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20V/4.5A 33mΩ CES2312 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

0,10-0,12 $

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100V/150A 3.2mΩ RUH1H150R N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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MD17HTC75p6hel 750V 1.70MΩ 6 in einem Paket Sic Mosfet Modul Hochleistungs-Transistor

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MD17HTC75p6hel 750V 1.70MΩ 6 in einem Paket Sic Mosfet Modul Hochleistungs-Transistor

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MD17HTC75p6hel 750V 1.70MΩ 6 in einem Paket Sic Mosfet Modul Hochleistungs-Transistor

50,00 $

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40V/120A 2.7mΩ Ru40120m Professioneller Transistor Großhandel Mosfet

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40V/120A 2.7mΩ Ru40120m Professioneller Transistor Großhandel Mosfet

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Dgw75n65cts2a IGBT Discrete 650V 75A Transistor to-247 mit RoHS-konform

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1,927 $

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Fabrikpreis Sql1016 3 Phase 10 AMP Brückengleichrichter

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Fabrikpreis Sql1016 3 Phase 10 AMP Brückengleichrichter

1,00-20,00 $

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Großhandelspreis Sot-323 Kunststoff-verkapselter Schalt-Diode Bas19W/Bas20W/Bas21W

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Fabrikdirekte Halbleitergeräte-Herstellungsanlagen MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor

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11,00-18,00 $

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200MW Leistungsdissipation schneller Schalt-Diode 1n4148ws Gehäuse SOD-323

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200MW Leistungsdissipation schneller Schalt-Diode 1n4148ws Gehäuse SOD-323

200MW Leistungsdissipation schneller Schalt-Diode 1n4148ws Gehäuse SOD-323

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200MW Leistungsdissipation schneller Schalt-Diode 1n4148ws Gehäuse SOD-323

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75V/70A 9mΩ Ru7570L N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

75V/70A 9mΩ Ru7570L N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

75V/70A 9mΩ Ru7570L N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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75V/70A 9mΩ Ru7570L N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

0,272 $

2.500 Stücke (MOQ)

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Dgw60n65bth IGBT-Röhre 650V 60A Transistorbauteil to-247 Neuankömmling

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Dgw60n65bth IGBT-Röhre 650V 60A Transistorbauteil to-247 Neuankömmling

2,15 $

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IGBT-Module FS-Technologie niedrige Schaltverluste IC 150A VCES 1200V Merkmale Anwendungen JT150N120F2MA1E

IGBT-Module FS-Technologie niedrige Schaltverluste IC 150A VCES 1200V Merkmale Anwendungen JT150N120F2MA1E

IGBT-Module FS-Technologie niedrige Schaltverluste IC 150A VCES 1200V Merkmale Anwendungen JT150N120F2MA1E

IGBT-Module FS-Technologie niedrige Schaltverluste IC 150A VCES 1200V Merkmale Anwendungen JT150N120F2MA1E

IGBT-Module FS-Technologie niedrige Schaltverluste IC 150A VCES 1200V Merkmale Anwendungen JT150N120F2MA1E

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0,13-1,28 $

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Phasensteuerthyristor Y50kpe 1200A (1100V - 1800V) Techsem Ersatz

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Phasensteuerthyristor Y50kpe 1200A (1100V - 1800V) Techsem Ersatz

Phasensteuerthyristor Y50kpe 1200A (1100V - 1800V) Techsem Ersatz

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Phasensteuerthyristor Y50kpe 1200A (1100V - 1800V) Techsem Ersatz

2,00-99,00 $

1 Stück (MOQ)

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Dgw25n120ctl IGBT Diskret RoHS-konform 1200V 25A zu 247 Elektronenröhre

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Dgw25n120ctl IGBT Diskret RoHS-konform 1200V 25A zu 247 Elektronenröhre

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Dgw25n120ctl IGBT Diskret RoHS-konform 1200V 25A zu 247 Elektronenröhre

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Dgw25n120ctl IGBT Diskret RoHS-konform 1200V 25A zu 247 Elektronenröhre

2,30 $

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1200V N-Kanal MOSFET, 160mΩ/20A/15V, TO-263-7, ASC20N1200MT7PB

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1200V N-Kanal MOSFET, 160mΩ/20A/15V, TO-263-7, ASC20N1200MT7PB

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Dgw50n65cth2a IGBT Diskret to-247 650V 50A Transistor Original und Neu

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2,09 $

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1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, EasyPACK, ASC300N1200MEP2B

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1.000 Stücke (MOQ)

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60V/50A 10mΩ RU6050L TO-252 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

60V/50A 10mΩ RU6050L TO-252 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

60V/50A 10mΩ RU6050L TO-252 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=90A Merkmale Anwendungen MT90C16T1D

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=90A Merkmale Anwendungen MT90C16T1D

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=90A Merkmale Anwendungen MT90C16T1D

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=90A Merkmale Anwendungen MT90C16T1D

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=90A Merkmale Anwendungen MT90C16T1D

Thyristormodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=90A Merkmale Anwendungen MT90C16T1D

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10,37 $

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80V/80A 7mΩ RU7588R Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

80V/80A 7mΩ RU7588R Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

80V/80A 7mΩ RU7588R Professioneller Transistor Großhandel Fortschrittliche Leistung

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2.500 Stücke (MOQ)

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40V/120A 3.5mΩ Ru40120R N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

40V/120A 3.5mΩ Ru40120R N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

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1.000 Stücke (MOQ)

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35A, 600V Bleidiode Arl356

35A, 600V Bleidiode Arl356

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Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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IGBT Integrierter SCR Thyristor Leistungthyristor mit doppelseitiger Kühlung Hochleistungs-Halbleiterkapsel Gto 2500V Hochspannung Hochstrom Kp Keramikhyristor

IGBT Integrierter SCR Thyristor Leistungthyristor mit doppelseitiger Kühlung Hochleistungs-Halbleiterkapsel Gto 2500V Hochspannung Hochstrom Kp Keramikhyristor

IGBT Integrierter SCR Thyristor Leistungthyristor mit doppelseitiger Kühlung Hochleistungs-Halbleiterkapsel Gto 2500V Hochspannung Hochstrom Kp Keramikhyristor

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Bi-direktionale Tvs Ptvs65ca Transientspannungsunterdrückungsdiode-Gehäuse PT01 15000A

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