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Bietet kundenspezifischen MicroLED-Chip, MicroLED-Bildschirm, MicroLED-Panel
Bietet kundenspezifischen MicroLED-Chip, MicroLED-Bildschirm, MicroLED-Panel
Mindest. Befehl: 10 Stücke
  • Drive Mode: AMOLED
  • Application: Consumer Electronics
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2 Zoll CVD Wafer Level Diamond Wafer / Diamond Heat Waschbecken
2 Zoll CVD Wafer Level Diamond Wafer / Diamond Heat Waschbecken
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: CVD
  • Spezifikation: 2 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf kundenspezifischer Substratfläche (kundenspezifische Zelle)
Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf kundenspezifischer Substratfläche (kundenspezifische Zelle)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf Saphir (GaN/Saphir)
Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf Saphir (GaN/Saphir)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf Sic (GaN/SiC)
Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf Sic (GaN/SiC)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf GaN (GaN/GaN)
Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf GaN (GaN/GaN)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf Si (GaN/Si)
Nanowin GaN Epitaxial- Oblaten/GaN auf Si (GaN/Si)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin 10mm*10mm kleine Stück-Diamant-einzelner Kristall-Substratfläche
Nanowin 10mm*10mm kleine Stück-Diamant-einzelner Kristall-Substratfläche
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin 4~6 Zoll GaN Epitaxial- Oblaten/GaN Epi Oblaten/GaN Schablonen (GaN auf Si/GaN auf SiC/GaN auf GaN/GaN auf Saphir)
Nanowin 4~6 Zoll GaN Epitaxial- Oblaten/GaN Epi Oblaten/GaN Schablonen (GaN auf Si/GaN auf SiC/GaN auf GaN/GaN auf Saphir)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin Aln Substratflächen/einzelner Kristall-Aluminiumnitrid-Oblaten (2inch/1inch/Diameter20mm/15mm/10mm freistehend)
Nanowin Aln Substratflächen/einzelner Kristall-Aluminiumnitrid-Oblaten (2inch/1inch/Diameter20mm/15mm/10mm freistehend)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin 10mm*10.5mm kleine Stücke freistehende GaN Substratflächen (kundenspezifische Größe, Un-doped, Si-lackiert, F.E.-lackiert)
Nanowin 10mm*10.5mm kleine Stücke freistehende GaN Substratflächen (kundenspezifische Größe, Un-doped, Si-lackiert, F.E.-lackiert)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Brand: Nanowin
  • Model: Un-Doped, Si-Doped, Fe-Doped
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch
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Nanowin 4~6 Zoll Aln Epitaxial- Oblaten Aln Schablonen (AlN auf dem Saphir AIN auf Si/AlN auf Sic)
Nanowin 4~6 Zoll Aln Epitaxial- Oblaten Aln Schablonen (AlN auf dem Saphir AIN auf Si/AlN auf Sic)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin 2~4 Zoll freistehende GaN Substratflächen (Un-doped, Si-lackiert, F.E.-lackiert)
Nanowin 2~4 Zoll freistehende GaN Substratflächen (Un-doped, Si-lackiert, F.E.-lackiert)
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Brand: Nanowin
  • Model: Un-Doped, Si-Doped, Fe-Doped
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch
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Nanowin 2~4 Zoll freistehende GaN Substratflächen (Gallium-Nitrid) /U-GaN, N-GaN, Si-GaN
Nanowin 2~4 Zoll freistehende GaN Substratflächen (Gallium-Nitrid) /U-GaN, N-GaN, Si-GaN
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin 4~8 Zoll GaN Epitaxial- Oblaten/GaN Epi Oblaten GaN auf Si/GaN auf Sic/GaN auf GaN/GaN auf Saphir
Nanowin 4~8 Zoll GaN Epitaxial- Oblaten/GaN Epi Oblaten GaN auf Si/GaN auf Sic/GaN auf GaN/GaN auf Saphir
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Nanowin 6 Zollfreistehende Semi-Insulating Sic-Substratflächensic-Epitaxial- Oblate-breite Band-Abstands-Materialien/Leistungs-Halbleiter
Nanowin 6 Zollfreistehende Semi-Insulating Sic-Substratflächensic-Epitaxial- Oblate-breite Band-Abstands-Materialien/Leistungs-Halbleiter
Mindest. Befehl: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Spezifikation: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Warenzeichen: Nanowin
  • Herkunft: China
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Advanced Semiconductor Materials Co., Ltd.

Shandong, China

Letzter Log-in: Jun 03, 2024

Unternehmensart: Hersteller/Werk

Hauptprodukte: Galliumnitrid freistehende Substrate, Aluminium Nitride freistehende Substrate, Siliziumkarbid freistehende Substrate, Diamond Single Crystal, GaN Epi Wafer, Aln Epi Wafer, sic Epi Wafer

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