Elektronik Transistor Intrinsisches Halbleitermaterial Gleichrichterdiodenmodul 2026 Produktliste

Gleichrichterdiodenmodul

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IGBT-Module VCES-1200V IC-150A Niedrige Induktivität Hohe Kurzschluss capability(10us) Merkmale Anwendungen MG150HF12TLC1-1

IGBT-Module VCES-1200V IC-150A Niedrige Induktivität Hohe Kurzschluss capability(10us) Merkmale Anwendungen MG150HF12TLC1-1

IGBT-Module VCES-1200V IC-150A Niedrige Induktivität Hohe Kurzschluss capability(10us) Merkmale Anwendungen MG150HF12TLC1-1

IGBT-Module VCES-1200V IC-150A Niedrige Induktivität Hohe Kurzschluss capability(10us) Merkmale Anwendungen MG150HF12TLC1-1

IGBT-Module VCES-1200V IC-150A Niedrige Induktivität Hohe Kurzschluss capability(10us) Merkmale Anwendungen MG150HF12TLC1-1

IGBT-Module VCES-1200V IC-150A Niedrige Induktivität Hohe Kurzschluss capability(10us) Merkmale Anwendungen MG150HF12TLC1-1

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IGBT-Module VCES-1200V IC-150A Niedrige Induktivität Hohe Kurzschluss capability(10us) Merkmale Anwendungen MG150HF12TLC1-1

195,00 $

1.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Anwendung: Automobil

Zertifizierung: RoHS

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: mr

Oberflächenmontage Hochstrom-SCR-Thyristor mit doppelseitiger Kühlung zur Temperaturkontrolle

Oberflächenmontage Hochstrom-SCR-Thyristor mit doppelseitiger Kühlung zur Temperaturkontrolle

Oberflächenmontage Hochstrom-SCR-Thyristor mit doppelseitiger Kühlung zur Temperaturkontrolle

Oberflächenmontage Hochstrom-SCR-Thyristor mit doppelseitiger Kühlung zur Temperaturkontrolle

Oberflächenmontage Hochstrom-SCR-Thyristor mit doppelseitiger Kühlung zur Temperaturkontrolle

Oberflächenmontage Hochstrom-SCR-Thyristor mit doppelseitiger Kühlung zur Temperaturkontrolle

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Oberflächenmontage Hochstrom-SCR-Thyristor mit doppelseitiger Kühlung zur Temperaturkontrolle

8,00-15,00 $

1 Stück (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Anwendung: Leistungselektronische Bauteile,Temperaturmessung

Zertifizierung: CE

Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät

Material: Verbindungshalbleiter

Verpackung: Karton

Standard: 490 * 330 * 200 Verpackungsgröße

35A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc35m

35A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc35m

35A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc35m

35A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc35m

35A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc35m

35A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc35m

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35A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc35m

1,00 $

1.000 Stücke (MOQ)

Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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Anwendung: Diode,Kühlschrank

Fertigungstechnologie: Optoelektronisches Halbleitergerät

Material: Verbindungshalbleiter

Signalverarbeitung: Digital

Typisieren: Intrinsisches Halbleitermaterial

Verpackung: Masse

Doppelseitiger Kühl-SCR-Thyristor von Powerpassion für hohe Ströme und Hochspannungssteuerung

Doppelseitiger Kühl-SCR-Thyristor von Powerpassion für hohe Ströme und Hochspannungssteuerung

Doppelseitiger Kühl-SCR-Thyristor von Powerpassion für hohe Ströme und Hochspannungssteuerung

Doppelseitiger Kühl-SCR-Thyristor von Powerpassion für hohe Ströme und Hochspannungssteuerung

Doppelseitiger Kühl-SCR-Thyristor von Powerpassion für hohe Ströme und Hochspannungssteuerung

Doppelseitiger Kühl-SCR-Thyristor von Powerpassion für hohe Ströme und Hochspannungssteuerung

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Doppelseitiger Kühl-SCR-Thyristor von Powerpassion für hohe Ströme und Hochspannungssteuerung

