• Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar Transistor
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Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar Transistor

Fertigungstechnik: Diskrete Geräte
Material: Element Semiconductor
Art: N-Typ-Halbleiter
Paket: DIP (Dualin-line Package)
Signalverarbeitung: Simulation
Anwendung: Temperaturmessung

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Hersteller/Werk, Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
OST75N65HSMF
Modell
ULN2003
Chargennummer
2010+
Marke
Orientalsemi
Transportpaket
Carton
Spezifikation
35x30x37cm
Warenzeichen
Orientalsemi
Herkunft
China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
OST75N65HSMF nutzt die patentierte Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM)-Technologie von Oriental-Semi, um extrem niedrige VCE(Sat), niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Schaltleistung zu bieten. Dieses Gerät ist für Schaltfrequenz-Wandler im mittleren bis hohen Bereich geeignet.


Funktionen
 Fortschrittliche TGBTTM-Technologie
Ausgezeichnete Leitungs- und Schaltverluste
Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
Schnelle und weiche antiparallele Diode


Anwendungen
Induktionswandler
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolar Transistor IGBT

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Lieferkette

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolar Transistor IGBT



Umweltfreundliche Produktdeklaration

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolar Transistor IGBT
 







 

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Stammkapital
10000000 RMB
Blumenbeet
501~1000 Quadratmeter