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etwa diskrete Halbleiter
  • Technologische Innovation
  • Zuverlässige Lieferketten
  • Umfangreiche Fertigungskapazitäten

diskrete Halbleiter200+ Fabriken verifiziert

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 J.·4.9
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Diskrete Halbleiter Ipb029n06NF2satma1 D2pak-3 2.9mohms 120A

Diskrete Halbleiter Ipb029n06NF2satma1 D2pak-3 2.9mohms 120A

0,001-0,10 $
10 Stücke(MOQ)
Dnbt8105-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach Sot-23-3

Dnbt8105-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach Sot-23-3

1,00-1,10 $
1 Stück(MOQ)
Smaz15-13-F Diskrete Halbleiterprodukte Dioden - Zener - Einfach SMA

Smaz15-13-F Diskrete Halbleiterprodukte Dioden - Zener - Einfach SMA

1,00-1,10 $
1 Stück(MOQ)
Dmp2065ufdb-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays Udfn-6

Dmp2065ufdb-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays Udfn-6

1,00-1,10 $
1 Stück(MOQ)
1/4

CLION ELECTRIC CO., LTD.

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SCR Hochfrequenz-Thyristor-Gleichrichterbrückenmodul YJMFC800-1000A Leistungshalbleiter

SCR Hochfrequenz-Thyristor-Gleichrichterbrückenmodul YJMFC800-1000A Leistungshalbleiter

139,60-279,20 $
10 Stücke(MOQ)
Gleichrichterdiode Leistungshalbleitermodul YJSMFC400-500A Hochfrequenzthyristor

Gleichrichterdiode Leistungshalbleitermodul YJSMFC400-500A Hochfrequenzthyristor

69,46-138,90 $
10 Stücke(MOQ)
Leistungs-Halbleitermodul Modul MDC110-16 Gleichrichterbrücke für Motorsteuerung

Leistungs-Halbleitermodul Modul MDC110-16 Gleichrichterbrücke für Motorsteuerung

8,30-16,60 $
10 Stücke(MOQ)
elektronisches Bauteil Gleichrichtermodul YJSMDC250A 300A Wasserkühlung Halbleiter-Leistungsmodul

elektronisches Bauteil Gleichrichtermodul YJSMDC250A 300A Wasserkühlung Halbleiter-Leistungsmodul

51,36-107,07 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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LED-Beleuchtung Pdfn 8*8 Paket N-Kanal 800W 300V Leistungshalbleiter

LED-Beleuchtung Pdfn 8*8 Paket N-Kanal 800W 300V Leistungshalbleiter

0,10-0,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
Mosfet To252 Gehäuse Osg80r900df N-Kanal 800V 900V Leistungshalbleitertransistor Mosfet

Mosfet To252 Gehäuse Osg80r900df N-Kanal 800V 900V Leistungshalbleitertransistor Mosfet

0,10-0,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar Mosfet

Unterbrechungsfreie Stromversorgungen To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar Mosfet

2,50-3,00 $
5.000 Stücke(MOQ)
EV-Ladegerät LED-Beleuchtung Osg60r028htf To247 Vds 650V RDS28mΩ Mosfet

EV-Ladegerät LED-Beleuchtung Osg60r028htf To247 Vds 650V RDS28mΩ Mosfet

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
1/4

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Wasserkühlungs-Thyristormodul elektronische Halbleiter

Wasserkühlungs-Thyristormodul elektronische Halbleiter

2,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
Zhendi Lieferant Halbleiter zuverlässige Diode SCR IGBT Thyristor Leistungssteuerung Wasser Kühlung Brückengleichrichter 1600V Modul Diode

Zhendi Lieferant Halbleiter zuverlässige Diode SCR IGBT Thyristor Leistungssteuerung Wasser Kühlung Brückengleichrichter 1600V Modul Diode

