Art: | Halle Typ |
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Ausgangssignaltyp: | Analogausgang |
Fertigungsprozess: | Integration |
Material: | Kunststoff |
Genauigkeitsklasse: | 0.1G |
Anwendung: | Schaltnetzteil |
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Produktmodell | ||
Modell | Nenneingangsstrom IPN (A) | Messbereich IPM (A) |
HS65-500A-C | 500 | ±750 |
Parameter | Symbol | Einheit | Wert | Testbedingungen |
Elektrische Daten | ||||
Versorgungsspannung (±5 %) (1) | VC | V | ±15~±24V | |
Stromaufnahme | IC | MA | 28+ Ausgangsstrom | |
Ausgangsstrom ISN | Isn | MA | 100 | |
Überstromfähigkeit (1ms ) | IPC | Bei | - | |
Isolationswiderstand | RIS | MΩ | >2000 | @ 500 VDC |
Interne Impedanz | RS | Ω | 40 | Näherung |
Lastwiderstand (2) | RM | Ω | 0~50 | |
Leistungsdaten | ||||
Linearität (3) (0…± IPN ) | εL | %von IPN | <±0,1 % | @TA = 25 GRAD |
Präzision | X | % | <±0,5 % | IPN, TA = 25 @ C. |
( Nullpunktstrom entfernen ) | ||||
Nullpunktstrom | IOE | MA | <±0,2 | IP = 0, TA = 25 @ C. |
Magnetischer Offsetstrom | EAM | MA | <±0,1 | @ IP= 0; |
3-fache der Nennstrombelastung | ||||
Nullpunktverschiebung der Temperatur | IOT | MA | <±0,8 | IP = 0, @-40 ~ +85 @ C. |
Reaktionszeit | tr | µs | <1 | @ 90 % der IPN-Schrittreaktion |
Strom folgt di /dt | Di/dt | A/µS | >100 | |
Bandbreite (4) | SW | KHz | DC~150 | @-3dB |
Allgemeine Daten | ||||
Umgebungstemperatur bei Betrieb | TA | ºC | -40… +85 | |
Umgebungstemperatur bei Lagerung | TS | ºC | -40… +100 | |
Gewicht | M | G | 550 | Näherung |
Parameter | Symbol | Einheit | Wert | Anmerkung |
AC-Isolationswiderstandsprüfung RMS @ 50Hz, 1min | UD | KV | 3,8 | |
Impulsspannungsfestigkeit 1,2/50us | UW | KV | 16 | |
Schalenmaterial | - | - | UL94-V0 | PBT+30%GF |
Relativer Tracking-Index | CTI | V | 175 | |
Kriechstrecke | DCP | Mm | 21 | |
Elektrischer Abstand | DCI | Mm | 20 |
Parameter | Symbol | Einheit | Wert |
Versorgungsspannung | VC | V | ±24 |
Ausgangsstrom (Ausgang kurzgeschlossen nach Masse) | Iout | MA | - |
Elektrostatische Entladung - Kontaktentladung | VESD | V | - |
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