Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET TO247 Osg65r080ht3zf VdS-700V ID-132A RDS (EIN) -80milliohm QG-67nc für LED-Beleuchtungsadapter

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Modell Nr.: TO247 OSG65R080HT3ZF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
Der  GreenMOS®  Hochspannungs  -MOSFET  nutzt  Ladungsausgleich  -Technologie , um  einen  außergewöhnlich niedrigen  Einschaltwiderstand  und  eine geringere  Gate -Ladung zu erreichen.  Es  wurde   entwickelt, um  Leitungsverluste zu minimieren  , eine überlegene  Schaltleistung   und  robuste  Lawinenleistung  zu bieten.
Die  GreenMOS® Z -Serie  ist   mit  einer Fast  Recovery  Diode (FRD) integriert, um  die  Rückkehrzeit  zu minimieren. Es  eignet   sich für  resonante  Schalttopologien  , um  einen  höheren  Wirkungsgrad, eine höhere  Zuverlässigkeit  und einen kleineren  Formfaktor  zu erreichen.

Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit

Anwendungen
      LED -Beleuchtung
      Adapter
      Telekommunikation
      Solar/USV
      Server

Wichtige  Leistungsparameter  

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min . @ Tj(max)	700	V
ID,  Impuls	132	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	80	MΩ
Qg	67	NC

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	650	V
Gate-Source -Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	44	A
Dauerablauf   current1), TC=100 Grad		27,8
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	132	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	44	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	132	A
Leistung  dissipation3), TC=25 Grad	PD	379	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	600	MJ
MOSFET  dv/dt  Robustheit, VDS  =0…480 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode   dv/dt, VDS  =0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 150	GRAD

Bestellinformationen  

Paket Typ	Einheiten/ Rohr	Schläuche/  Innenbox	Einheiten/   Innenbox	Innenboxen / Karton	Einheiten/     Karton
TO247-J	30	20	600	4	2400

Produktinformationen  
 

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
OSG65R080HT3ZF	TO247	ja	ja	ja

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration