Leistungs-IGBT-Modul mit niedrigem Vce (sat), niedriger Gate-Ladung, schneller Schaltgeschwindigkeit und hervorragender Überspannungsfähigkeit für Motorsteuerungssysteme mit einer Betriebsspannung über 10V
FOB Preis:
0,1-1,00 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
MOQ: 600 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Großhandel Original FUJI IGBT Modul 2mbi900vxa-120p-50
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
Irfp260npbf Irfp260n Transistoren Fet Mosfet N-Kanal 200V/50A/40
FOB Preis:
3,4-8,77 $ / Stück
MOQ: 1.000 Stück
MOQ: 1.000 Stück
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Funktion: Macht Triode
- Produktionskapazität: 10000
- Provinz: Guangdong, China
Heißer Verkauf Irfb4321pbf Irfb4410pbf N-Kanal Mosfet 150V 85A (Tc) 350W (Tc) Durchsteckmontage
FOB Preis:
0,001-0,1 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Installation: Plug-in-Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: Original
- Herkunft: China
- HS-Code: 8541100000
- Produktionskapazität: No Limit
- Provinz: Guangdong, China
Hochwertiger Leistungstransistor Irf530n Neu und Original
FOB Preis:
0,001-1,9 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: /
- Standard: /
- Provinz: Guangdong, China
Dhx N-Kanal Mosfet Dmn65D8lfb-7b X1-Dfn1006-3 100% Original Neu
FOB Preis:
0,043 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Hochfrequenz-Metallkeramik-Leistungsglühbirne (7T62RE)
FOB Preis:
100,00-200,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Bdx53c Leistungstransistor - Ideal für Audioverstärker und Schaltanwendungen
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
FUJI Elektronik IGBT Modul 6mbi75s-120-50 6mbi75s-120-51 6mbi75s-120-52 6mbi75s-120-02
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
Professioneller Halbleiterhersteller 0.3W Vc8050tmt NPN-Transistor Sot-523 Gehäuse
FOB Preis:
0,009-0,0172 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
IGBT-Modul für Hochfrequenzbetriebe von Neuen Energiefahrzeugen Super Si Mosfet
FOB Preis:
0,2 $ / Stück
MOQ: 660 Stück
MOQ: 660 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Großhandel Original Infineon IGBT Leistungsmodule FF100r12ks4 FF150r12ks4 FF200r12ks4 FF300r12ks4
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
Bzx84c11 Bzx84-C11 11V 350MW SMD-Diode Zener
FOB Preis:
0,06 $ / Stück
MOQ: 3.000 Stück
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Roll
- Provinz: Guangdong, China
Igw15t120fksa1 Transistor Komponenten Igw15n120h3 Igw100n60h3 to-247-3
FOB Preis:
1,0E-4-0,1 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
IC-Chip Irfp260npbf Irf260 Mosfet to-247 Neuer Original-Integrierter Schaltkreis
FOB Preis:
0,5-1,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Stoff: Germanium
- Provinz: Guangdong, China
Dhx Elektronikbauteil Bipolartransistor 2stf1550 Sot-89-3 100% Original Neu
FOB Preis:
0,1939 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Hochfrequenz-Elektronenröhre (RS3060CJ, RS3060CJC, RS3060CL)
FOB Preis:
4.000,00-5.000,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Irf730 N-Kanal Mosfet - 400V, 5.5A, Niedriger RDS (on) für Hochleistungsanwendungen
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
Infineon IGBT Modul Bsm100GB120DN2K Bsm75GB120DN2 Bsm150GB60dlc Bsm200GB60dlck Bsm50GB60dlck
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
Fabrik NPN SMD Transistor VCSS8050T-1.5A SOT-23 Hochleistungs-Halbleiter-Wafer Elektronikbauteil
FOB Preis:
0,0069-0,012 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Automotive Grade Aec-Q102 qualifizierter Trench-Leistungs-Mosfet für neue Energie BMS Lichtsteuerungssystem hergestellt in China
FOB Preis:
0,1-1,00 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
MOQ: 600 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Großhandel mit Original Infineon IGBT-Modulen Fp50r12kt3/Fp75r12kt4/Fp100r12kt4/Fp150r12kt4 auf Lager
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
Bu2520af to-3PF Farbfernseher Leistungstransistor
FOB Preis:
2,5 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Struktur: NPN
- Provinz: Guangdong, China
Elektronische Bauelemente Ao3400A Transistor Sot-23
FOB Preis:
1,0E-4-0,1 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Struktur: PNP
- Provinz: Guangdong, China
Neue Originale zu Njw0281g Njw0302g Komplementäre NPN PNP Leistungs-Bipolartransistoren
FOB Preis:
1,2-3,24 $ / Stück
MOQ: 1.000 Stück
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
- Provinz: Guangdong, China
Dhx Bipolartransistor Dpbt8105-7 Sot-23-3 100% Original Neu
FOB Preis:
0,0589 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Ultrahochfrequenz Metallkeramik Heizrohr Itk30-2, Itk60-2
FOB Preis:
4.000,00-5.000,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC JINGGUANG
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Fhp7805A 5V Spannungsregler-IC - to-220 Gehäuse, 1.5A Ausgang, RoHS-konform
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
Sanrex Diodenmodul Df20AA120 Df20AA160 Df30ba40 Df20ba80 Df20ca80 Df20ca120
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
Großhandel Durchgangsloch PTH NPN Transistor 200mA VC2N3904Z TO-92 OEM
FOB Preis:
0,0185-0,035 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
- Provinz: Guangdong, China