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Transistorverbesserung sic Diode TO247 Ost80n65hewf Vces-650V maximale Anschlussstelle Temperature175, IC, Pulse-320A VCE (Sat) -1,45V QG-168nc N-Kanal Power IGBT
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(Mindest. Befehl)
Zertifizierung:
RoHS, ISO
Gestalten:
ST
Abschirmungstyp:
Sharp Cutoff Schirmungsrohr
Kühlungsmethode:
Luftgekühlte Rohr
Funktion:
Schalttransistor
Arbeitsfrequenz:
Hochfrequenz
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