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etwa diskrete Halbleiter
  • Technologische Innovation
  • Zuverlässige Lieferketten
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diskrete Halbleiter200+ Fabriken verifiziert

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 J.·4.9
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Smaz15-13-F Diskrete Halbleiterprodukte Dioden - Zener - Einfach SMA

Smaz15-13-F Diskrete Halbleiterprodukte Dioden - Zener - Einfach SMA

1,00-1,10 $
1 Stück(MOQ)
Dnbt8105-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach Sot-23-3

Dnbt8105-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach Sot-23-3

1,00-1,10 $
1 Stück(MOQ)
Diskrete Halbleiter Ipb029n06NF2satma1 D2pak-3 2.9mohms 120A

Diskrete Halbleiter Ipb029n06NF2satma1 D2pak-3 2.9mohms 120A

0,001-0,10 $
10 Stücke(MOQ)
Mmun2133lt1g Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, Vorab-geeicht Sot23-3

Mmun2133lt1g Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, Vorab-geeicht Sot23-3

0,23-2,78 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Tongcheng Electronic Technology Co., Ltd.

10 J.
·Handelsunternehmen
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Diskrete HalbleiterprodukteDiodenBrückengleichrichterMikrochip-Technologie Aptdf200h100g

Diskrete HalbleiterprodukteDiodenBrückengleichrichterMikrochip-Technologie Aptdf200h100g

2,00 $
1 Stück(MOQ)
Halbleiter Diskrete Halbleiter Diskrete & Leistungsmodul SCR Modulevishay Halbleiter Irkh56/16A

Halbleiter Diskrete Halbleiter Diskrete & Leistungsmodul SCR Modulevishay Halbleiter Irkh56/16A

3,00 $
2 Stücke(MOQ)
Produktindex diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module

Produktindex diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module

1,00 $
5 Stücke(MOQ)
Halbleiter Diskrete Halbleiter Diskrete & Leistungsmodul IGBT-Module stmicroelectronics Stgipn3h60

Halbleiter Diskrete Halbleiter Diskrete & Leistungsmodul IGBT-Module stmicroelectronics Stgipn3h60

3,00 $
2 Stücke(MOQ)
1/3

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Wasserkühlungs-Thyristormodul elektronische Halbleiter

Wasserkühlungs-Thyristormodul elektronische Halbleiter

2,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
China Anbieter Zhendi Hersteller Halbleiter AC DC Relais

China Anbieter Zhendi Hersteller Halbleiter AC DC Relais

2,90-6,90 $
1 Stück(MOQ)
Industrielle Festkörper-SSR-Steuerungsrelais Mehrphasen-DC-AC-Hochleistungs-30A-Kontaktlast 5V 20A 10A 60A Versiegelte Halbleiter

Industrielle Festkörper-SSR-Steuerungsrelais Mehrphasen-DC-AC-Hochleistungs-30A-Kontaktlast 5V 20A 10A 60A Versiegelte Halbleiter

2,90-6,90 $
1 Stück(MOQ)
Hochleistungs-Phasenregelungs-Halbleitergerät Aktive Wechselrichter Phasenrichtgleichrichtung SCR Thyristor für industrielle Anwendungen

Hochleistungs-Phasenregelungs-Halbleitergerät Aktive Wechselrichter Phasenrichtgleichrichtung SCR Thyristor für industrielle Anwendungen

8,00-15,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

CLION ELECTRIC CO., LTD.

