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150 10µ C Betriebstemperatur bis S Kurzschlusstoleranz 1200V 40A FRD integrierte Ost40n120hmf to-247n Field Stop Graben IGBT

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Referenz FOB Preis
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0,1-0,6 $ / Stück | 1.000 Stücke (Mindest. Befehl)
Application: Solar Cell
Batch Number: 2022
Manufacturing Technology: Integrated Circuits Device
Material: Compound Semiconductor
Model: Orientalsemi
Package: DIP(Dual In-line Package)
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