Halbleiter Mono-Kristallines Silizium Wächst

• Kohlenstoffgehalt: High-Carbon
• Zusammensetzung: c
• Kristallmorphologie: Künstlicher Graphit
• Bildungsweg: Isostatic Graphite
• Klasse: HP
• Typus: Graphite Crucible
• Modell Nr.: 12inch
• Transportpaket: Wooden Case
• Spezifikation: 12 inch
• Warenzeichen: SIAMC
• Herkunft: China
• HS-Code: 681519

Produktbeschreibung

Die hochreinen thermischen Feldmaterialien von SIAMC spielen eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von Silizium-Halbleiter-Einkristall-Öfen. SIAMC kann großformatige thermische Feldmaterialien von 36 Zoll oder mehr mit einer Graphitreinheit von bis zu 5 ppm herstellen. Zu den thermischen Feldmaterialien gehören Graphitkomponenten, Kohlenstoff-Kohlenstoff-Komponenten und Isolationsmaterialien. Graphitkomponenten können je nach Prozessanforderungen auch mit PYC- oder SiC-Beschichtungen beschichtet werden.
Die thermischen Feldmaterialien von SIAMC sind von außergewöhnlicher Qualität und erfüllen die hohen Anforderungen der Anwender in der integrierten Schaltungsbranche. Unsere Materialien wurden sorgfältig entwickelt, um optimale Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Hersteller vertrauen darauf, dass sie hochwertige, fehlerfreie Einkristall-Silizium-Ingots herstellen.