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etwa diskrete Halbleiter
  • Technologische Innovation
  • Zuverlässige Lieferketten
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diskrete Halbleiter200+ Fabriken verifiziert

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 J.·4.9
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Smaz6V8-13-F Diskrete Halbleiterprodukte Dioden - Zener - Einfach SMA

Smaz6V8-13-F Diskrete Halbleiterprodukte Dioden - Zener - Einfach SMA

1,00-1,10 $
1 Stück(MOQ)
Irfb4115pbf Transistor N-Kanal 150 V 104A (Tc) 380W (Tc) DIP to-220ab Irfb4115pbf Ixfp110n15t2 Psmn030-150p Irfb4110 Irfb4115 Irfb4127 Irfb4137 Serie

Irfb4115pbf Transistor N-Kanal 150 V 104A (Tc) 380W (Tc) DIP to-220ab Irfb4115pbf Ixfp110n15t2 Psmn030-150p Irfb4110 Irfb4115 Irfb4127 Irfb4137 Serie

0,01-1,00 $
1 Stück(MOQ)
Mmdt3904-7-F Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays Sot-363

Mmdt3904-7-F Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays Sot-363

1,00-1,10 $
1 Stück(MOQ)
Ao4402 Ao4403 Ao4404b Ao4405 Ao4406A Ao4407 Ao4407A Ao4409 MOSFET N-CH 20V 20A 8soic

Ao4402 Ao4403 Ao4404b Ao4405 Ao4406A Ao4407 Ao4407A Ao4409 MOSFET N-CH 20V 20A 8soic

0,0001-0,10 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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LED-Beleuchtung Pdfn 8*8 Paket N-Kanal 800W 300V Leistungshalbleiter

LED-Beleuchtung Pdfn 8*8 Paket N-Kanal 800W 300V Leistungshalbleiter

0,10-0,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
Mosfet To252 Gehäuse Osg80r900df N-Kanal 800V 900V Leistungshalbleitertransistor Mosfet

Mosfet To252 Gehäuse Osg80r900df N-Kanal 800V 900V Leistungshalbleitertransistor Mosfet

0,10-0,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Trident-Gate-Bipolartransistor IGBT

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Trident-Gate-Bipolartransistor IGBT

2,50-3,00 $
5.000 Stücke(MOQ)
Fortgeschrittene Tgbt Technologie To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolar Transistor

Fortgeschrittene Tgbt Technologie To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolar Transistor

2,50-3,00 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

CLION ELECTRIC CO., LTD.

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SCR Hochfrequenz-Thyristor-Gleichrichterbrückenmodul YJMFC800-1000A Leistungshalbleiter

SCR Hochfrequenz-Thyristor-Gleichrichterbrückenmodul YJMFC800-1000A Leistungshalbleiter

139,60-279,20 $
10 Stücke(MOQ)
SCR Thyristor Gleichrichtermodul YJMDC800-1000A Wassergekühltes Leistungshalbleitermodul

SCR Thyristor Gleichrichtermodul YJMDC800-1000A Wassergekühltes Leistungshalbleitermodul

131,26-271,20 $
10 Stücke(MOQ)
Luftgekühltes Gleichrichterbrücken-Halbleiter-Schweißmodul YJMDC200-300A

Luftgekühltes Gleichrichterbrücken-Halbleiter-Schweißmodul YJMDC200-300A

22,09-78,12 $
10 Stücke(MOQ)
Halbleiter SCR IGBT Thyristor Modul YJMTC 200A-1000A Luftkühlung

Halbleiter SCR IGBT Thyristor Modul YJMTC 200A-1000A Luftkühlung

40,70-297,90 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Wasserkühlungs-Thyristormodul elektronische Halbleiter

Wasserkühlungs-Thyristormodul elektronische Halbleiter

2,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT Integrierter SCR Thyristor Leistungthyristor mit doppelseitiger Kühlung Hochleistungs-Halbleiterkapsel Gto 2500V Hochspannung Hochstrom Kp Keramikhyristor

