PC Leistung Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Schnelle Wiederherstellungsdiode Mosfet
FOB Preis:
0,2 $ / Stück
MOQ: 660 Stück
MOQ: 660 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Großhandel Infineon IGBT Modul FF150r12rt4. für andere Modelle, bitte kontaktieren Sie den Kundenservice
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
Komplementärer NPN-PNP Leistungs-Bipolartransistor Njw0302g to-3p Njw0281g
FOB Preis:
1,2-3,24 $ / Stück
MOQ: 1.000 Stück
MOQ: 1.000 Stück
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
- Herkunft: China
- HS-Code: 85412100
- Provinz: Guangdong, China
Slj 32PDA016A7 COM8.6 Slj 32PDA016A6 COM8.6 Slj 32PCD008A5 MFC6.6 Transistoren
FOB Preis:
1,0E-4-0,1 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode
- Provinz: Guangdong, China
2sc5411 C5411 TV-Anzeigetransistor ungedämpft
FOB Preis:
1,25-1,9 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Elektronisches Bauteil Mosfet Irfp260n to-247 100% Original Neu
FOB Preis:
0,421 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Hochfrequenz-Keramik-Vakuum-Elektronenröhre (FU-834FA)
FOB Preis:
500,00-700,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
78L05 5V Positiver Spannungsregler IC (100mA, TO-92 Gehäuse)
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
Effiziente Schaltungstransistor SOT-23 Halbleiterkomponentenfabrik Hochleistungs-SMT-Transistoren
FOB Preis:
0,006-0,045 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
FUJI IGBT Modul 2mbi300vh-170-50 2mbi150vh-120-50 2mbi400vh-120-50 2mbi200vh
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
IGBT mit niedrigem RDS on niedrigem Gate-Ladung schnelles Schalten ausgezeichnete Avalanche-Fähigkeit für Motorsteuerungssysteme mit Betriebsspannung über 10V
FOB Preis:
0,1-1,00 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
MOQ: 600 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Großhandel Infineon IGBT Modul FF200r17ke4. für andere Modelle, bitte wenden Sie sich an den Kundenservice
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
Original Integrierte Schaltungen Bd139 NPN Leistungstransistor
FOB Preis:
0,12-0,75 $ / Stück
MOQ: 500 Stück
MOQ: 500 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
- Herkunft: China
- Provinz: Guangdong, China
Bom Liste Original Mosfet Transistor 18nm80 STB18nm80 Stf18nm80 STP18nm80 Stw18nm80
FOB Preis:
1,00 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
- Provinz: Guangdong, China
IGBT-Leistungstransistor 25n120 25A 1200V to-247 für Induktionskocher Sgw25n120
FOB Preis:
0,39-0,4 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Dhx Mosfet Dmn6070sy-13 Sot-89 Neu und Original
FOB Preis:
0,1227 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Elektronisches Triod Tj6-3A
FOB Preis:
1.200,00-1.500,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Tda7850 Mosfet Audio Verstärker - Hohe Leistung, Geringe Wärmeabgabe, Zuverlässige Leistung
FOB Preis:
0,1 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
Zuverlässige Vc143zme Digitale Transistor NPN Sot-723 Komponentenfabrik
FOB Preis:
0,0138-0,0189 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Infineon IGBT-Modul Bsm400ga120DN2 Bsm400ga170dlc Bsm400ga170DN2 Bsm600ga120dlc
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
Dual P-Kanal Mosfet To220f-Nl Kleines Formfaktor für Mehrzellen-Batterieschutz von tragbaren Geräten Hergestellt in China
FOB Preis:
0,1-1,00 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
MOQ: 600 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Großhandel Original Infineon IGBT Modul Fz900r12ke4. für andere Modelle, bitte wenden Sie sich an den Kundenservice
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
STP7nk80zfp P7nk80zfp Transistor Fet 800V N-Kanal Mosfet
FOB Preis:
2,52 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Funktion: Macht Triode
- Herkunft: China
- Produktionskapazität: 10000
- Provinz: Guangdong, China
Irf7416trpbf P-Kanal 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Mosfet Transistor Irf 7416
FOB Preis:
0,1 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
- Provinz: Guangdong, China
D1710c 2SD1710 Siliziumdiffusions-Leistungstransistor D1710
FOB Preis:
0,4-4,4 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: lichtempfindlich
- Provinz: Guangdong, China
Elektronisches Bauelement Bipolartransistor 2sb688 to-3pn 100% Original Neu
FOB Preis:
0,413 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Hochfrequenz-Keramische Elektronenröhre, Vakuum-Oszillator (BW1184J2, BW1185J2, YD1212, YD1202)
FOB Preis:
4.000,00-5.000,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Tpdv825rg Hochwertiger Drucktransmitter von ISO9001 zertifiziertem Hersteller
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
Hochtechnologie 20V VC9320A N-Kanal MOSFET SOT-723 für fortschrittliche elektronische Designs
FOB Preis:
0,0127-0,035 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
FUJI Elektronik IGBT Modul 6mbi25s-120-02 6mbi25s-120-50
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