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SCR Hochfrequenz-Thyristor-Gleichrichterbrückenmodul YJMFC800-1000A Leistungshalbleiter

SCR Hochfrequenz-Thyristor-Gleichrichterbrückenmodul YJMFC800-1000A Leistungshalbleiter

139,60-279,20 $
10 Stücke(MOQ)
elektronisches Bauteil Gleichrichtermodul YJSMDC250A 300A Wasserkühlung Halbleiter-Leistungsmodul

elektronisches Bauteil Gleichrichtermodul YJSMDC250A 300A Wasserkühlung Halbleiter-Leistungsmodul

51,36-107,07 $
10 Stücke(MOQ)
Gleichrichterdiode Leistungshalbleitermodul YJSMFC400-500A Hochfrequenzthyristor

Gleichrichterdiode Leistungshalbleitermodul YJSMFC400-500A Hochfrequenzthyristor

69,46-138,90 $
10 Stücke(MOQ)
Halbleiter SCR IGBT Thyristor Modul YJMTC 200A-1000A Luftkühlung

Halbleiter SCR IGBT Thyristor Modul YJMTC 200A-1000A Luftkühlung

40,70-297,90 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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LED-Beleuchtung Pdfn 8*8 Paket N-Kanal 800W 300V Leistungshalbleiter

LED-Beleuchtung Pdfn 8*8 Paket N-Kanal 800W 300V Leistungshalbleiter

0,10-0,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
Telekom Strom To252 Paket 800W 900V Osg80r300jf Leistungshalbleiter Transistor Mosfet

Telekom Strom To252 Paket 800W 900V Osg80r300jf Leistungshalbleiter Transistor Mosfet

0,10-0,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar IGBT

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar IGBT

2,50-3,00 $
5.000 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-Pdfn 8*8 Gehäuse Osg80r300jf N-Kanal 800W 300V Leistungs-Mosfet

Hochspannungs-Pdfn 8*8 Gehäuse Osg80r300jf N-Kanal 800W 300V Leistungs-Mosfet

0,10-0,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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China Hergestellt BTA16 Xx Mosft 16A 800V Triac - Hochzuverlässiger Halbleiter

China Hergestellt BTA16 Xx Mosft 16A 800V Triac - Hochzuverlässiger Halbleiter

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Tda7297 Dual Audio Verstärker IC - 15W+15W Stereoausgang, geringe Geräuschentwicklung

Tda7297 Dual Audio Verstärker IC - 15W+15W Stereoausgang, geringe Geräuschentwicklung

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Fha75t65A IGBT-Modul 750V 75A - Schnelles Schalten, niedrige Verluste, hohe Zuverlässigkeit

Fha75t65A IGBT-Modul 750V 75A - Schnelles Schalten, niedrige Verluste, hohe Zuverlässigkeit

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Hochleistungs-Irlml6244trpbf Mosfet-Transistor, 30V 0.065 Ohm P-Kanal, Sot-23 Gehäuse

Hochleistungs-Irlml6244trpbf Mosfet-Transistor, 30V 0.065 Ohm P-Kanal, Sot-23 Gehäuse

0,10 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

9 J.·5.0
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Diskrete Halbleiterbauelemente Gate-Design Thyristoren Kk

Diskrete Halbleiterbauelemente Gate-Design Thyristoren Kk

40,00 $
10 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiteraktien IGBT Mkc Mhc 200A 600V-1800V Modul

Diskrete Halbleiteraktien IGBT Mkc Mhc 200A 600V-1800V Modul

1,00 $
5 Stücke(MOQ)
Halbleiterdiskrete Bauelemente Thyristoren Kk 1800A/2500V

Halbleiterdiskrete Bauelemente Thyristoren Kk 1800A/2500V

60,00 $
5 Stücke(MOQ)
Hochdichte Halbleiterdiskrete Bauelemente Schweißdiode

Hochdichte Halbleiterdiskrete Bauelemente Schweißdiode

88,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.7V FF1200r17ke3 von Infinion

Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.7V FF1200r17ke3 von Infinion

840,00-1.058,00 $
5 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.3kv 40A 107.5X45mm Fp40r12kt3 von Infinion

Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.3kv 40A 107.5X45mm Fp40r12kt3 von Infinion

45,00-52,00 $
10 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1200V 75A FF75r12rt4 von Infinion

Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1200V 75A FF75r12rt4 von Infinion

