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Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

Jiangsu, China
Unternehmensart:
Manufacturer/Factory & Trading Company
Hauptprodukte:
MOSFETs , Dioden , IGBT , Transistor , Thyristor , IC
Anzahl der Angestellten:
156
Gründungsjahr:
2004-12-07
Zertifizierung des Managementsystems:
ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949
Durchschnittliche Lieferzeit:
Peak Season Lead Time: 1-3 months
Off Season Lead Time: one month
OEM/ODM-Service
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China MOSFETs, Dioden, IGBT, Transistor, Thyristor, IC hersteller / lieferanten und bietet qualität 8A 650V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET F8n65 to-220f, 60A 300V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur6030nca bis 3p, 60A 200V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur6020nca bis 3PN und so weiter.

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Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd
Committed to becoming a leader in
POWER SEMICONDUCTOR
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd
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POWER SEMICONDUCTOR
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DIODE

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80A 400V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur80fu40DCT to-3p
80A 400V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur80fu40DCT to-3p
FOB Preis: 0,482 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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20A 100V Schottky-Barrier-Diode mit niedrigem VF Mbr20100CT bis-220
20A 100V Schottky-Barrier-Diode mit niedrigem VF Mbr20100CT bis-220
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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75A 1200V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur75120 bis-247-2L
75A 1200V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur75120 bis-247-2L
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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40A 100V Schottky-Barrier-Diode Mbr40100CT to-220
40A 100V Schottky-Barrier-Diode Mbr40100CT to-220
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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10A 200V Diode für schnelle Wiederherstellung D92-02b bis-3p **%aus
10A 200V Diode für schnelle Wiederherstellung D92-02b bis-3p **%aus
FOB Preis: 0,769-0,923 $ / Stück
Mindest. Befehl: 1.800 Stücke
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80A 300V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur80fu30bct to-247
80A 300V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur80fu30bct to-247
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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15A 1200V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur15fu120 to-220C-2L
15A 1200V Diode für schnelle Wiederherstellung Mur15fu120 to-220C-2L
FOB Preis: 0,252 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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40A 150V Schottky-Barrier-Diode Mbr40150CT to-263
40A 150V Schottky-Barrier-Diode Mbr40150CT to-263
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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MOSFET

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600V 12A N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET 12n60 bis-220
600V 12A N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET 12n60 bis-220
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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100A 68V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET Dh100n06f to-220
100A 68V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET Dh100n06f to-220
FOB Preis: 0,148 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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7A 650V N-Kanal-Super Junction Power-MOSFET Dhfsj7n65 to-220f
7A 650V N-Kanal-Super Junction Power-MOSFET Dhfsj7n65 to-220f
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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140A 90V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET Dh140n09 bis-220
140A 90V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET Dh140n09 bis-220
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Dhs020n85 to-220 180A 85V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET
Dhs020n85 to-220 180A 85V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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70V/6.3mΩ /100A N-Kanal-Optimierungsmodus Leistungs-MOSFET Dh070n07 bis-220C
70V/6.3mΩ /100A N-Kanal-Optimierungsmodus Leistungs-MOSFET Dh070n07 bis-220C
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Dh045n04D to-252 120A 40V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET
Dh045n04D to-252 120A 40V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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650V 4A N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n65 to-252
650V 4A N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n65 to-252
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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IGBT

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Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G70n65D to-247
Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G70n65D to-247
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G60t65D to-3p
Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G60t65D to-3p
FOB Preis: 0,01-0,2 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G25t120d to-247
Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G25t120d to-247
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G40n60d to-247 **% aus
Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G40n60d to-247 **% aus
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G30n120d to-247
Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G30n120d to-247
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G40n120d to-247
Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G40n120d to-247
Mindest. Befehl: 1.800 Stücke
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SIC MOSFET & SIC DIODE

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40MΩ 650V N-Kanal sic Power MOSFET Dccf040m65g2 to-247-4L
40MΩ 650V N-Kanal sic Power MOSFET Dccf040m65g2 to-247-4L
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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18A 1200V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET Dcc160m120g1 bis-247-3L
18A 1200V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET Dcc160m120g1 bis-247-3L
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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20A 650V sic Schottky-Barrier-Diode Dcd20d65g4 to-252
20A 650V sic Schottky-Barrier-Diode Dcd20d65g4 to-252
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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20A 1200V sic Schottky-Barrier-Diode Dcc20d120g4 to-247
20A 1200V sic Schottky-Barrier-Diode Dcc20d120g4 to-247
FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
Mindest. Befehl: 5.000 Stücke
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Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd
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Unternehmensart: Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
Hauptprodukte: MOSFETs , Dioden , IGBT , Transistor , Thyristor , IC
Anzahl der Angestellten: 156
Gründungsjahr: 2004-12-07
Zertifizierung des Managementsystems: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16954
Durchschnittliche Lieferzeit: Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: 1-3 Monate
Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Ein ...
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Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co., Ltd. Wurde im Dezember 2004 mit einem Grundkapital von 66,19 Millionen Yuan und einem Investitionskapital von 280 Millionen Yuan gegründet.

Es beschäftigt 325 Mitarbeiter, darunter 50 Mitarbeiter in den Bereichen Anwendung, Design und Forschung und Entwicklung. Unser Unternehmen ist spezialisiert auf Forschung und Entwicklung und Produktion von Halbleiterleistungsbauelementen und integrierten Schaltungen.

Unser Unternehmen wurde als High-Tech-Unternehmen ...

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