IGBT Integrierter SCR Thyristor Leistungthyristor mit doppelseitiger Kühlung Hochleistungs-Halbleiterkapsel Gto 2500V Hochspannung Hochstrom Kp Keramikhyristor

8,00-15,00 $
1 Stück(MOQ)
China Anbieter Zhendi Hersteller Halbleiter AC DC Relais

China Anbieter Zhendi Hersteller Halbleiter AC DC Relais

2,90-6,90 $
1 Stück(MOQ)
China Lieferant Zhendi Hersteller Spannungsregler 3X Thyristor Phasen Triac Thyristor Halbleitermodule

China Lieferant Zhendi Hersteller Spannungsregler 3X Thyristor Phasen Triac Thyristor Halbleitermodule

8,00-15,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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China Hergestellt BTA16 Xx Mosft 16A 800V Triac - Hochzuverlässiger Halbleiter

China Hergestellt BTA16 Xx Mosft 16A 800V Triac - Hochzuverlässiger Halbleiter

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Zuverlässige IC-Lösungen für Unterhaltungselektronik: N-Kanal Mosfet 40A Crst055n08n

Zuverlässige IC-Lösungen für Unterhaltungselektronik: N-Kanal Mosfet 40A Crst055n08n

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Fha25t120A IGBT-Modul - 1200V 25A, Schnelles Schalten, Niedrige Verluste, Hohe Zuverlässigkeit

Fha25t120A IGBT-Modul - 1200V 25A, Schnelles Schalten, Niedrige Verluste, Hohe Zuverlässigkeit

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Kompakter IC Low-Side Gate Treiber Mcp1416t-E/Ot, 1.5A Spitze, Aec-Q100 Automobil, 4kv ESD-Schutz

Kompakter IC Low-Side Gate Treiber Mcp1416t-E/Ot, 1.5A Spitze, Aec-Q100 Automobil, 4kv ESD-Schutz

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
1/4

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

9 J.·5.0
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Diskrete Halbleiterbauelemente Gate-Design Thyristoren Kk

Diskrete Halbleiterbauelemente Gate-Design Thyristoren Kk

40,00 $
10 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiteraktien IGBT Mkc Mhc 200A 600V-1800V Modul

Diskrete Halbleiteraktien IGBT Mkc Mhc 200A 600V-1800V Modul

1,00 $
5 Stücke(MOQ)
Halbleiterdiskrete Bauelemente Thyristoren Kk 1800A/2500V

Halbleiterdiskrete Bauelemente Thyristoren Kk 1800A/2500V

60,00 $
5 Stücke(MOQ)
Hochdichte Halbleiterdiskrete Bauelemente Schweißdiode

Hochdichte Halbleiterdiskrete Bauelemente Schweißdiode

88,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1200V 75A FF75r12rt4 von Infinion

Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1200V 75A FF75r12rt4 von Infinion

17,35-21,45 $
10 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.7V FF1200r17ke3 von Infinion

Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.7V FF1200r17ke3 von Infinion

840,00-1.058,00 $
5 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.3kv 40A 107.5X45mm Fp40r12kt3 von Infinion

Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.3kv 40A 107.5X45mm Fp40r12kt3 von Infinion

45,00-52,00 $
10 Stücke(MOQ)
Neues originales diskretes Halbleitertransistor-Modul IGBT-Modul FF1000r17ie4

Neues originales diskretes Halbleitertransistor-Modul IGBT-Modul FF1000r17ie4

411,10 $
2 Stücke(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Dgw50n65cts2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Transistor Hochleistungs-Halbleiter to-247

Dgw50n65cts2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Transistor Hochleistungs-Halbleiter to-247

2,09 $
1.000 Stücke(MOQ)
Dgz50n65cth2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Halbleiter für Leistungsanwendungen