2,00-6,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT 100A 1200V Thyristor Halbleiter SCR Modul Thyristor Transistor Skt760/16e Thyristoren

IGBT 100A 1200V Thyristor Halbleiter SCR Modul Thyristor Transistor Skt760/16e Thyristoren

8,00-15,00 $
1 Stück(MOQ)
Hochleistungs-Phasenregelungs-Halbleitergerät Aktive Wechselrichter Phasenrichtgleichrichtung SCR Thyristor für industrielle Anwendungen

Hochleistungs-Phasenregelungs-Halbleitergerät Aktive Wechselrichter Phasenrichtgleichrichtung SCR Thyristor für industrielle Anwendungen

8,00-15,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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China Hergestellt BTA16 Xx Mosft 16A 800V Triac - Hochzuverlässiger Halbleiter

China Hergestellt BTA16 Xx Mosft 16A 800V Triac - Hochzuverlässiger Halbleiter

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
650V 40A Fha40t65al IGBT-Modul - Kosten effektiv und effizient

650V 40A Fha40t65al IGBT-Modul - Kosten effektiv und effizient

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
OEM/ODM Nce0140K Linearmodul verfügbar - Anpassungen willkommen

OEM/ODM Nce0140K Linearmodul verfügbar - Anpassungen willkommen

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Ry912 Hochfrequenzregler für WLAN-Router

Ry912 Hochfrequenzregler für WLAN-Router

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
1/4

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

9 J.·5.0
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Hochdichte Halbleiterdiskrete Bauelemente Schweißdiode

Hochdichte Halbleiterdiskrete Bauelemente Schweißdiode

88,00 $
1 Stück(MOQ)
Diskrete Halbleiterbauelemente Gate-Design Thyristoren Kk

Diskrete Halbleiterbauelemente Gate-Design Thyristoren Kk

40,00 $
10 Stücke(MOQ)
Halbleiterdiskrete Bauelemente Thyristoren Kk 1800A/2500V

Halbleiterdiskrete Bauelemente Thyristoren Kk 1800A/2500V

60,00 $
5 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiteraktien IGBT Mkc Mhc 200A 600V-1800V Modul

Diskrete Halbleiteraktien IGBT Mkc Mhc 200A 600V-1800V Modul

1,00 $
5 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.7V FF1200r17ke3 von Infinion

Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.7V FF1200r17ke3 von Infinion

840,00-1.058,00 $
5 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.3kv 40A 107.5X45mm Fp40r12kt3 von Infinion

Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1.3kv 40A 107.5X45mm Fp40r12kt3 von Infinion

45,00-52,00 $
10 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1200V 75A FF75r12rt4 von Infinion

Diskrete Halbleiter Leistungs-N-Typ IGBT-Modul 1200V 75A FF75r12rt4 von Infinion

17,35-21,45 $
10 Stücke(MOQ)
Neue originale elektronische Bauelemente diskrete Halbleitertransistoren Bla9h0912L-1200p

Neue originale elektronische Bauelemente diskrete Halbleitertransistoren Bla9h0912L-1200p

437,62 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Dgz50n65cth2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Halbleiter für Leistungsanwendungen

Dgz50n65cth2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Halbleiter für Leistungsanwendungen

2,02 $
1.080 Stücke(MOQ)
Dgw50n65cts2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Transistor Hochleistungs-Halbleiter to-247

Dgw50n65cts2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Transistor Hochleistungs-Halbleiter to-247

2,09 $
1.000 Stücke(MOQ)
Dgp15n65ctl0 IGBT-Transistor Hochleistungs 650V 15A Diskret in to-220 Gehäuse

Dgp15n65ctl0 IGBT-Transistor Hochleistungs 650V 15A Diskret in to-220 Gehäuse

0,52 $
1.000 Stücke(MOQ)
Mg50hf12tfc1 IGBT-Modul 1200V 50A RoHS-konformer Halbleiter von hoher Qualität

Mg50hf12tfc1 IGBT-Modul 1200V 50A RoHS-konformer Halbleiter von hoher Qualität

16,53 $
1 Stück(MOQ)
1/4

GuangZhou Lighting Glass CO., LTD.

