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Der MOS-Feldeffekttransistor ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, abgekürzt MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor, also ein Feldeffekttransistor eines Metall-Oxid-Halbleiters), der zum Typ des isolierten Gates gehört. Zwischen dem Metalltor und dem Kanal befindet sich eine Siliziumdioxid-Isolierschicht, die einen hohen Eingangswiderstand (bis zu 1015Ω) aufweist. Es ist auch in N-Kanal-Rohr und P-Kanal-Rohr unterteilt. Normalerweise sind das Substrat (Substrat) und die Quelle S miteinander verbunden. Je nach dem verschiedenen Leitungsmodus wird MOSFET in den Erweiterungstyp und den Depletion-Typ unterteilt. Der sogenannte Enhanced Type bezieht sich auf: Wenn VGS=0, befindet sich das Rohr in einem Off-Zustand; nach Zugabe des richtigen VGS wird die Mehrheit der Träger zum Tor angezogen, wodurch die Träger in diesem Bereich "verstärkt" werden und ein leitfähiger Kanal Tao gebildet wird. Der Depletion-Typ bedeutet, dass bei VGS=0 ein Kanal gebildet wird und wenn die richtige VGS hinzugefügt wird, die meisten Träger aus dem Kanal fließen können, wodurch die Träger "erschöpft" werden und das Rohr ausgeschaltet wird.
Am Beispiel des N-Kanals wird es auf einem P-Typ-Siliziumsubstrat mit zwei Quelldiffusionsregionen N+ und Drain-Diffusionsregionen N+ mit einer hohen Dopingkonzentration hergestellt, und dann werden die Quelle S und der Drain D jeweils herausgeführt. Quelle und Substrat sind intern miteinander verbunden, und beide behalten immer das gleiche Potential. Die Richtung des Potentials ist von außen nach innen, also vom P-Typ-Material (Substrat) zum N-Typ-Kanal. Wenn der Drain an den Pluspol des Netzteils angeschlossen ist und die Quelle an den Minuspol des Netzteils und VGS=0 angeschlossen ist, ist der Kanalstrom (d. h. der Drain-Strom) ID=0. Mit der allmählichen Zunahme von VGS, angezogen durch die positive Spannung des Gates, werden negativ geladene Minderheitsträger zwischen den beiden Diffusionsregionen induziert und bilden einen N-artigen Kanal vom Abfluss zur Quelle. Wenn VGS größer als die Röhre ist, wenn die Einschaltspannung VTN (normalerweise ca. +2V) erreicht ist, beginnt die N-Kanal-Röhre zu leiten und bildet eine Drain-Strom-ID.
MOS-Feldeffektröhre ist "quietschender". Dies liegt daran, dass sein Eingangswiderstand sehr hoch ist und die Kapazität zwischen dem Gate und der Quelle sehr klein ist, es ist sehr einfach, durch das externe elektromagnetische Feld oder elektrostatische Induktion aufgeladen werden, Und eine kleine Menge Ladung kann eine sehr hohe Spannung auf der Kapazität zwischen den Elektroden bilden (U =Q/C), die Röhre beschädigen. Daher werden die Pins beim Verlassen des Werks miteinander verdreht oder in Metallfolie eingebaut, so dass der G-Pol und der S-Pol das gleiche Potential haben, um die Ansammlung statischer Ladung zu verhindern. Wenn das Rohr nicht in Gebrauch ist, sollten alle Kabel kurzgeschlossen sein. Seien Sie beim Messen besonders vorsichtig und ergreifen Sie entsprechende antistatische Maßnahmen.
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