Dgz50n65cth2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Halbleiter für Leistungsanwendungen

2,02 $
1.080 Stücke(MOQ)
Dgp15n65ctl0 IGBT-Transistor Hochleistungs 650V 15A Diskret in to-220 Gehäuse

Dgp15n65ctl0 IGBT-Transistor Hochleistungs 650V 15A Diskret in to-220 Gehäuse

0,52 $
1.000 Stücke(MOQ)
Gd100hfy120c1s IGBT-Modul 1200V/100A Hochleistungs-Transistor Neu und Original Halbleiter

Gd100hfy120c1s IGBT-Modul 1200V/100A Hochleistungs-Transistor Neu und Original Halbleiter

27,55 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Changchun Yutai Optics Co., Ltd.

11 J.·5.0
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Yutai China Hersteller 2"/4"/6"/8"/12" Ssp/DSP 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Halbleiter

Yutai China Hersteller 2"/4"/6"/8"/12" Ssp/DSP 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Halbleiter

12,50-43,00 $
25 Stücke(MOQ)
Primäre Dummy-Qualität 2"/4"/6"/8"/12" 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Testwerkzeuge

Primäre Dummy-Qualität 2"/4"/6"/8"/12" 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Testwerkzeuge

10,80-39,80 $
25 Stücke(MOQ)
6" Siliziumscheibe Dicke 675um P-Typ #190128

6" Siliziumscheibe Dicke 675um P-Typ #190128

29,00-30,00 $
25 Stücke(MOQ)
D25-D300mm Siliziumblanks Ingots Rund Quadrat CZ P/N Typ Silizium-Ingots

D25-D300mm Siliziumblanks Ingots Rund Quadrat CZ P/N Typ Silizium-Ingots

50,00-600,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

GuangZhou Lighting Glass CO., LTD.

9 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Corning Willow Glass Wafer Verarbeitung φ 150mm Halbleitergerät Paket Gyroskop 1.0

Corning Willow Glass Wafer Verarbeitung φ 150mm Halbleitergerät Paket Gyroskop 1.0

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
Bf33 Glaswafer hohe Präzision flach geringe Verformung hohe Temperatur geringe Ausdehnung

Bf33 Glaswafer hohe Präzision flach geringe Verformung hohe Temperatur geringe Ausdehnung

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
Eagle-Xg Glasplattenverarbeitung Moems Herstellung 2.0mm Gyroskopsensor 8"

Eagle-Xg Glasplattenverarbeitung Moems Herstellung 2.0mm Gyroskopsensor 8"

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
Niedrigexpansions-Eagle-Xg-Ausrüstungsubstratkomponente Substrat φ 50mm Glas

Niedrigexpansions-Eagle-Xg-Ausrüstungsubstratkomponente Substrat φ 50mm Glas

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
1/4

CTC Technology Co., Ltd.

20 J.
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Halbleiterhersteller 7A 600V N-Kanal Transistor Mosfet

Halbleiterhersteller 7A 600V N-Kanal Transistor Mosfet

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Silan MOSFET SVF10A650V 10A 650V Kunststoffdichtung N-Kanal Transistor

Silan MOSFET SVF10A650V 10A 650V Kunststoffdichtung N-Kanal Transistor

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-Mosfet-Transistor

Hochspannungs-N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-Mosfet-Transistor

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
NCEP039N10M N-Kanal Super Junction Leistung Mosfet Transistor

NCEP039N10M N-Kanal Super Junction Leistung Mosfet Transistor

0,10-2,00 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Ucreate PCB Co., Ltd.

