Transistor Enhancement toll Sfs10r019tnf VdS-100 ID-1080A RDS (EIN) -1,9milliohm QG-107nc Für Schaltspannungsregler N-Kanal-Leistungs-MOSFET

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Modell Nr.: SFS10R019TNF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35cmx30cmx37cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
FSMOS®    MOSFET   basiert    auf   dem   einzigartigen  Gerätedesign von Oriental Semiconductor  , um  niedrige   RDS(ON), niedrige  Gate -Ladung, schnelles  Schalten  und  ausgezeichnete  Lawineneigenschaften  zu erreichen. Die  High  Vth  Serie ist  speziell   für den  Einsatz  in  Motorsteuerungssystemen    mit  einer Antriebsspannung    von mehr  als 10V konzipiert.



Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Zuverlässigkeit  und  Gleichmäßigkeit
      Schnelles  Umschalten  und  sanftes  Recovery



Anwendungen
      PD -Ladegerät
      Motortreiber  
      Schaltspannungsregler   
      DC/DC -Wandler
      Schaltnetzteil    



Wichtige  Leistungsparameter  

Parameter	Wert	Einheit
VDS	100	V
ID,  Impuls	1080	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	1,9	MΩ
Qg	107	NC

Markierungsinformationen  

Produktname	Paket	Markierung
SFS10R019TNF	MAUT	SFS10R019TN

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	100	V
Gate-Source -Spannung	VGS	±20	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	270	A
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	1080	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	270	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	1080	A
Leistung  dissipation3), TC = 25 Grad	PD	250	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	504	MJ
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 175	GRAD

Thermische  Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer  Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,6	C/W
Thermischer  Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	100			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
Gate -Schwellenwert Spannung	VGS(th)	2		4	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		1,6	1,9	MΩ	VGS  = 10 V, ID = 50 A
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			1	μA	VDS  =100 V, VGS  =0 V.
Gate-Widerstand	RG		0,9		Ω	ƒ=1 MHz, offener  Drain

Dynamische  Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		7790		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 25 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		4230		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		250		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		27		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, RG=2 Ω, ID=25  A
Anstiegszeit	tr		22		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		51		ns
Herbstzeit	tf		20		ns

Gate -Ladeeigenschaften  

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr  für Gate	Qg		106		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, ID=25  A
Gate-Source -Gebühr	Qgs		30		NC
Gate-Drain -Ladung	Qgd		23		NC
Gate -Plateauspannung	Vplateau		4,4		V

  Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IST = 20 A, VGS  = 0 V
Rückfahrzeit	trr		136		ns	VR = 50 V, IST = 25 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		219		NC
Spitzenstrom  für Rücklauf	Irrm		2,9		A

Hinweis
1)    berechneter  Dauerstrom   auf Basis  der  maximal  zulässigen  Grenzschichttemperatur .
2)    sich wiederholende  Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur  begrenzt.
3)    Pd  basiert   auf  der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung  des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)     der  Wert   von RθJA   wird   mit  dem  Gerät  gemessen, das  auf der Platine 1 in2  FR-4  mit 2oz montiert ist. Kupfer, in  einer  ruhigen  Luftumgebung   mit  Ta=25 Grad
5)    VDD=50V,VGS=10 V, L=0,3 mH, Start  Tj  =25 Grad





 

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration