373		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		504		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		17		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		42,5		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Anstiegszeit	tr		71		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		126,6		ns
Herbstzeit	tf		3,7		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		181,8		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		36,5		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		49,5		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		5,5		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		584		ns	VR = 400 V, IS = 40 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		12,8		μC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		39,8		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf 1 in 2 FR-4 Platine mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 Grad
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=79,9 mH, Start Tj=25 Grad

Bestellinformationen
 

Pakettyp	Einheiten/Rohr	Schläuche/Innenbox	Einheiten/Innenbox	Innenboxen/Karton	Einheiten/Karton
TO247-C	30	11	330	6	1980
TO247-J	30	20	600	5	3000

Produktinformationen
 

Produkt	Paket	Pb-Frei	RoHS	Halogenfrei
OSG60R028HTF	TO247	ja	ja	ja

Haftungsausschluss
Die in diesem Dokument enthaltenen Informationen gelten in keinem Fall als Garantie für Bedingungen oder Eigenschaften. In Bezug auf Beispiele oder Hinweise, die hier angegeben werden, typische Werte und/oder Informationen bezüglich der Anwendung des Geräts schließt Oriental Semiconductor hiermit jegliche Garantien und Haftung jeglicher Art aus, einschließlich, aber nicht beschränkt auf Garantien bezüglich der Nichtverletzung von Rechten an geistigem Eigentum Dritter.