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Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren

Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren

0,20-0,50 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Thyristoren

Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Thyristoren

0,20-0,50 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronische Bauelemente Halbleiterdioden und Gleichrichter

Elektronische Bauelemente Halbleiterdioden und Gleichrichter

0,60-1,00 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Chongqing Shuangyi Precision Electronics Co., Ltd

8 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Halbleiterdiskrete Bauelemente (SVD) für verschiedene Geräte - Ladegerät, Roboter, Sound, LED-Beleuchtung, Halbleiter

Halbleiterdiskrete Bauelemente (SVD) für verschiedene Geräte - Ladegerät, Roboter, Sound, LED-Beleuchtung, Halbleiter

6,00 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Ningbo Shuangshen Electronics Co., Ltd

8 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Maßgeschneidertes Hochpräzisions-IGBT-Modul: Entwickelt für Geräte zur Halbleiterfertigung

Maßgeschneidertes Hochpräzisions-IGBT-Modul: Entwickelt für Geräte zur Halbleiterfertigung

21,00-28,00 $
20 Stücke(MOQ)
Ultra zuverlässige IGBT-Leistungshalbleiter maßgeschneidert für industrielle Wechselrichter

Ultra zuverlässige IGBT-Leistungshalbleiter maßgeschneidert für industrielle Wechselrichter

0,50-80,00 $
1 Stück(MOQ)
Hocheffiziente verlustarme IGBT-Module für die industrielle Leistungssteuerung

Hocheffiziente verlustarme IGBT-Module für die industrielle Leistungssteuerung

1,00-80,00 $
50 Sätze(MOQ)
Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodule mit überlegener thermischer Stabilität

Hochspannungs-IGBT-Leistungsmodule mit überlegener thermischer Stabilität

1,00-50,00 $
20 Sätze(MOQ)
1/4

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

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MOSFET Fdn306p-NL-VB Dmp2215L-7-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

MOSFET Fdn306p-NL-VB Dmp2215L-7-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

0,032 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Ntgd3148nt1g-VB SOT23-6 Doppel-N-Kanal-Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

MOSFET Ntgd3148nt1g-VB SOT23-6 Doppel-N-Kanal-Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

0,105 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Apm4015puc-Trl-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Apm4015puc-Trl-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,315 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Si1555dl-T1-GE3-VB SC70-6 N+P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Si1555dl-T1-GE3-VB SC70-6 N+P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,105 $
1.000 Stücke(MOQ)

Xinhan Electronic Studio

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Diskrete Halbleiter

Diskrete Halbleiter

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter

Diskrete Halbleiter

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)
Diskreter Halbleiter Für Transistoren

Diskreter Halbleiter Für Transistoren

Verhandelbar
6.000 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiterdiode

Diskrete Halbleiterdiode

Verhandelbar
6.000 Stücke(MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

0,01-0,20 $
5.000 Stücke(MOQ)
Isolierter Gate-Bipolartransistor IGBT G40n120d to-247

Isolierter Gate-Bipolartransistor IGBT G40n120d to-247

Verhandelbar
1.800 Stücke(MOQ)
5A 200V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet B5n20 to-251

5A 200V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet B5n20 to-251

Verhandelbar
5.000 Stücke(MOQ)
180A 135V N-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet DSG045n14n to-220c

180A 135V N-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet DSG045n14n to-220c

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

11 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Heiß verkaufende Leistungsgleichrichterdioden Stud-Diode für 1200V Do-5 60hf120

Heiß verkaufende Leistungsgleichrichterdioden Stud-Diode für 1200V Do-5 60hf120

1,35-1,50 $
1 Stück(MOQ)
40ria Steuerthyristor-Spiralgleichrichterdioden für das Laden von Batterien 40A 1200V To65

40ria Steuerthyristor-Spiralgleichrichterdioden für das Laden von Batterien 40A 1200V To65

4,05-4,50 $
1 Stück(MOQ)
Tc132-50 Russische Stud-Typ Triac Thyristoren Diode Tc132-50-16

Tc132-50 Russische Stud-Typ Triac Thyristoren Diode Tc132-50-16

2,00-99,00 $
1 Stück(MOQ)
Stud Gleichrichterdiode Hochwertig 40hf120 40hfr120

Stud Gleichrichterdiode Hochwertig 40hf120 40hfr120

1,35-1,50 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Kangtai Songlong Electronic Technology Co., Ltd.

15 J.
·Hersteller/Werk
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400W Oberflächenmontage-Transienten-Spannungsunterdrücker Tvs Smaj Schnelle Reaktion

400W Oberflächenmontage-Transienten-Spannungsunterdrücker Tvs Smaj Schnelle Reaktion

0,019 $
3.000 Stücke(MOQ)
400W Oberflächenmontage-Transientspannungsunterdrücker Tvs Smaf mit flachem Gehäuse

400W Oberflächenmontage-Transientspannungsunterdrücker Tvs Smaf mit flachem Gehäuse

0,018 $
1.000 Stücke(MOQ)
1500W Axial geführte Transienten-Spannungsunterdrücker 1.5ke Ausgezeichnete Clampfähigkeit

1500W Axial geführte Transienten-Spannungsunterdrücker 1.5ke Ausgezeichnete Clampfähigkeit

0,058 $
3.000 Stücke(MOQ)
600W Oberflächenmontage Transientspannungsschutzdioden Tvs Smbj RoHS

600W Oberflächenmontage Transientspannungsschutzdioden Tvs Smbj RoHS

0,023 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

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P-Kanal-Mosfet von Infineon Elektronikkomponenten Agent von Irlml9301trpbf Irf7240trpbf Irfb4115pbf Irf4905strlpbf

P-Kanal-Mosfet von Infineon Elektronikkomponenten Agent von Irlml9301trpbf Irf7240trpbf Irfb4115pbf Irf4905strlpbf

0,01-0,05 $
1.000 Stücke(MOQ)
S1226-18bk Hamamatsu diskrete Silizium-Photodiode Original

S1226-18bk Hamamatsu diskrete Silizium-Photodiode Original

0,90-9.999,00 $
1 Stück(MOQ)
Original-Diodenmodul von Ixys diskreten Halbleiterdioden Dss2X101-015A

Original-Diodenmodul von Ixys diskreten Halbleiterdioden Dss2X101-015A

0,10-0,25 $
100 Stücke(MOQ)
Kristalle, Oszillatoren, Resonatoren Elektronik von Murata Elektronik Xrcgb32m000f2p00r0

Kristalle, Oszillatoren, Resonatoren Elektronik von Murata Elektronik Xrcgb32m000f2p00r0

0,10-0,30 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd

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Halbleiterchip (2N3773)

Halbleiterchip (2N3773)

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
Halbleiterchip (2N3055, 2N3055HV)

Halbleiterchip (2N3055, 2N3055HV)

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
Metallgehäuse für Halbleiter

Metallgehäuse für Halbleiter

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
TO-18-Header und CAN

TO-18-Header und CAN

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)

Abis Circuits Co., Ltd.

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Angepasste Multilayer-PCB-Leiterplatte 6 Schichten PCB elektronische Leiterplatten für intelligente Elektronik hochpräzise Multilayer-PCB

Angepasste Multilayer-PCB-Leiterplatte 6 Schichten PCB elektronische Leiterplatten für intelligente Elektronik hochpräzise Multilayer-PCB

1,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
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IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/100A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER Anwendungen GD100HFY120C1S

IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/100A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER Anwendungen GD100HFY120C1S

135,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

925,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/300A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER-Anwendungen GD300HFX120C2S

IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/300A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER-Anwendungen GD300HFX120C2S

330,00 $
1 Stück(MOQ)
WML08N60C4 TO-220F 600V Super Junction Leistung MOSFET

WML08N60C4 TO-220F 600V Super Junction Leistung MOSFET

0,018-0,02 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

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MOSFET Fdn306p-NL-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Fdn306p-NL-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,032 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Bsp170p-VB Sot-223 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

MOSFET Bsp170p-VB Sot-223 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

0,265 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET St2341s23rg-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET St2341s23rg-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,048 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Ssm3j36fs-VB SC75-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Ssm3j36fs-VB SC75-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,066 $
1.000 Stücke(MOQ)

Shanghai Qiyi Semiconductor Co., Ltd.