8,00-15,00 $

1 Stück (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Anwendung: Leistungselektronische Bauteile,Temperaturmessung

Zertifizierung: CE

Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät

Material: Verbindungshalbleiter

Verpackung: Karton

Standard: 490 * 330 * 200 Verpackungsgröße

Montagebasis Brücke Mdq500A Gleichrichtermodul 500A Vollwellengleichrichter

Montagebasis Brücke Mdq500A Gleichrichtermodul 500A Vollwellengleichrichter

Montagebasis Brücke Mdq500A Gleichrichtermodul 500A Vollwellengleichrichter

Montagebasis Brücke Mdq500A Gleichrichtermodul 500A Vollwellengleichrichter

Montagebasis Brücke Mdq500A Gleichrichtermodul 500A Vollwellengleichrichter

Montagebasis Brücke Mdq500A Gleichrichtermodul 500A Vollwellengleichrichter

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CE zertifiziert

gültig seit 2022-10-25

(aktuellen status beim herausgeber erfragen)

Montagebasis Brücke Mdq500A Gleichrichtermodul 500A Vollwellengleichrichter

48,57-57,14 $

1 Stück (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

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Kühlungsmethode: Lüfterkühlung,Heatsink Kühlung,Natürliche Kühlung

Ausgangsfrequenz: 50Hz,60Hz

Ausgangsspannung: 24V

Verpackung: Karton/Palette

Standard: MDQ500A1600V

Warenzeichen: Aigodele

China Fabrik Powerpassion Hochstrom-Thyristor SCR mit fortschrittlichem Kühldesign

China Fabrik Powerpassion Hochstrom-Thyristor SCR mit fortschrittlichem Kühldesign

China Fabrik Powerpassion Hochstrom-Thyristor SCR mit fortschrittlichem Kühldesign

China Fabrik Powerpassion Hochstrom-Thyristor SCR mit fortschrittlichem Kühldesign

China Fabrik Powerpassion Hochstrom-Thyristor SCR mit fortschrittlichem Kühldesign

China Fabrik Powerpassion Hochstrom-Thyristor SCR mit fortschrittlichem Kühldesign

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China Fabrik Powerpassion Hochstrom-Thyristor SCR mit fortschrittlichem Kühldesign

8,00-15,00 $

1 Stück (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Anwendung: Leistungselektronische Bauteile,Temperaturmessung

Zertifizierung: CE

Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät

Material: Verbindungshalbleiter

Verpackung: Karton

Standard: 490 * 330 * 200 Verpackungsgröße

1200V 600A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI600B12E6K4_D2

1200V 600A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI600B12E6K4_D2

1200V 600A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI600B12E6K4_D2

1200V 600A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI600B12E6K4_D2

1200V 600A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI600B12E6K4_D2

1200V 600A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI600B12E6K4_D2

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1200V 600A IGBT-Modul, E6 Gehäuse, mit FWD und NTC Hohe Kurzschlussfähigkeit Niedrige Schaltverluste NI600B12E6K4_D2

60,50-82,50 $

1.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Struktur: planar

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: nari-geiri

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75V/70A 9mΩ Ru7570L N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

0,272 $

2.500 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC

Gestalten: GT

Abschirmungstyp: Remote-Cut-Off-Schlauch Abschirmung

Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr

Funktion: Hohe Gegendruck Transistor,Mikrowelle Transistor,Schalttransistor

Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz

Boost Chopper SiC MOSFET 1200V - 55A vollständiges Siliziumkarbid-Leistungsmodul Stabiles Temperaturverhalten Eigenschaften Anwendungen MSC40SM120JCU2

Boost Chopper SiC MOSFET 1200V - 55A vollständiges Siliziumkarbid-Leistungsmodul Stabiles Temperaturverhalten Eigenschaften Anwendungen MSC40SM120JCU2

Boost Chopper SiC MOSFET 1200V - 55A vollständiges Siliziumkarbid-Leistungsmodul Stabiles Temperaturverhalten Eigenschaften Anwendungen MSC40SM120JCU2