9 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Corning Willow Glass Wafer Verarbeitung φ 150mm Halbleitergerät Paket Gyroskop 1.0

Corning Willow Glass Wafer Verarbeitung φ 150mm Halbleitergerät Paket Gyroskop 1.0

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
Bf33 Glaswafer hohe Präzision flach geringe Verformung hohe Temperatur geringe Ausdehnung

Bf33 Glaswafer hohe Präzision flach geringe Verformung hohe Temperatur geringe Ausdehnung

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
Niedrigexpansions-Eagle-Xg-Ausrüstungsubstratkomponente Substrat φ 50mm Glas

Niedrigexpansions-Eagle-Xg-Ausrüstungsubstratkomponente Substrat φ 50mm Glas

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
Eagle-Xg Glasplattenverarbeitung Moems Herstellung 2.0mm Gyroskopsensor 8"

Eagle-Xg Glasplattenverarbeitung Moems Herstellung 2.0mm Gyroskopsensor 8"

5,00 $
50 Stücke(MOQ)
1/4

CTC Technology Co., Ltd.

20 J.
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Halbleiterhersteller 7A 600V N-Kanal Transistor Mosfet

Halbleiterhersteller 7A 600V N-Kanal Transistor Mosfet

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-N-Kanal 1A 600V Leistungsmosfet-Transistor

Hochspannungs-N-Kanal 1A 600V Leistungsmosfet-Transistor

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Hersteller 4A 600V SVF4N60 Kunststoffsiegel N-Kanal Transistor ST MCU

Hersteller 4A 600V SVF4N60 Kunststoffsiegel N-Kanal Transistor ST MCU

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
Hersteller 3A 800V TO-220 Transistor DIP Kunststoffgehäuse N-Kanal MOSFET

Hersteller 3A 800V TO-220 Transistor DIP Kunststoffgehäuse N-Kanal MOSFET

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Changchun Yutai Optics Co., Ltd.

11 J.·5.0
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Yutai China Hersteller 2"/4"/6"/8"/12" Ssp/DSP 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Halbleiter

Yutai China Hersteller 2"/4"/6"/8"/12" Ssp/DSP 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Halbleiter

12,50-43,00 $
25 Stücke(MOQ)
6" Siliziumscheibe Dicke 675um P-Typ #190128

6" Siliziumscheibe Dicke 675um P-Typ #190128

29,00-30,00 $
25 Stücke(MOQ)
Primäre Dummy-Qualität 2"/4"/6"/8"/12" 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Testwerkzeuge

Primäre Dummy-Qualität 2"/4"/6"/8"/12" 100/110/111 N/P-Typ Silizium-Wafer Si-Wafer für Testwerkzeuge

10,80-39,80 $
25 Stücke(MOQ)
D25-D300mm Siliziumblanks Ingots Rund Quadrat CZ P/N Typ Silizium-Ingots

D25-D300mm Siliziumblanks Ingots Rund Quadrat CZ P/N Typ Silizium-Ingots

50,00-600,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Ucreate PCB Co., Ltd.

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Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Thyristoren

Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Thyristoren

0,20-0,50 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren

Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren

0,20-0,50 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronische Bauelemente Halbleiterdioden und Gleichrichter

Elektronische Bauelemente Halbleiterdioden und Gleichrichter

0,60-1,00 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Chongqing Shuangyi Precision Electronics Co., Ltd

8 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Halbleiterdiskrete Bauelemente (SVD) für verschiedene Geräte - Ladegerät, Roboter, Sound, LED-Beleuchtung, Halbleiter

Halbleiterdiskrete Bauelemente (SVD) für verschiedene Geräte - Ladegerät, Roboter, Sound, LED-Beleuchtung, Halbleiter

