RoHS PC Power VdS 650V RDS38mΩ Fast Recovery Diode MOSFET

• Number of Charging Interfaces: No
• Location: No
• Installation: No
• Charge Method: No
• beschreibung: Extrem geringe Schaltverluste
• Eigenschaften: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Modell Nr.: OSG65R038HZAF TO247
• Anwendungen: pc-Stromversorgung
• Branchen: led-Beleuchtung
• Typ: Fast EV Ladestation
• Zertifizierung: ISO, TUV, RoHS
• Garantie: 24 Monate
• Transportpaket: Air
• Spezifikation: TO247
• Warenzeichen: Orientalsemiconductor
• Herkunft: China
• HS-Code: 854129000
• Produktionskapazität: 20K/Monthly

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der GreenMOS® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS® Z-Serie ist mit einer Fast Recovery Diode (FRD) integriert, um die Rückkehrzeit zu minimieren. Es eignet sich für resonante Schalttopologien, um einen höheren Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und einen kleineren Formfaktor zu erreichen.

Funktionen                                                                                                    

• Niedriger RDS(ein) und FOM
• Extrem geringe Schaltverluste
• Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Ultraschnelle und robuste Diode
• AEC-Q101 qualifiziert für Automotive-Anwendungen

Anwendungen

• PC-Stromversorgung
• Telekommunikationsleistung
• Serverleistung
• EV-Ladegerät
• Motortreiber

Wichtige Leistungsparameter

 

Parameter	Wert	Einheit
VDS	650	V
ID, Impuls	240	A
RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V	38	MΩ
Qg	175	NC

Markierungsinformationen

 

Produktname	Paket	Markierung
OSG65R038HZAF	TO247	OSG65R038HZA

 Der HTRB-Test wurde bei 600V strenger durchgeführt als der AEC-Q101 Rev.C (80 % V(BR)DSS). Alle anderen Tests wurden gemäß AEC Q101 Rev. E. durchgeführt

 

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	650	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	80	A
Dauerablauf current1^), TC = 100 Grad		50
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	240	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	80	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	240	A
Leistung  dissipation3^) , TC = 25  Grad	PD	500	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	2048	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	100	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,25	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	3,0		4,5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		0,032	0,038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0,083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			10	μA	VDS = 650 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand	RG		2,1		Ω	ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		486		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		12,8		PF
Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen	Co(er)		278		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen	Co(tr)		1477		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		55,9		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Anstiegszeit	tr		121,2		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		114,2		ns
Herbstzeit	tf		8,75		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		175,0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		40,1		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		76,1		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		6,4		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		180		ns	IST = 30 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		1,5		UC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		15,2		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, Start Tj=25 Grad