17,35-21,45 $
10 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleitertransistor 30V N-Kanal Powertrench Mosfet Diode Fdms8670as Fdms

Diskrete Halbleitertransistor 30V N-Kanal Powertrench Mosfet Diode Fdms8670as Fdms

0,19-0,35 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Dgz50n65cth2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Halbleiter für Leistungsanwendungen

Dgz50n65cth2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Halbleiter für Leistungsanwendungen

2,02 $
1.080 Stücke(MOQ)
Dgw50n65cts2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Transistor Hochleistungs-Halbleiter to-247

Dgw50n65cts2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Transistor Hochleistungs-Halbleiter to-247

2,09 $
1.000 Stücke(MOQ)
Dgp15n65ctl0 IGBT-Transistor Hochleistungs 650V 15A Diskret in to-220 Gehäuse

Dgp15n65ctl0 IGBT-Transistor Hochleistungs 650V 15A Diskret in to-220 Gehäuse

0,52 $
1.000 Stücke(MOQ)
Mg50hf12tfc1 IGBT-Modul 1200V 50A RoHS-konformer Halbleiter von hoher Qualität

Mg50hf12tfc1 IGBT-Modul 1200V 50A RoHS-konformer Halbleiter von hoher Qualität

16,53 $
1 Stück(MOQ)
1/4

GuangZhou Lighting Glass CO., LTD.

9 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Corning Willow Glass Wafer Verarbeitung φ 150mm Halbleitergerät Paket Gyroskop 1.0

Corning Willow Glass Wafer Verarbeitung φ 150mm Halbleitergerät Paket Gyroskop 1.0

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
Bf33 Glaswafer hohe Präzision flach geringe Verformung hohe Temperatur geringe Ausdehnung

Bf33 Glaswafer hohe Präzision flach geringe Verformung hohe Temperatur geringe Ausdehnung

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
0.1-15mm Maßgeschneiderte Größe Mikroelektromechanisches System (MEMS) Mikrofluidik Corning Willow Glas

0.1-15mm Maßgeschneiderte Größe Mikroelektromechanisches System (MEMS) Mikrofluidik Corning Willow Glas

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
Niedrigexpansions-Eagle-Xg-Ausrüstungsubstratkomponente Substrat φ 50mm Glas

Niedrigexpansions-Eagle-Xg-Ausrüstungsubstratkomponente Substrat φ 50mm Glas

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
1/4

Changchun Yutai Optics Co., Ltd.

11 J.·5.0
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Yutai China Hersteller 2"/4"/6"/8"/12" Ssp/DSP 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Halbleiter

Yutai China Hersteller 2"/4"/6"/8"/12" Ssp/DSP 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Halbleiter

12,50-43,00 $
25 Stücke(MOQ)
Primäre Dummy-Qualität 2"/4"/6"/8"/12" 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Testwerkzeuge

Primäre Dummy-Qualität 2"/4"/6"/8"/12" 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Testwerkzeuge

10,80-39,80 $
25 Stücke(MOQ)
6" Siliziumscheibe Dicke 675um P-Typ #190128

6" Siliziumscheibe Dicke 675um P-Typ #190128

29,00-30,00 $
25 Stücke(MOQ)
D25-D300mm Siliziumblanks Ingots Rund Quadrat CZ P/N Typ Silizium-Ingots

D25-D300mm Siliziumblanks Ingots Rund Quadrat CZ P/N Typ Silizium-Ingots

50,00-600,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

CTC Technology Co., Ltd.

20 J.
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Halbleiterhersteller 7A 600V N-Kanal Transistor Mosfet

Halbleiterhersteller 7A 600V N-Kanal Transistor Mosfet

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Neue originale SBD10C100F TO220 1000V 10A N-Kanal MOSFET-Transistor

Neue originale SBD10C100F TO220 1000V 10A N-Kanal MOSFET-Transistor

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Hersteller 4A 600V SVF4N60 Kunststoffsiegel N-Kanal Transistor ST MCU

Hersteller 4A 600V SVF4N60 Kunststoffsiegel N-Kanal Transistor ST MCU

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Hersteller 3A 800V TO-220 Transistor DIP Kunststoffgehäuse N-Kanal MOSFET

Hersteller 3A 800V TO-220 Transistor DIP Kunststoffgehäuse N-Kanal MOSFET

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Ucreate PCB Co., Ltd.