6,00 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Primustron Electronics

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Elektronikkomponenten Großhandel diskrete Halbleiter Bom-Bestückung

Elektronikkomponenten Großhandel diskrete Halbleiter Bom-Bestückung

5,00-500,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Ningbo Shuangshen Electronics Co., Ltd

8 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Maßgeschneidertes Hochpräzisions-IGBT-Modul: Entwickelt für Geräte zur Halbleiterfertigung

Maßgeschneidertes Hochpräzisions-IGBT-Modul: Entwickelt für Geräte zur Halbleiterfertigung

21,00-28,00 $
20 Stücke(MOQ)
Ultra zuverlässige IGBT-Leistungshalbleiter maßgeschneidert für industrielle Wechselrichter

Ultra zuverlässige IGBT-Leistungshalbleiter maßgeschneidert für industrielle Wechselrichter

0,50-80,00 $
1 Stück(MOQ)
Maßgeschneiderte IGBT-Modul: Kompatibilität mit breiten Bandlücken für nächste Generation industrieller Antriebe

Maßgeschneiderte IGBT-Modul: Kompatibilität mit breiten Bandlücken für nächste Generation industrieller Antriebe

10,00-35,00 $
1 Stück(MOQ)
Neue und originale IGBT-Transistoren / Module Skm150GB12t4

Neue und originale IGBT-Transistoren / Module Skm150GB12t4

20,00-50,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

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MOSFET Irlml6401trpbf-VB Irlml2244trpbf-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

MOSFET Irlml6401trpbf-VB Irlml2244trpbf-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

0,032 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Ssm3j327r-VB Bss308PE-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

MOSFET Ssm3j327r-VB Bss308PE-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

0,032 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Ntgd3148nt1g-VB SOT23-6 Doppel-N-Kanal-Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

MOSFET Ntgd3148nt1g-VB SOT23-6 Doppel-N-Kanal-Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

0,105 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Ssm3j36fs-VB SC75-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Ssm3j36fs-VB SC75-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,066 $
1.000 Stücke(MOQ)

Xinhan Electronic Studio

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Diskreter Halbleiter Für Transistoren

Diskreter Halbleiter Für Transistoren

Verhandelbar
6.000 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter

Diskrete Halbleiter

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiterdiode

Diskrete Halbleiterdiode

Verhandelbar
6.000 Stücke(MOQ)
Diskrete Halbleiter

Diskrete Halbleiter

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

0,01-0,20 $
5.000 Stücke(MOQ)
Isolierter Gate-Bipolartransistor IGBT G40n120d to-247

Isolierter Gate-Bipolartransistor IGBT G40n120d to-247

Verhandelbar
1.800 Stücke(MOQ)
180A 100V N-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Dhs025n10u Toll Paket

180A 100V N-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Dhs025n10u Toll Paket

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
63A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh132n06 to-220c

63A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh132n06 to-220c

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

11 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Heiß verkaufende Leistungsgleichrichterdioden Stud-Diode für 1200V Do-5 60hf120

Heiß verkaufende Leistungsgleichrichterdioden Stud-Diode für 1200V Do-5 60hf120

1,35-1,50 $
1 Stück(MOQ)
10ria120 Stud Gleichrichterdiode 10ria 16ria 25ria 1200V To48 Phasensteuerung Thyristor Stud Montagediode Gleichrichter

10ria120 Stud Gleichrichterdiode 10ria 16ria 25ria 1200V To48 Phasensteuerung Thyristor Stud Montagediode Gleichrichter

2,00-99,00 $
1 Stück(MOQ)
40hf120 / 40hfr120 Stud Gleichrichterdiode - Mittel-Hoch Rückgewinnung, Silizium Leistungdiode (Hohe Qualität)

