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ZG 1n5391 1n5392 1n5393 1n5395 1n5397 1n5398 1n5399 Gleichrichterdiode

Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
Anwendung: Elektronische Produkte
Zertifizierung: RoHS, CE, ISO, CCC
Leuchtstärke: Standard
Farbe: Grau, Schwarz
Struktur: Legierung

Kontakt Lieferant

Gold Mitglied Seit 2017

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Hersteller/Werk, Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
1N5399
Stoff
Silizium
Transportpaket
by Sea, Packaging
Spezifikation
DO-15
Warenzeichen
ZG Brand
Herkunft
Auhui Province, China
HS-Code
8541100000
Produktionskapazität
50000000000000000000000000

Produktbeschreibung

  Detaillierte Fotos  
MAXIMALE NENNWERTE UND ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN Nennwerte bei 25T Umgebungstemperatur, sofern nicht anders angegeben. Einphasig, Halbwelle, 60Hzr ohmsche oder induktive Last. Bei kapazitiver Last wird der Strom um 20 % verringert
EIGENSCHAFTEN SYMBOL 1N 5391 1N 5392 1N 5393 1N 53^4 1N 5396 1N 5396 1N 5397 1N 539B ZOLL 5399 NIT
Maximale rezidivierende Peak-Verdr ViRRM 50- 100 200 300 400 500 60Q 800 1000 V
Maxim um RMS Vallage Veff 35 70 140 210 280 350 420 560 700 V
Maximale DC Bfpockir>g Dorf Vdc 50- 100 200 300 400 500 600 800 1000 V
MaxiiTium AMSFmg Fbrwar hatte Currant korrigiert .375-(9,5iiTiiri) L&AD L ng i@TL=7Q1C Iav} 1,5 A
Spitze. Forward Surgs Currenl 8,3ms sin^lle half sirtfr-wave sup irhpfised on Rat^d lc>ad (JEDEC Mhod) IFSM 35 A
Max. Durchlassspannung bei 1 .SA DC w 1,1 V
M^xihlurTi DC Cuifngirit @TJ =25*C Bei Nennwert DC Blacking Vonage =1OO*C Ir 5,0 50 UA
Typisch Jurifti^n (Nola 1) Cj IST PF
Typisches Thermalzentrum Rnw 2) Rqjl 50 *C/W
Operating Terriip&rature kang Tj -55 bis +150  
Slbr^g^ mpralu RNG Tstg 55 bis +150 *c
Produktbeschreibung Unternehmensprofil    

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