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Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren

Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren

0,20-0,50 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Thyristoren

Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Thyristoren

0,20-0,50 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronische Bauelemente Halbleiterdioden und Gleichrichter

Elektronische Bauelemente Halbleiterdioden und Gleichrichter

0,60-1,00 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Chongqing Shuangyi Precision Electronics Co., Ltd

8 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Halbleiterdiskrete Bauelemente (SVD) für verschiedene Geräte - Ladegerät, Roboter, Sound, LED-Beleuchtung, Halbleiter

Halbleiterdiskrete Bauelemente (SVD) für verschiedene Geräte - Ladegerät, Roboter, Sound, LED-Beleuchtung, Halbleiter

6,00 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Ningbo Shuangshen Electronics Co., Ltd

8 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Maßgeschneidertes Hochpräzisions-IGBT-Modul: Entwickelt für Geräte zur Halbleiterfertigung

Maßgeschneidertes Hochpräzisions-IGBT-Modul: Entwickelt für Geräte zur Halbleiterfertigung

21,00-28,00 $
20 Stücke(MOQ)
Ultra zuverlässige IGBT-Leistungshalbleiter maßgeschneidert für industrielle Wechselrichter

Ultra zuverlässige IGBT-Leistungshalbleiter maßgeschneidert für industrielle Wechselrichter

0,50-80,00 $
1 Stück(MOQ)
Maßgeschneiderte kalibrierte IGBT-Modul (700V-1500V) : Hohe Zuverlässigkeit für industrielle Robotik

Maßgeschneiderte kalibrierte IGBT-Modul (700V-1500V) : Hohe Zuverlässigkeit für industrielle Robotik

10,00-35,00 $
1 Stück(MOQ)
Brandneu 3PCS Viele SKD 62/18 Leistungsbrücken-Gleichrichter 62-18 IGBT-Modul

Brandneu 3PCS Viele SKD 62/18 Leistungsbrücken-Gleichrichter 62-18 IGBT-Modul

40,00-55,00 $
10 Sätze(MOQ)
1/4

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

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MOSFET Irlml6402trpbf-VB Irlml0060trpbf-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

MOSFET Irlml6402trpbf-VB Irlml0060trpbf-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

0,04 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Irfl9110trpbf-VB Sot223-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

MOSFET Irfl9110trpbf-VB Sot223-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

0,365 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Bsp170p-VB Sot223-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

MOSFET Bsp170p-VB Sot223-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

0,265 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Irfi540gpbf-VB to-220f N-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

MOSFET Irfi540gpbf-VB to-220f N-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

0,30-0,37 $
10 Stücke(MOQ)

Xinhan Electronic Studio

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Diskrete Halbleiter

Diskrete Halbleiter

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter

Diskrete Halbleiter

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiterdiode

Diskrete Halbleiterdiode

Verhandelbar
6.000 Stücke(MOQ)
Diskreter Halbleiter Für Transistoren

Diskreter Halbleiter Für Transistoren

Verhandelbar
6.000 Stücke(MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

0,01-0,20 $
5.000 Stücke(MOQ)
Isolierter Gate-Bipolartransistor IGBT G40n120d to-247

Isolierter Gate-Bipolartransistor IGBT G40n120d to-247

Verhandelbar
1.800 Stücke(MOQ)
5A 200V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet B5n20 to-251

5A 200V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet B5n20 to-251

Verhandelbar
5.000 Stücke(MOQ)
Dh065n06, to-220, 65A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet

Dh065n06, to-220, 65A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Kangtai Songlong Electronic Technology Co., Ltd.