40hf120 / 40hfr120 Stud Gleichrichterdiode - Mittel-Hoch Rückgewinnung, Silizium Leistungdiode (Hohe Qualität)

1,35-1,50 $
1 Stück(MOQ)
Mtt570 Thyristormodul 570A 1600V Dual-Thyristor-Typ Äquivalent zur Mtt-Serie für Gleichstrom- und Wechselstromkreise

Mtt570 Thyristormodul 570A 1600V Dual-Thyristor-Typ Äquivalent zur Mtt-Serie für Gleichstrom- und Wechselstromkreise

67,50-75,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Kangtai Songlong Electronic Technology Co., Ltd.

15 J.
·Hersteller/Werk
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3000W Axial geführte Transienten-Spannungsunterdrücker 3kp Flaches Gehäuse

3000W Axial geführte Transienten-Spannungsunterdrücker 3kp Flaches Gehäuse

0,17 $
1.000 Stücke(MOQ)
400W Oberflächenmontage-Transientspannungsunterdrücker Tvs Smaf mit flachem Gehäuse

400W Oberflächenmontage-Transientspannungsunterdrücker Tvs Smaf mit flachem Gehäuse

0,018 $
1.000 Stücke(MOQ)
1500W Oberflächenmontage-Transientspannungsschutzdioden Tvs Smcj für Datenleitungen

1500W Oberflächenmontage-Transientspannungsschutzdioden Tvs Smcj für Datenleitungen

0,058 $
1.000 Stücke(MOQ)
400W Axial geführte Transienten-Spannungsunterdrücker P4ke Aus Lager geliefert

400W Axial geführte Transienten-Spannungsunterdrücker P4ke Aus Lager geliefert

0,018 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

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P-Kanal-Mosfet von Infineon Elektronikkomponenten Agent von Irlml9301trpbf Irf7240trpbf Irfb4115pbf Irf4905strlpbf

P-Kanal-Mosfet von Infineon Elektronikkomponenten Agent von Irlml9301trpbf Irf7240trpbf Irfb4115pbf Irf4905strlpbf

0,01-0,05 $
1.000 Stücke(MOQ)
Original-Diodenmodul von Ixys diskreten Halbleiterdioden Dss2X101-015A

Original-Diodenmodul von Ixys diskreten Halbleiterdioden Dss2X101-015A

0,10-0,25 $
100 Stücke(MOQ)
S1226-18bk Hamamatsu diskrete Silizium-Photodiode Original

S1226-18bk Hamamatsu diskrete Silizium-Photodiode Original

0,90-9.999,00 $
1 Stück(MOQ)
Original elektronische Anschlüsse von Jst B4b-pH-H-S B3b-pH-K-S B2b-pH-H-S B24b-Phdss B14b-Phdss B14b-Padss-1f

Original elektronische Anschlüsse von Jst B4b-pH-H-S B3b-pH-K-S B2b-pH-H-S B24b-Phdss B14b-Phdss B14b-Padss-1f

0,10-0,25 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd

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Halbleiterchip (2N3773)

Halbleiterchip (2N3773)

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
Halbleiterchip (2N3055, 2N3055HV)

Halbleiterchip (2N3055, 2N3055HV)

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
Metallgehäuse für Halbleiter

Metallgehäuse für Halbleiter

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
TO-18-Header und CAN

TO-18-Header und CAN

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)

Abis Circuits Co., Ltd.

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Angepasste Multilayer-PCB-Leiterplatte 6 Schichten PCB elektronische Leiterplatten für intelligente Elektronik hochpräzise Multilayer-PCB

Angepasste Multilayer-PCB-Leiterplatte 6 Schichten PCB elektronische Leiterplatten für intelligente Elektronik hochpräzise Multilayer-PCB

1,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
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IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

925,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/100A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER Anwendungen GD100HFY120C1S

IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/100A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER Anwendungen GD100HFY120C1S

135,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/300A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER-Anwendungen GD300HFX120C2S

IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/300A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER-Anwendungen GD300HFX120C2S

330,00 $
1 Stück(MOQ)
WMK10N60C4 TO-220 WAYON 600V Super Junction Leistungs-Mosfet

WMK10N60C4 TO-220 WAYON 600V Super Junction Leistungs-Mosfet

0,018-0,02 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Qiyi Semiconductor Co., Ltd.