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Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2510 25A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2510 25A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

3,99 $
1 Stück(MOQ)
Shanghai Qiyi Halbleiter Brückengleichrichter KBPC 5010 50A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Halbleiter Brückengleichrichter KBPC 5010 50A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

4,99 $
1 Stück(MOQ)
Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2010 20A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2010 20A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

3,96 $
1 Stück(MOQ)
Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 1510 15A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 1510 15A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

2,99 $
1 Stück(MOQ)

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

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Jiaen Semiconductor Ipm (Intelligent Power Module) – Integrierte Leistungslösung

Jiaen Semiconductor Ipm (Intelligent Power Module) – Integrierte Leistungslösung

2,24-3,01 $
1.000 Stücke(MOQ)
Jiaen Semiconductor IGBT-Modul – hochzuverlässiges Leistungsschaltergerät

Jiaen Semiconductor IGBT-Modul – hochzuverlässiges Leistungsschaltergerät

14,00 $
500 Stücke(MOQ)
1200V 75A IGBT Discrete Insulated Gate Bipolar Transistor Jng75t120lcs1

1200V 75A IGBT Discrete Insulated Gate Bipolar Transistor Jng75t120lcs1

500,00 $
500 Stücke(MOQ)
IGBT-Module 1200V/450 62mm/34mm-Gehäuse mit schneller Wiederherstellung FRD-Technologie

IGBT-Module 1200V/450 62mm/34mm-Gehäuse mit schneller Wiederherstellung FRD-Technologie

14,00 $
500 Stücke(MOQ)

Paulette Electronics Co., Ltd.

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Fernsehapparate 1.5KE Semiconductor

Fernsehapparate 1.5KE Semiconductor

Verhandelbar
500 Stücke(MOQ)
FERNSEHAPPARATE SMAJ

FERNSEHAPPARATE SMAJ

Verhandelbar
500 Stücke(MOQ)
ESD PL0524P

ESD PL0524P

Verhandelbar
3.000 Stücke(MOQ)
Chip-Varistor Pl0402

Chip-Varistor Pl0402

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)

Shenzhen Silver Technologies Ltd

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Keramische Kapillare für Silberdrahtbonding

Keramische Kapillare für Silberdrahtbonding

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
Präzisionskeramikkapillare für Drahtbonding Zirkonia-Kapillare

Präzisionskeramikkapillare für Drahtbonding Zirkonia-Kapillare

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
Keramische Kapillare für Kupferdrahtbonding

Keramische Kapillare für Kupferdrahtbonding

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
Keramische Kapillare für 0.025mm Legierungsdrahtbonding

Keramische Kapillare für 0.025mm Legierungsdrahtbonding

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
1/4

Jilin Magic Semiconductor Co., Ltd

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Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (PMOS1)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (PMOS1)

Verhandelbar
Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS5)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS5)

Verhandelbar
Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS3)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS3)

Verhandelbar
Schottky-Gleichrichter (SBLS0245CAG/sag)

Schottky-Gleichrichter (SBLS0245CAG/sag)

Verhandelbar

Yueqing Debo International Co., Ltd

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Schnellumschaltung Kktype 2500A 2500V

Schnellumschaltung Kktype 2500A 2500V

85,00 $
10 Stücke(MOQ)
Thyristor Restifieren

Thyristor Restifieren

45,00 $
100 Stücke(MOQ)
Schneller Thyristor KK Typ 1000A

Schneller Thyristor KK Typ 1000A

45,00 $
100 Stücke(MOQ)
Restiferdiode 1330A

Restiferdiode 1330A

45,00 $
100 Stücke(MOQ)
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