15 J.
·Hersteller/Werk
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5000W Oberflächenmontage Transientspannungsschutzdioden 5.0smdj Ausgezeichnete Klemmfähigkeit

5000W Oberflächenmontage Transientspannungsschutzdioden 5.0smdj Ausgezeichnete Klemmfähigkeit

0,26 $
1.000 Stücke(MOQ)
400W Oberflächenmontage-Transienten-Spannungsunterdrücker Tvs Smaj Schnelle Reaktion

400W Oberflächenmontage-Transienten-Spannungsunterdrücker Tvs Smaj Schnelle Reaktion

0,019 $
3.000 Stücke(MOQ)
10000W Axial geführte Transienten-Spannungsunterdrücker 10kp für Datenleitungen Schutz

10000W Axial geführte Transienten-Spannungsunterdrücker 10kp für Datenleitungen Schutz

0,40 $
1.000 Stücke(MOQ)
600W Oberflächenmontage Transientspannungsschutzdioden Tvs Smbj RoHS

600W Oberflächenmontage Transientspannungsschutzdioden Tvs Smbj RoHS

0,023 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

11 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Stud Auto Diode Leistungdiode 70hf120 70hfr120

Stud Auto Diode Leistungdiode 70hf120 70hfr120

1,35-1,50 $
1 Stück(MOQ)
70hf120 70hfr120 85hf120 85hfr160 Stud-Montage-Leistungsdioden - Do-5 Gehäuse, für Automobile und Schweißmaschinen (Hohe Ströme)

70hf120 70hfr120 85hf120 85hfr160 Stud-Montage-Leistungsdioden - Do-5 Gehäuse, für Automobile und Schweißmaschinen (Hohe Ströme)

1,35-1,50 $
1 Stück(MOQ)
30hf Spiralgleichrichterdioden für die Batterieladung und Motorsteuerung

30hf Spiralgleichrichterdioden für die Batterieladung und Motorsteuerung

1,35-1,50 $
1 Stück(MOQ)
Heiß verkaufende Leistungsgleichrichterdioden Stud-Diode für 1200V Do-5 60hf120

Heiß verkaufende Leistungsgleichrichterdioden Stud-Diode für 1200V Do-5 60hf120

1,35-1,50 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

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P-Kanal-Mosfet von Infineon Elektronikkomponenten Agent von Irlml9301trpbf Irf7240trpbf Irfb4115pbf Irf4905strlpbf

P-Kanal-Mosfet von Infineon Elektronikkomponenten Agent von Irlml9301trpbf Irf7240trpbf Irfb4115pbf Irf4905strlpbf

0,01-0,05 $
1.000 Stücke(MOQ)
Original-Diodenmodul von Ixys diskreten Halbleiterdioden Dss2X101-015A

Original-Diodenmodul von Ixys diskreten Halbleiterdioden Dss2X101-015A

0,10-0,25 $
100 Stücke(MOQ)
S1226-18bk Hamamatsu diskrete Silizium-Photodiode Original

S1226-18bk Hamamatsu diskrete Silizium-Photodiode Original

0,90-9.999,00 $
1 Stück(MOQ)
RF Dämpfer Temperatur variabel von Smiths Interconnect von EMC Tva0300n09W3s Tva0500n09W3s Mtva0600n09

RF Dämpfer Temperatur variabel von Smiths Interconnect von EMC Tva0300n09W3s Tva0500n09W3s Mtva0600n09

0,01-0,03 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd

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Halbleiterchip (2N3773)

Halbleiterchip (2N3773)

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
Halbleiterchip (2N3055, 2N3055HV)

Halbleiterchip (2N3055, 2N3055HV)

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
Metallgehäuse für Halbleiter

Metallgehäuse für Halbleiter

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
TO-3-Header und CAN

TO-3-Header und CAN

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)