Boost Chopper SiC MOSFET 1200V - 55A vollständiges Siliziumkarbid-Leistungsmodul Stabiles Temperaturverhalten Eigenschaften Anwendungen MSC40SM120JCU2

Boost Chopper SiC MOSFET 1200V - 55A vollständiges Siliziumkarbid-Leistungsmodul Stabiles Temperaturverhalten Eigenschaften Anwendungen MSC40SM120JCU2

Boost Chopper SiC MOSFET 1200V - 55A vollständiges Siliziumkarbid-Leistungsmodul Stabiles Temperaturverhalten Eigenschaften Anwendungen MSC40SM120JCU2

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Boost Chopper SiC MOSFET 1200V - 55A vollständiges Siliziumkarbid-Leistungsmodul Stabiles Temperaturverhalten Eigenschaften Anwendungen MSC40SM120JCU2

71,00 $

1.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Funktion: Schalttransistor

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: frohe

Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

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Fabrikverkauf von Fertigungsgeräten MFC100A IGBT-Leistungsmodul SCR-Thyristor Halbleiterbauelement SCR-Thyristor

11,00-18,00 $

1 Stück (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Anwendung: Leistungselektronische Bauteile,Temperaturmessung

Chargennummer: 2023+

Zertifizierung: CE

Signalverarbeitung: Digital

Verpackung: Kunststoff

Standard: 400*300*200

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100V/100A 3.9mΩ DG100N02Q N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

0,30-0,33 $

3.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC

Gestalten: GT

Abschirmungstyp: Remote-Cut-Off-Schlauch Abschirmung

Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr

Funktion: Hohe Gegendruck Transistor,Mikrowelle Transistor,Schalttransistor

Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz

1200V N-Kanal MOSFET, 160mΩ/20A/15V, PDFN8*8, ASR160N1200MD88PB

1200V N-Kanal MOSFET, 160mΩ/20A/15V, PDFN8*8, ASR160N1200MD88PB

1200V N-Kanal MOSFET, 160mΩ/20A/15V, PDFN8*8, ASR160N1200MD88PB

1200V N-Kanal MOSFET, 160mΩ/20A/15V, PDFN8*8, ASR160N1200MD88PB

1200V N-Kanal MOSFET, 160mΩ/20A/15V, PDFN8*8, ASR160N1200MD88PB

1200V N-Kanal MOSFET, 160mΩ/20A/15V, PDFN8*8, ASR160N1200MD88PB

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1200V N-Kanal MOSFET, 160mΩ/20A/15V, PDFN8*8, ASR160N1200MD88PB

0,86 $

1.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Funktion: Schalttransistor

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: mr

Brückengleichrichter, 2.0A, 50-1000V, 2W04, 2W10

Brückengleichrichter, 2.0A, 50-1000V, 2W04, 2W10

Brückengleichrichter, 2.0A, 50-1000V, 2W04, 2W10

Brückengleichrichter, 2.0A, 50-1000V, 2W04, 2W10

Brückengleichrichter, 2.0A, 50-1000V, 2W04, 2W10

Brückengleichrichter, 2.0A, 50-1000V, 2W04, 2W10

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Brückengleichrichter, 2.0A, 50-1000V, 2W04, 2W10

1,00 $

1.000 Stücke (MOQ)

Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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Verpackung: Masse

Standard: rohs

Warenzeichen: sy

Herkunft: Shanghai

HS-Code: 85411000

Produktionskapazität: 10kk/Mund

Zhendi China Anbieter Kp 500A-1000A/ 1800V Schnelles Schalten Phasensteuerung Hochstromkapsel Hochspannungsleistungssteuerung Scheibenkermikondensator Typ SCR Thyristor

Zhendi China Anbieter Kp 500A-1000A/ 1800V Schnelles Schalten Phasensteuerung Hochstromkapsel Hochspannungsleistungssteuerung Scheibenkermikondensator Typ SCR Thyristor

Zhendi China Anbieter Kp 500A-1000A/ 1800V Schnelles Schalten Phasensteuerung Hochstromkapsel Hochspannungsleistungssteuerung Scheibenkermikondensator Typ SCR Thyristor