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Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 1510 15A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 1510 15A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

2,99 $
1 Stück(MOQ)
Shanghai Qiyi Halbleiter Brückengleichrichter KBPC 5010 50A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Halbleiter Brückengleichrichter KBPC 5010 50A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

4,99 $
1 Stück(MOQ)
Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2010 20A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2010 20A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

3,96 $
1 Stück(MOQ)
Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2510 25A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

Shanghai Qiyi Semiconductors Bridge Rectifier KBPC 2510 25A1000V Gleichrichterdiode Stromversorgung

3,99 $
1 Stück(MOQ)

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

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MOSFET Ssm3j36fs-VB SC75-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Ssm3j36fs-VB SC75-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,066 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Irlr9343trpbf-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Irlr9343trpbf-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,315 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Si2302ds-T1-GE3-VB SOT23-3 N-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Si2302ds-T1-GE3-VB SOT23-3 N-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,032 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Bsp170p-VB Sot-223 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

MOSFET Bsp170p-VB Sot-223 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

0,265 $
1.000 Stücke(MOQ)

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

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Jiaen Semiconductor IGBT-Modul – hochzuverlässiges Leistungsschaltergerät

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14,00 $
500 Stücke(MOQ)
Jiaen Semiconductor Ipm (Intelligent Power Module) – Integrierte Leistungslösung

Jiaen Semiconductor Ipm (Intelligent Power Module) – Integrierte Leistungslösung

2,24-3,01 $
1.000 Stücke(MOQ)
1200V 75A IGBT Discrete Insulated Gate Bipolar Transistor Jng75t120lcs1

1200V 75A IGBT Discrete Insulated Gate Bipolar Transistor Jng75t120lcs1

500,00 $
500 Stücke(MOQ)
IGBT-Modul geeignet für VFD (Frequenzumrichter), Photovoltaik, Energiespeicher

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500,00 $
500 Stücke(MOQ)

Paulette Electronics Co., Ltd.

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Fernsehapparate 1.5KE Semiconductor

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Verhandelbar
500 Stücke(MOQ)
Fernsehapparat-Diode SM8S

Fernsehapparat-Diode SM8S

Verhandelbar
500 Stücke(MOQ)
ESD PL0524P

ESD PL0524P

Verhandelbar
3.000 Stücke(MOQ)
Gas-Einleitung-Gefäß 1812

Gas-Einleitung-Gefäß 1812

Verhandelbar
2.500 Stücke(MOQ)

Shenzhen Silver Technologies Ltd

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Keramische Kapillare für Silberdrahtbonding

Keramische Kapillare für Silberdrahtbonding

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
Keramische Kapillare für Kupferdrahtbonding

Keramische Kapillare für Kupferdrahtbonding

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
Keramische Kapillare für 0.025mm Legierungsdrahtbonding

Keramische Kapillare für 0.025mm Legierungsdrahtbonding

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
Präzisionskeramikkapillare für Drahtbonding Zirkonia-Kapillare

Präzisionskeramikkapillare für Drahtbonding Zirkonia-Kapillare

4,00-5,00 $
100 branch(MOQ)
1/4

Jilin Magic Semiconductor Co., Ltd

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Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (PMOS1)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (PMOS1)

Verhandelbar
Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS5)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS5)

Verhandelbar
Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS3)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS3)

Verhandelbar
Schottky-Gleichrichter (SBLS0245CAG/sag)

Schottky-Gleichrichter (SBLS0245CAG/sag)

Verhandelbar
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