Stromwandler/Sensor HS20-A-C BESCHREIBUNG: Für die elektronische Strommessung: DC, AC, gepulst ..., mit galvanischer Trennung zwischen dem Primär- und dem Sekundärkreis.
FUNKTIONEN:
Geschlossene Schleife mit Hall-Effekt Die primäre und die sekundäre Seite sind isoliert Geringer Stromverbrauch Große Auswahl Keine Einfügungsdämpfung Rohstoffe, die gemäß UL 94-V0 anerkannt sind
ANWENDUNGEN:
Umrichter Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) Statische Wandler für DC-Motorantriebe Schaltnetzteile (SMPS) Netzteile für Schweißanwendungen Batterieverwaltung
MODELLLISTE:
Produktmodell
Modell
Nenneingangsstrom IPN (A)
Messbereich IPM (A)
HS20- 25A-C
25
0~ ± 50
HS20- 50A-C
50
0~ ± 100
HS20-100A-C
100
0~ ± 200
HS20-200A-C
200
0 ~ ± 400
HS20-300A-C
300
0 ~ ± 600
HS20-25A-C SPEZIFIKATION
Parameter
Symbol
Einheit
Wert
Testbedingungen
Elektrische Daten
Versorgungsspannung (±5 %) (1)
VC
V
±15
Stromaufnahme
IC
MA
10+ Ausgangsstrom
Ausgangsstrom ISN
ISN
MA
25
Überstromfähigkeit (1ms )
IPC
Bei
-
Isolationswiderstand
RIS
MΩ
> 2000
@500VDC
Interne Impedanz
RS
Ω
-
Näherung
Lastwiderstand (2)
RM
Ω
0~500
Leistungsdaten
Linearität (3) (0…±IPN )
εL
%von IPN
<±0,2 %
@TA = 25 GRAD
Präzision
X
%
<±0,5 %
IPN, TA = 25 @ C.
( Nullpunktstrom entfernen )
Nullpunktstrom
IOE
MA
<±0,2
IP = 0, TA = 25 @ C.
Magnetischer Offsetstrom
EAM
MA
<±0,2
@ IP= 0;
1-fache der Nennstrombelastung
Nullpunktverschiebung der Temperatur
IOT
MA
<±0,5
IP = 0 @, -40 ~ @ +85 C.
Reaktionszeit
tr
µs
<1
@ 90 % der IPN-Schrittreaktion
Strom folgt di /dt
Di/dt
A/µS
>100
Bandbreite (4)
SW
KHz
DC~100
@-3dB
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb
TA
ºC
-40… +85
Umgebungstemperatur bei Lagerung
TS
ºC
-40… +100
Gewicht
M
G
60
Näherung
HS20-50A-C SPEZIFIKATION
Parameter
Symbol
Einheit
Wert
Testbedingungen
Elektrische Daten
Versorgungsspannung (±5 %) (1)
VC
V
±15
Stromaufnahme
IC
MA
10+ Ausgangsstrom
Ausgangsstrom ISN
ISN
MA
50
Überstromfähigkeit (1ms )
IPC
Bei
-
Isolationswiderstand
RIS
MΩ
> 2000
@500VDC
Interne Impedanz
RS
Ω
-
Näherung
Lastwiderstand (2)
RM
Ω
0~245
Leistungsdaten
Linearität (3) (0…± IPN )
εL
%von IPN
<±0,2 %
@TA = 25 GRAD
Präzision
X
%
<±0,5 %
IPN, TA = 25 @ C.
( Nullpunktstrom entfernen )
Nullpunktstrom
IOE
MA
<±0,2
IP = 0, TA = 25 @ C.
Magnetischer Offsetstrom
EAM
MA
<±0,2
@ IP = 0;
1-fache der Nennstrombelastung
Nullpunktverschiebung der Temperatur
IOT
MA
<±0,5
IP = 0 @, -40 ~ @ +85 C.
Reaktionszeit
tr
µs
<1
@ 90 % der IPN-Schrittreaktion
Strom folgt di /dt
Di/dt
A/µS
>100
Bandbreite (4)
SW
KHz
DC~100
@-3dB
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb
TA
ºC
-40… +85
Umgebungstemperatur bei Lagerung
TS
ºC
-40… +100
Gewicht
M
G
60
Näherung
HS20-100A-C SPEZIFIKATION
Parameter
Symbol
Einheit
Wert
Testbedingungen
Elektrische Daten
Versorgungsspannung (±5 %) (1)
VC
V
±15
Stromaufnahme
IC
MA
10+ Ausgangsstrom
Ausgangsstrom ISN
ISN
MA
50
Überstromfähigkeit (1ms)
IPC
Bei
-
Isolationswiderstand
RIS
MΩ
> 2 0 00
@500VDC
Interne Impedanz
RS
Ω
-
Näherung
Lastwiderstand (2)
RM
Ω
0~203
Leistungsdaten
Linearität (3) (0…± IPN )
εL
%von IPN
<±0,2 %
@TA = 25 GRAD
Präzision
X
%
<±0,5 %
IPN, TA = 25 @ C.