Zhendi China Anbieter Kp 500A-1000A/ 1800V Schnelles Schalten Phasensteuerung Hochstromkapsel Hochspannungsleistungssteuerung Scheibenkermikondensator Typ SCR Thyristor

Zhendi China Anbieter Kp 500A-1000A/ 1800V Schnelles Schalten Phasensteuerung Hochstromkapsel Hochspannungsleistungssteuerung Scheibenkermikondensator Typ SCR Thyristor

Zhendi China Anbieter Kp 500A-1000A/ 1800V Schnelles Schalten Phasensteuerung Hochstromkapsel Hochspannungsleistungssteuerung Scheibenkermikondensator Typ SCR Thyristor

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Zhendi China Anbieter Kp 500A-1000A/ 1800V Schnelles Schalten Phasensteuerung Hochstromkapsel Hochspannungsleistungssteuerung Scheibenkermikondensator Typ SCR Thyristor

8,00-15,00 $

1 Stück (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Anwendung: Leistungselektronische Bauteile,Temperaturmessung

Zertifizierung: CE

Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät

Material: Verbindungshalbleiter

Verpackung: Karton

Standard: 490 * 330 * 200 Verpackungsgröße

Heiße Aktion Rubycon Kappe 100UF 8X13 50V #50zlh100mefc8X11.5

Heiße Aktion Rubycon Kappe 100UF 8X13 50V #50zlh100mefc8X11.5

Heiße Aktion Rubycon Kappe 100UF 8X13 50V #50zlh100mefc8X11.5

Heiße Aktion Rubycon Kappe 100UF 8X13 50V #50zlh100mefc8X11.5

Heiße Aktion Rubycon Kappe 100UF 8X13 50V #50zlh100mefc8X11.5

Heiße Aktion Rubycon Kappe 100UF 8X13 50V #50zlh100mefc8X11.5

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Heiße Aktion Rubycon Kappe 100UF 8X13 50V #50zlh100mefc8X11.5

Verhandelbar

1 Stück (MOQ)

Simentor Electronic Limited

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Verpackung: Rolle

Standard: 2000/Karton

Warenzeichen: rubycon

Produktionskapazität: 1

50A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc50m

50A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc50m

50A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc50m

50A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc50m

50A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc50m

50A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc50m

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50A, 1000V, Soza Zelle Diode Sc50m

1,00 $

1.000 Stücke (MOQ)

Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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Anwendung: Diode,Kühlschrank

Fertigungstechnologie: Optoelektronisches Halbleitergerät

Material: Verbindungshalbleiter

Signalverarbeitung: Digital

Typisieren: Intrinsisches Halbleitermaterial

Verpackung: Masse

Thyristor-Modul VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=25A Merkmale Anwendungen MT25C12T1

Thyristor-Modul VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=25A Merkmale Anwendungen MT25C12T1

Thyristor-Modul VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=25A Merkmale Anwendungen MT25C12T1

Thyristor-Modul VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=25A Merkmale Anwendungen MT25C12T1

Thyristor-Modul VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=25A Merkmale Anwendungen MT25C12T1

Thyristor-Modul VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=25A Merkmale Anwendungen MT25C12T1

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Thyristor-Modul VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V ID=25A Merkmale Anwendungen MT25C12T1

9,80 $

8 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Funktion: Schalttransistor

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: mr

500MW SOD-123 Schnelle Schalt-Diode 1n4148W

500MW SOD-123 Schnelle Schalt-Diode 1n4148W

500MW SOD-123 Schnelle Schalt-Diode 1n4148W

500MW SOD-123 Schnelle Schalt-Diode 1n4148W

500MW SOD-123 Schnelle Schalt-Diode 1n4148W

500MW SOD-123 Schnelle Schalt-Diode 1n4148W

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500MW SOD-123 Schnelle Schalt-Diode 1n4148W

0,004 $

3.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Art: Gemeinsame Schaltdiode

Zertifizierung: RoHS,ISO,CE

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: 100V 150mA

Warenzeichen: Merryelc

Herkunft: Guangdong, China

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, EasyPACK, ASC300N1200MEP2B

