• 3N hochreines Nickel-Vanadium-Sputterziel flache Platte/rotierend Ziele
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3N hochreines Nickel-Vanadium-Sputterziel flache Platte/rotierend Ziele

Application: Industrial
Formel: Nickel-Vanadium
Klassifizierung: Alloy Traget
Sortenstandard: Industriequalität
Zertifizierung: iso
Form: Rotary,Flat,Round

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Gold Mitglied Seit 2023

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Guangdong, China
, um alle verifizierten Stärkelabels (14) anzuzeigen.

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
CYT-NiV
Transportpaket
Wooden Box
Spezifikation
Customized Size
Warenzeichen
CANYUAN
Herkunft
China
Produktionskapazität
1000PCS

Produktbeschreibung

3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets
PRODUKTBESCHREIBUNG

Das Nickel-Vanadium-Drehziel wird durch wiederholtes Vakuumschmelzen oder Vakuumschmelzen hochreiner Nickel-Vanadium-Ingots erreicht und dann durch Schmieden, Walzen, Zerspanung usw. hergestellt.die Größe wird entsprechend den Kundenanforderungen angepasst.

Das Nickel-Vanadium-Planziel wird durch wiederholtes Vakuumschmelzen oder Vakuumschmelzen hochreiner Nickel-Vanadium-Ingots erreicht, die dann einer heißen isostatischen Pressung unterzogen werden, gefolgt von Schmieden, Glühen, Walzen, Zerspanung, Und anderen Prozessen.

Der resultierende Rohling hat eine einheitliche interne Struktur, feine Korngröße und keine internen Defekte, was die Anforderungen von Halbleiter-Nickel-Vanadium-Zielrohlingen erfüllt. Die Größe wird nach Kundenwunsch angepasst.

Technische Parameter

Reinheit: 99,95%; gemeinsames Verhältnis: 93-7V Gew%.

Anwendungsbereiche: Elektronik und Information, integrierte Schaltungen, Displays und andere Branchen.
Wir können flache  Nickel-Vanadium - und rotierende Sputterziele herstellen.
Spezifikation und Reinheit können individuell angepasst werden.
Die Beschreibung und die Zusammensetzung Analyse Tabelle 3N hochreines 
Nickel-Vanadium  wie folgt:
 Zielspezifikation  
Anwendung PVD-Sputtermaterialien
Material Nickel-Vanadium
Reinheit 3N
Größe Angepasst
Dicke Angepasst
Form Drehsputterziel, Ringtyp, Blechtyp, Platt-Typ und Rohrtyp
Dichte -g/cm3
Schmelzpunkt -ºC
Methode erzeugen HÜFTE

3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets
Unser Vorteil
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets


Vorgang
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets

Bild Wird Verpackt
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets


Anwendung:
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets
3n High Purity Nickel-Vanadium Sputtering Target Flat Plate / Rotating Targets

Produkt In Beziehung Zu Bringen
Material Reinheit
(N)
Komponenten
(wt%)
Dichte Schmelzen
 Punkt
Thermisch
Leitfähigkeit
(WM-1K-1)
Koeffizient von
 Erweiterung
(10-6k-1)
Produktion
 Prozess
Al-Legierung 5N - 2,7 660 235 23,1 Schmelzen
Cr 3N5 - 7,22 1907 94 4,9 HÜFTE
Cu 4N - 8,9 1084 400 16,5 Schmelzen
Mo-Legierung 3N5 - 10,28 2623 139 4,8 HÜFTE
Anm. 4N - 8,6 2477 54 7,3 Schmelzen
Ta 4N - 16,7 3017 57 6,3 Schmelzen
Si 4N - 2,33 1414 150 2,6 Sintern Und Sprühen
TI 5N - 4,5 1670 22 8,6 Schmelzen
W 4N - 19,25 3422 174 4,5 HÜFTE
AZO 3N5 98:2 Uhr 5,6 1975 22 1,5 Sintern
ITO 4N 90:10 Uhr 7,15 2000 15 2,0 Sintern
GZO 3N5 WIE GEWÜNSCHT 7,15 - - - Sintern
IGZO 4N WIE GEWÜNSCHT - - - - Sintern
NBox 4N - 4,6 1460 5 1,5 Sintern Und Sprühen
TiOx 4N - 4,23 1800 4 7,14 Sintern Und Sprühen
 

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Hersteller/Werk
Hauptprodukte
Sputtering Target
Anzahl der Angestellten
6