( Nullpunktstrom entfernen )
Nullpunktstrom
IOE
MA
<±0,2
IP = 0, TA = 25 @ C.
Magnetischer Offsetstrom
EAM
MA
<±0,2
@ IP = 0;
1-fache der Nennstrombelastung
Nullpunktverschiebung der Temperatur
IOT
MA
<±0,5
IP = 0 @, -40 ~ @ +85 C.
Reaktionszeit
tr
µs
<1
@ 90 % der IPN-Schrittreaktion
Strom folgt di /dt
Di/dt
A/µS
>100
Bandbreite (4)
SW
KHz
DC~100
@-3dB
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb
TA
ºC
-40… +85
Umgebungstemperatur bei Lagerung
TS
ºC
-40… +100
Gewicht
M
G
60
Näherung
HS20-200A-C SPEZIFIKATION
Parameter
Symbol
Einheit
Wert
Testbedingungen
Elektrische Daten
Versorgungsspannung (±5 %) (1)
VC
V
±15
Stromaufnahme
IC
MA
10+ Ausgangsstrom
Ausgangsstrom ISN
ISN
MA
100
Überstromfähigkeit (1ms )
IPC
Bei
-
Isolationswiderstand
RIS
MΩ
> 2 0 00
@500VDC
Interne Impedanz
RS
Ω
-
Näherung
Lastwiderstand (2)
RM
Ω
0~75
Leistungsdaten
Linearität (3) (0…± IPN )
εL
%von IPN
<±0,2 %
@TA = 25 GRAD
Präzision
X
%
<±0,5 %
IPN, TA = 25 @ C.
( Nullpunktstrom entfernen )
Nullpunktstrom
IOE
MA
<±0,2
IP = 0, TA = 25 @ C.
Magnetischer Offsetstrom
EAM
MA
<±0,2
@ IP = 0;
1-fache der Nennstrombelastung
Nullpunktverschiebung der Temperatur
IOT
MA
<±0,5
IP = 0 @, -40 ~ @ +85 C.
Reaktionszeit
tr
µs
<1
@ 90 % der IPN-Schrittreaktion
Strom folgt di /dt
Di/dt
A/µS
>100
Bandbreite (4)
SW
KHz
DC~100
@-3dB
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb
TA
ºC
-40… +85
Umgebungstemperatur bei Lagerung
TS
ºC
-40… +100
Gewicht
M
G
60
Näherung
HS20-300A-C SPEZIFIKATION
Parameter
Symbol
Einheit
Wert
Testbedingungen
Elektrische Daten
Versorgungsspannung (±5 %) (1)
VC
V
±15
Stromaufnahme
IC
MA
10+ Ausgangsstrom
Ausgangsstrom ISN
ISN
MA
100
Überstromfähigkeit (1ms )
IPC
Bei
-
Isolationswiderstand
RIS
MΩ
> 2 0 00
@500VDC
Interne Impedanz
RS
Ω
-
Näherung
Lastwiderstand (2)
RM
Ω
0~60
Leistungsdaten
Linearität (3) (0…± IPN )
εL
%von IPN
<±0,2 %
@TA = 25 GRAD
Präzision
X
%
<±0,5 %
IPN, TA = 25 @ C.
( Nullpunktstrom entfernen )
Nullpunktstrom
IOE
MA
<±0,2
IP = 0, TA = 25 @ C.
Magnetischer Offsetstrom
EAM
MA
<±0,2
@ IP = 0;
1-fache der Nennstrombelastung
Nullpunktverschiebung der Temperatur
IOT
MA
<±0,5
IP = 0 @, -40 ~ @ +85 C.
Reaktionszeit
tr
µs
<1
@ 90 % der IPN-Schrittreaktion
Strom folgt di /dt
Di/dt
A/µS
>100
Bandbreite (4)
SW
KHz
DC~100
@-3dB
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb
TA
ºC
-40… +85
Umgebungstemperatur bei Lagerung
TS
ºC
-40… +100
Gewicht
M
G
60
Näherung
Hinweis: (1) bei einer Stromversorgung von ±12V≤VC≤±15V wird der Messbereich des Sensors reduziert;
(2) verwendet der Kunde den Nennlastwiderstand, muss der zu messende Strom auf den Nennstrom begrenzt werden. Soll der Vollstrom gemessen werden, sollte der Lastwiderstand kleiner als der Nennwiderstand sein.