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, EasyPACK, ASC300N1200MEP2B

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, EasyPACK, ASC300N1200MEP2B

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, EasyPACK, ASC300N1200MEP2B

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, EasyPACK, ASC300N1200MEP2B

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, EasyPACK, ASC300N1200MEP2B

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1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, EasyPACK, ASC300N1200MEP2B

0,88 $

1.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Funktion: Schalttransistor

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: mr

Glaspassivierte Chip-Junction-Brückengleichrichter D2ub05A bis D2ub100A Gehäuse D3K

Glaspassivierte Chip-Junction-Brückengleichrichter D2ub05A bis D2ub100A Gehäuse D3K

Glaspassivierte Chip-Junction-Brückengleichrichter D2ub05A bis D2ub100A Gehäuse D3K

Glaspassivierte Chip-Junction-Brückengleichrichter D2ub05A bis D2ub100A Gehäuse D3K

Glaspassivierte Chip-Junction-Brückengleichrichter D2ub05A bis D2ub100A Gehäuse D3K

Glaspassivierte Chip-Junction-Brückengleichrichter D2ub05A bis D2ub100A Gehäuse D3K

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Glaspassivierte Chip-Junction-Brückengleichrichter D2ub05A bis D2ub100A Gehäuse D3K

0,098 $

500 Stücke (MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC

Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr

Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz

Struktur: planar

Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor

Leistungspegel: Hohe Energie

Zhendi Lieferant Hochstrom-SCR-Thyristor von Powerpassion mit Oberflächenmontage-Typ

Zhendi Lieferant Hochstrom-SCR-Thyristor von Powerpassion mit Oberflächenmontage-Typ

Zhendi Lieferant Hochstrom-SCR-Thyristor von Powerpassion mit Oberflächenmontage-Typ

Zhendi Lieferant Hochstrom-SCR-Thyristor von Powerpassion mit Oberflächenmontage-Typ

Zhendi Lieferant Hochstrom-SCR-Thyristor von Powerpassion mit Oberflächenmontage-Typ

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Zhendi Lieferant Hochstrom-SCR-Thyristor von Powerpassion mit Oberflächenmontage-Typ

8,00-15,00 $

1 Stück (MOQ)

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Anwendung: Leistungselektronische Bauteile,Temperaturmessung

Zertifizierung: CE

Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät

Material: Verbindungshalbleiter

Verpackung: Karton

Standard: 490 * 330 * 200 Verpackungsgröße

Zhendi Lieferant Halbleiter Doppel-Seiten-Kühlung Hochstrom-SCR-Thyristor für Leistungsanwendungen

Zhendi Lieferant Halbleiter Doppel-Seiten-Kühlung Hochstrom-SCR-Thyristor für Leistungsanwendungen

Zhendi Lieferant Halbleiter Doppel-Seiten-Kühlung Hochstrom-SCR-Thyristor für Leistungsanwendungen

Zhendi Lieferant Halbleiter Doppel-Seiten-Kühlung Hochstrom-SCR-Thyristor für Leistungsanwendungen

Zhendi Lieferant Halbleiter Doppel-Seiten-Kühlung Hochstrom-SCR-Thyristor für Leistungsanwendungen

Zhendi Lieferant Halbleiter Doppel-Seiten-Kühlung Hochstrom-SCR-Thyristor für Leistungsanwendungen

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Zhendi Lieferant Halbleiter Doppel-Seiten-Kühlung Hochstrom-SCR-Thyristor für Leistungsanwendungen

8,00-15,00 $

1 Stück (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Anwendung: Leistungselektronische Bauteile,Temperaturmessung

Zertifizierung: CE

Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät

Material: Verbindungshalbleiter

Verpackung: Karton

Standard: 490 * 330 * 200 Verpackungsgröße

650V N-Kanal MOSFET, 60mΩ/30A/18V, TO-247-4, ASC30N650MT4

650V N-Kanal MOSFET, 60mΩ/30A/18V, TO-247-4, ASC30N650MT4

650V N-Kanal MOSFET, 60mΩ/30A/18V, TO-247-4, ASC30N650MT4

650V N-Kanal MOSFET, 60mΩ/30A/18V, TO-247-4, ASC30N650MT4

650V N-Kanal MOSFET, 60mΩ/30A/18V, TO-247-4, ASC30N650MT4

650V N-Kanal MOSFET, 60mΩ/30A/18V, TO-247-4, ASC30N650MT4

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650V N-Kanal MOSFET, 60mΩ/30A/18V, TO-247-4, ASC30N650MT4

0,71 $

1.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Funktion: Schalttransistor

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: mr

1700V N-Kanal MOSFET, 10000mΩ/1A/12V, TO-220F, ASC1N1700MF3PB

1700V N-Kanal MOSFET, 10000mΩ/1A/12V, TO-220F, ASC1N1700MF3PB

1700V N-Kanal MOSFET, 10000mΩ/1A/12V, TO-220F, ASC1N1700MF3PB

1700V N-Kanal MOSFET, 10000mΩ/1A/12V, TO-220F, ASC1N1700MF3PB

1700V N-Kanal MOSFET, 10000mΩ/1A/12V, TO-220F, ASC1N1700MF3PB

1700V N-Kanal MOSFET, 10000mΩ/1A/12V, TO-220F, ASC1N1700MF3PB

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1700V N-Kanal MOSFET, 10000mΩ/1A/12V, TO-220F, ASC1N1700MF3PB

0,92 $

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Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Funktion: Schalttransistor

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: mr

50A, 400V, Presspassdioden Bp504

50A, 400V, Presspassdioden Bp504

50A, 400V, Presspassdioden Bp504

50A, 400V, Presspassdioden Bp504

50A, 400V, Presspassdioden Bp504

50A, 400V, Presspassdioden Bp504

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50A, 400V, Presspassdioden Bp504

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Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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Anwendung: Diode,Kühlschrank

Zertifizierung: RoHS

Fertigungstechnologie: Optoelektronisches Halbleitergerät

Material: Verbindungshalbleiter

Signalverarbeitung: Digital

Typisieren: Intrinsisches Halbleitermaterial

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV/ITAV=110A Merkmale Anwendungen MT110CB18T1

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV/ITAV=110A Merkmale Anwendungen MT110CB18T1

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV/ITAV=110A Merkmale Anwendungen MT110CB18T1

Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV/ITAV=110A Merkmale Anwendungen MT110CB18T1

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Thyristor-Diodenmodule VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V bis 1900V IFAV/ITAV=110A Merkmale Anwendungen MT110CB18T1

18,45 $

10 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Funktion: Schalttransistor

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: mr

1200V/400A/1.2mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/1.2mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/1.2mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/1.2mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/1.2mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/1.2mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC400N1200MD3F

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Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Funktion: Schalttransistor

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: mr

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC300N1200MD3F

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC300N1200MD3F

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC300N1200MD3F

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC300N1200MD3F

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC300N1200MD3F

1200V/300A/5.7mΩ/18V SiC Mosfet Modul, DWC3, ASC300N1200MD3F

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0,95 $

1.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS

Funktion: Schalttransistor

Stoff: Silizium

Verpackung: Kunststoffgehäuse

Standard: Angepasst

Warenzeichen: mr

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

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Oberflächenmontage-SCR-Thyristor-Stromversorgung mit IGBT- und Dioden-Phasensteuerung SCR-Thyristor schnelles Ausschalten schnelles Schalten von siliziumgesteuerten Thyristoren

8,00-15,00 $

1 Stück (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Anwendung: Leistungselektronische Bauteile,Temperaturmessung

Zertifizierung: CE

Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät

Material: Verbindungshalbleiter

Verpackung: Karton

Standard: 490 * 330 * 200 Verpackungsgröße

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60V/230A 2.5mΩ Ru60200r N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

0,20-0,23 $

1.000 Stücke (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC

Gestalten: GT

Abschirmungstyp: Remote-Cut-Off-Schlauch Abschirmung

Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr

Funktion: Hohe Gegendruck Transistor,Mikrowelle Transistor,Schalttransistor

Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz

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