Schweißdiode

50,00-200,00 $ / Stück

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Was ist ein Hochzuverlässige Schweißdioden 5sdd71b0400 (Zp7100A400V)?

Name: Hochzuverlässige Schweißdioden 5sdd71b0400 (Zp7100A400V)
Uploaded: 2025-01-24T09:11:08+08:00
Description: Hochzuverlässige Schweißdioden 5SDD71B0400 (Zp7100A400V) Hohe Zuverlässigkeit in Schweißmaschine Sehr niedrige Spannung im Zustand „ein“ Sehr niedriger Wärmewiderstan

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Über diesen Artikel

Preis

Mindest. Befehl Referenz FOB Preis

5 Stücke 50,00-200,00 $ / Stück

Spezifizierungen

Anwendung Diode, Widerstandsschweißmaschine
Batch Nummer 2025+
Fertigungstechnologie Diskretes Gerät
Material Halbleiter-Element
Modell Zp7100a400v
Paket Gehäuse und housingless
Signalverarbeitung Analog Digital Composite und Funktion
Typisieren P-Typ Halbleiter
Verwendung Schweißen, Induktionsofen
Zuverlässigkeit Hoch
Farbe Weiß
Form Rund
Shell Keramik
Lieferzeit 3-7 Tage
Preislaufzeit FOB/cpt/cif
Marke Segelschiff
Transportpaket Karton abhängig von menge
Spezifikation 400*300*200
Warenzeichen Sailton/sti
Herkunft china

Produktbeschreibung

Hochzuverlässige Schweißdioden 5SDD71B0400 (Zp7100A400V) Hohe Zuverlässigkeit in Schweißmaschine Sehr niedrige Spannung im Zustand „ein“ Sehr niedriger Wärmewiderstand Bis ZU 2000Hz Hoher Strom bis zu 18000A Anwendung Für alle Arten von ...

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Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

Diamond-Mitglied Seit 2018

Geprüfter Lieferant

Bewertung & Rezensionen: 5.0/5.0

(23 Bewertungen)

Unternehmensart Handelsunternehmen
Hauptprodukte Thyristor, Wassergekühltes Stromkabel, Schweißdiode, Halbleiterbauelement, Hochspannungsschaltanlage
Gründungsjahr 2017-11-15
Zertifizierung des Managementsystems ISO 9001
Durchschnittliche Lieferzeit Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: Innerhalb von 15 Werktagen
Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Innerhalb von 15 Werktagen

Schweißdiode Vergleich

	Hochzuverlässige Schweißdioden 5sdd71b0400 (Zp7100A400V) Jetzt Kontaktieren	Schnellansicht Halbleiterwaferlieferant 8inch Siliziumoxidwafer Jetzt Kontaktieren	Schnellansicht Beste Qualität N-Typ Epi-Wafer Silizium Dummy-Wafer Jetzt Kontaktieren	Schnellansicht Hersteller Epi Wafer 6inch Siliziumoxid-Wafer Jetzt Kontaktieren	Schnellansicht Fabrikversorgung Si Wafer 12icnh Silizium Dummy-Wafer Jetzt Kontaktieren

Informationen zur Transaktion
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Preis	50,00-200,00 $/ Stück	36,00-41,00 $/ pc	10,00-100,00 $/ pc	43,00-48,00 $/ pc	10,00-100,00 $/ pc
Mindestbestellmenge	5 Stücke	100 pc	25 pc	100 pc	25 pc
Zahlungsbedingungen	L/C, T/T, Western Union, Paypal	T/T, Paypal	T/T, Paypal	T/T, Paypal	T/T, Paypal
Qualitätskontrolle
Zertifizierung des Managementsystems	ISO 9001	ISO 9001, ISO 29001	ISO 9001, ISO 29001	ISO 9001, ISO 29001	ISO 9001, ISO 29001
Handelskapazität
Exportmärkte	Nordamerika, Südamerika, Osteuropa, Südostasien, Afrika, Ostasien, Westeuropa	-	-	-	-
Jährliche Exporteinnahmen	10 Millionen US-Dollar - 50 Millionen US-Dollar	-	-	-	-
Geschäftsmodell	OEM, ODM, Eigenmarke(SAILTON)	-	-	-	-
Durchschnittliche Lieferzeit	Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Innerhalb von 15 Werktagen Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: Ein Monat	-	-	-	-
Produkteigenschaften
Spezifikation	Anwendung: Diode, Widerstandsschweißmaschine; Batch Nummer: 2025+; Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät; Material: Halbleiter-Element; Modell: Zp7100a400v; Paket: Gehäuse und housingless; Signalverarbeitung: Analog Digital Composite und Funktion; Typisieren: P-Typ Halbleiter; Verwendung: Schweißen, Induktionsofen; Zuverlässigkeit: Hoch; Farbe: Weiß; Form: Rund; Shell: Keramik; Lieferzeit: 3-7 Tage; Preislaufzeit: FOB/cpt/cif; Marke: Segelschiff;	Anwendung: Halbstandard; Material: Verbindungshalbleiter; Typisieren: P-Typ Halbleiter; Wachstumsmethode: cz; Kristallausrichtung: 100; Dotiermittel: Bor; Widerstand: 1 100Ω; Vorderseite: Poliert; Rückseite: Geätzt; Durchmesser: 150±0.3mm; Dicke: 675±25mm; Oxiddicke: 5000A; ttv: ≤10μm; Verformen: ≤30μm; Schleife: ≤30μm;	Anwendung: Halbstandard; Material: Verbindungshalbleiter; Typisieren: P-Typ Halbleiter; Wachstumsmethode: cz; Kristallausrichtung: 100; Dotiermittel: Bor; Widerstand: 1 100Ω; Vorderseite: Poliert; Kante: Poliert; Durchmesser: 300±0,2mm; Dicke: 775±25μm;	Anwendung: Halbstandard; Material: Verbindungshalbleiter; Typisieren: P-Typ Halbleiter; Wachstumsmethode: cz; Kristallausrichtung: 100; Dotiermittel: Bor; Widerstand: 1 100Ω; Vorderseite: Poliert; Rückseite: Geätzt; Durchmesser: 150±0.3mm; Dicke: 675±25mm; Oxiddicke: 10000A; ttv: ≤10μm; Verformen: ≤30μm; Schleife: ≤30μm;	Anwendung: Halbstandard; Material: Verbindungshalbleiter; Typisieren: P-Typ Halbleiter; Wachstumsmethode: cz; Kristallausrichtung: 100; Dotiermittel: Bor; Widerstand: 1 100Ω; Vorderseite: Poliert; Kante: Poliert; Durchmesser: 300±0,2mm; Dicke: 775±25μm;
Name des Lieferanten	Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.

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