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Optimiert für <1kHz Schaltanwendungen Ost40n120hmf 10µ S Kurzschlusstoleranz 1200V DC-1 kHz (Standard) Diskrete Automobil-IGBT
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Fertigungstechnik:
Integrated Circuits Geräte
Material:
Compound Semiconductor
Art:
N-Typ-Halbleiter
Paket:
DIP (Dualin-line Package)
Signalverarbeitung:
Simulation
Anwendung:
Solarzelle
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