N-Kanal 800W 900V Leistungs-MOSFET To252-Gehäuse Osg80r900df

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: SMD
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: Refrigerator
• Modell Nr.: OSG80R900DF To252-1
• Model: ST
• Batch Number: 2010+
• Brand: Orientalsemi
• applications1: led-Beleuchtung
• Applications2: ev-Ladegerät
• P/N: Osg80r900df
• Verpackung: To252
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1K/Month

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
Der GreenMOS®  Hochspannungs -MOSFET  nutzt Ladungsausgleich -Technologie, um  einen  außergewöhnlich  niedrigen  Einschaltwiderstand  und  eine geringere  Gate -Ladung zu erreichen.   Es  wurde   entwickelt, um  Leitungsverluste zu minimieren  ,  eine  überlegene Schaltleistung  und  robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS®   Generic Serie ist für  extreme Schaltleistung   optimiert, um   Schaltverluste zu minimieren   .  Es   ist   für    Anwendungen mit hoher   Leistungsdichte      ausgelegt, um   höchste      Effizienzstandards zu erfüllen.

Funktionen
.  NIEDRIGER  RDS(EIN)  UND  FOM
.  Extrem  geringe Schaltverluste  
.  Ausgezeichnete Stabilität und  Gleichmäßigkeit

Anwendungen
.  PC -Stromversorgung
.  LED -Beleuchtung
.   Telekommunikationsleistung
.  Serverleistung  
.  EV -Ladegerät
.  Solar/USV

Wichtige Leistungsparameter  
 

Parameter	Wert	Einheit
VDS,  min . @ Tj(max)	850	V
ID,  Impuls	15	A
RDS(EIN) ,  MAX . @ VGS=10V	900	MΩ
Qg	11,7	NC

Markierungsinformationen  
 

Produktname	Paket	Markierung
OSG80R900DF	TO252	OSG80R900D

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj=25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	800	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf   current1) , TC=25  Grad	ID	5	A
Dauerablauf   current1) , TC=100  Grad		3,2
Gepulster  Ablauf  current2) , TC=25  oC	ID,  Impuls	15	A
Dauerdiode   vorwärts  current1) , TC=25  Grad	IST	5	A
Diode  gepulst  current2) , TC=25  Grad	IS,  Puls	15	A
Leistung  dissipation3) , TC=25 Grad	PD	63	W
Lawinenabgang  mit einem Impuls energy5)	EAS	160	MJ
MOSFET  dv/dt  Robustheit, VDS=0…640 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode   dv/dt, VDS=0…640 V,  ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis  150	GRAD

Thermische Eigenschaften

 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand,  Anschlussgehäuse	RθJC	2	C/W
Thermischer Widerstand,  Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj=25 oC , sofern  nicht anders  angegeben
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Abflussquelle Durchschlagspannung	BVDSS	800			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
		850				VGS=0 V,  ID=250  μA, Tj=150  Grad
Gate-Schwellenwert Spannung	VGS(th)	2,9		3,9	V	VDS=VGS ,  ID=250  ΜA
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand	RDS(EIN)		0,8	0,9	Ω	VGS=10 V,  ID=2,5 A
			2,1			VGS=10 V,  ID=2,5 A, TJ=150  GRAD
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
				-  100		VGS = -30 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			1	μA	VDS = 800 V, VGS = 0 V.

Dynamische Merkmale
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		647,4		PF	VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ = 100  kHz
Ausgangskapazität	Coss		36,1		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		1,5		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		31,3		ns	VGS = 10 V, VDS=400 V, RG=2  Ω, ID=4 A
Anstiegszeit	tr		16,4		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		54,6		ns
Herbstzeit	tf		7,0		ns

Gate-Ladeeigenschaften
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		11,7		NC	VGS = 10 V, VDS=400 V, ID=4 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		2,8		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		4,4		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		5,8		V

Eigenschaften Der Körperdiode
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IST = 5 A, VGS = 0 V
Rückfahrzeit	trr		216,5		ns	VR  = 400 V, IST = 4 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		1,9		μC
Spitzenstrom  für Rücklauf	Irrm		17,0		A

Hinweis
1)   berechneter Dauerstrom  auf Basis  der  maximal  zulässigen Grenzschichttemperatur.  2)   sich wiederholende  Nennleistung;  Impulsbreite  durch   max. Grenzschichttemperatur begrenzt.
3)   Pd  basiert  auf  der max. Grenzschichttemperatur,  unter Verwendung des thermischen Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)    der  Wert   von RθJA   wird   mit  dem  Gerät  auf   1  in  2  FR-4  Board  mit 2oz montiert gemessen.  Kupfer, in  einer  ruhigen  Luftumgebung   mit  Ta=25  Grad
5)    VDD=100 V, VGS=10 V,  L=60  mH, Start  Tj=25  Grad








Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration