Dritte Generation Super Si Semiconductor 1/3 Kosten für Gallium Nitride (GaN)-Gerät im Hochfrequenzbetrieb Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

• beschreibung: Extrem geringe Schaltverluste
• Eigenschaften: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Anwendungen: pc-Stromversorgung
• Branchen: led-Beleuchtung
• Transportpaket: Air
• Warenzeichen: Orientalsemiconductor
• Modell Nr.: OSS65R340FF TO220F
• Herkunft: China
• HS-Code: 854129000
• Produktionskapazität: 20kkkk/Monthly

Produktbeschreibung

 

Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS® SuperSi-Serie basiert auf dem einzigartigen Gerätedesign von Oriental Semiconductor, um extrem schnelle Schalteigenschaften zu erzielen. Es ist der perfekte Ersatz für das Gallium Nitride (GaN) Gerät im Hochfrequenzbetrieb mit besserer Robustheit und Kosten. Es ist darauf ausgerichtet, die aggressivsten Effizienzstandards von Stromversorgungssystemen zu erfüllen, indem sowohl Leistung als auch Leistungsdichte an extreme Grenzen gebracht werden.

Funktionen                                                                                                   

• NIEDRIGER RDS(EIN) UND FOM
• Extrem geringe Schaltverluste
• Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Einfache Gestaltung

Anwendungen

• PD-Ladegerät
• Großes Display
• Telekommunikationsleistung
• Serverleistung

Wichtige Leistungsparameter

 

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min. @ Tj(max)	700	V
ID, Impuls	36	A
RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V	340	MΩ
Qg	9,6	NC

Markierungsinformationen

 

Produktname	Paket	Markierung
OSS65R340DF	TO252	OSS65R340D

 

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	650	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	12	A
Dauerablauf current1^), TC = 100 Grad		7,6
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	36	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	12	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	36	A
Leistung dissipation3^), TC = 25 Grad	PD	83	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	200	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	1,5	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		700				VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 Grad
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	2,9		3,9	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand	RDS(EIN)		0,30	0,34	Ω	VGS=10 V, ID=6 A
			0,73			VGS=10 V, ID=6 A, TJ=150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			1	μA	VDS = 650 V, VGS = 0 V.

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		443,5		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		59,6		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		1,7		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		22,4		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A
Anstiegszeit	tr		17,5		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		40,3		ns
Herbstzeit	tf		7,2		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		9,6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		2,2		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		4,5		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		6,5		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=12 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		236,5		ns	VR = 400 V, IS = 6 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		2,2		μC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		19,1		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf 1 in 2 FR-4 Platine mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 Grad
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, Start Tj=25 Grad