Abis Circuits Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Angepasste Multilayer-PCB-Leiterplatte 6 Schichten PCB elektronische Leiterplatten für intelligente Elektronik hochpräzise Multilayer-PCB

Angepasste Multilayer-PCB-Leiterplatte 6 Schichten PCB elektronische Leiterplatten für intelligente Elektronik hochpräzise Multilayer-PCB

1,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
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IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

925,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/100A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER Anwendungen GD100HFY120C1S

IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/100A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER Anwendungen GD100HFY120C1S

135,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/300A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER-Anwendungen GD300HFX120C2S

IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/300A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER-Anwendungen GD300HFX120C2S

330,00 $
1 Stück(MOQ)
WMK10N60C4 TO-220 WAYON 600V Super Junction Leistungs-Mosfet

WMK10N60C4 TO-220 WAYON 600V Super Junction Leistungs-Mosfet

0,018-0,02 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

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MOSFET Bsh103-VB Sot-23 N-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

MOSFET Bsh103-VB Sot-23 N-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

0,048 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Irlr2905ztrpbf-VB to-252 N-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

MOSFET Irlr2905ztrpbf-VB to-252 N-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

0,315 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Ao3415A-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

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0,032 $
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MOSFET Irlr9343trpbf-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Irlr9343trpbf-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,315 $
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Shanghai Qiyi Semiconductor Co., Ltd.

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Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2010 20A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2010 20A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

3,96 $
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Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 1510 15A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 1510 15A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

2,99 $
1 Stück(MOQ)
Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2510 25A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2510 25A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

3,99 $
1 Stück(MOQ)
Shanghai Qiyi Halbleiter Brückengleichrichter KBPC 5010 50A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Halbleiter Brückengleichrichter KBPC 5010 50A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

4,99 $
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Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

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Jiaen Semiconductor IGBT-Modul – hochzuverlässiges Leistungsschaltergerät

Jiaen Semiconductor IGBT-Modul – hochzuverlässiges Leistungsschaltergerät

14,00 $
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Jiaen Semiconductor Ipm (Intelligent Power Module) – Integrierte Leistungslösung

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2,24-3,01 $
1.000 Stücke(MOQ)
1200V 75A IGBT Discrete Insulated Gate Bipolar Transistor Jng75t120lcs1

1200V 75A IGBT Discrete Insulated Gate Bipolar Transistor Jng75t120lcs1

500,00 $
500 Stücke(MOQ)
Jiaen IGBT-Mehrzellenmodul mit hoher Zuverlässigkeit – PV-Wechselrichter und Anwendung Für Motorantrieb

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500,00 $
500 Stücke(MOQ)

Paulette Electronics Co., Ltd.

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Fernsehapparate 1.5KE Semiconductor

Fernsehapparate 1.5KE Semiconductor

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Fernsehapparat-Diode SM8S

Fernsehapparat-Diode SM8S

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Gas-Einleitung-Gefäß 1812

Gas-Einleitung-Gefäß 1812

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2.500 Stücke(MOQ)
Gas Discharge Tube 3e8

Gas Discharge Tube 3e8

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Shenzhen Silver Technologies Ltd

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Keramische Kapillare für 0.025mm Legierungsdrahtbonding

Keramische Kapillare für 0.025mm Legierungsdrahtbonding

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
Keramische Kapillare für Silberdrahtbonding

Keramische Kapillare für Silberdrahtbonding

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
Keramische Kapillare für Kupferdrahtbonding

Keramische Kapillare für Kupferdrahtbonding

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
Präzisionskeramikkapillare für Drahtbonding Zirkonia-Kapillare

Präzisionskeramikkapillare für Drahtbonding Zirkonia-Kapillare

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
1/4

Jilin Magic Semiconductor Co., Ltd

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Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS3)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS3)

Verhandelbar
Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (PMOS1)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (PMOS1)

Verhandelbar
Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS5)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS5)

Verhandelbar
Halbleiterintegrations-Ciruit (Foundry) CMOS1

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Verhandelbar
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