Kurzschlussfestigkeit 1200V DC-1 kHz diskrete Automobil-IGBT
FOB Preis:
0,1 $ / Stück
MOQ: 660 Stück
MOQ: 660 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Infineon IGBT-Modul Bsm15gd120dlc Bsm10gd120DN2 Bsm25gd120DN2 Bsm35gd120dlce3224
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
Fortgeschrittenes Design 150MW Vce3139khx Sot-523 P-Kanal Mosfet Fabrik Großhandel SKD
FOB Preis:
0,0138-0,041 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original FUJI IGBT Modul 2mbi75u4a-120-50. für andere Modelle, bitte wenden Sie sich an den Kundenservice
FOB Preis:
90,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Provinz: Fujian, China
100V 200mA SOD80 Ll4148 Allgemein verwendete Diode
FOB Preis:
0,1-0,11 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Sanken 2SA1489 Leistung Bipolartransistor A1489
FOB Preis:
0,36 $ / Stück
MOQ: 250 Stück
MOQ: 250 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Struktur: PNP
- Provinz: Guangdong, China
Dhx Mosfet Irfh8311trpbf Pqfn-8 (4.9X5.8) Neu und Original
FOB Preis:
1,15 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Hochfrequenzübertragungsröhre (TH558)
FOB Preis:
100.000,00-120.000,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Mur3060ptg 30A 600V Ultraflacher Diode mit niedrigem Durchlassspannungsabfall
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
Bom Liste SMP100mc-400 Original SMP100 400V Aus-Zustand 300 ein Ipp Tvs Thyristor
FOB Preis:
0,5 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Verpackung: Standard
- Standard: Standard
- Provinz: Guangdong, China
Wirkung von Wärmeableitmaterialien Ost40n120hmf 10µ S IGBT
FOB Preis:
0,1-0,6 $ / Stück
MOQ: 1.000 Stück
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Infineon IGBT Modul FF200r12kt3_E FF300r12ke3_E FF450r12ke4_E Ffke7_E FF400r12ke_E FF600r12ke_E
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
N-Kanal Sot-723 Mosfet Halbleiterhersteller Vc9320A Elektronikkomponente Mosfets
FOB Preis:
0,009-0,015 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Bipolarer Leistungstransistor PNP 3 a 100 V 40 W Tip32c auf Lager
FOB Preis:
0,14-0,711 $ / Stück
MOQ: 1.000 Stück
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
- Provinz: Guangdong, China
MD2103dfh Elektronische Bauelemente Leistungstransistor
FOB Preis:
0,01-1,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: lichtempfindlich
- Provinz: Guangdong, China
Dhx Mosfet Ces2308 Sot-23 100% Original Neu
FOB Preis:
0,0344 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Übertragungsglühbirne Leistung Metall Vakuum Elektronen Triode Th537
FOB Preis:
50.000,00-60.000,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Zuverlässige in China hergestellte IC Fqp65n06 - 60V N-Kanal Leistungsmosfet, 65A, to-220 Gehäuse
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode
- Struktur: Diffusion
- Provinz: Guangdong, China
Bom Liste Original Mosfet Transistor 18nm80 STB18nm80 Stf18nm80 STP18nm80 Stw18nm80
FOB Preis:
1,00 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
- Provinz: Guangdong, China
Dual N-Kanal SMD Mosfet Toll Paket Niedrige Gate-Ladung für BMS Batteriemanagement-Board Tragbare Stromstation Hergestellt in China
FOB Preis:
0,1-1,00 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
MOQ: 600 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Infineon IGBT Modul FF100r12rt4 FF75r12rt4 FF50r12rt4 FF150r12rt4 FF35r12rt4
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China
SOT-23 NPN Siliziumtransistor Hersteller VC3904B Halbleiter Hochleistungskomponenten Wafertransistoren
FOB Preis:
0,006-0,0123 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
2sb546A B546A To220 Inline-Transistor Transistor PNP
FOB Preis:
0,8-2,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Funktion: lichtempfindlich,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Mjd45h11t4g Transistorgehäuse to-252 8A80V PNP Bipolartransistor
FOB Preis:
1,15-1,4 $ / Stück
MOQ: 100 Stück
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode
- Verpackung: /
- Standard: Height: 2.38 mm Length: 6.73 mm
- Provinz: Guangdong, China
Elektronisches Bauteil Mosfet Irf530n to-220ab 100% Original Neu
FOB Preis:
0,274 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Guangdong, China
Metall Keramik Glas Vakuumröhre (TB4-1250)
FOB Preis:
200,00-300,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Warenzeichen: SETEC
- Herkunft: China
- Provinz: Zhejiang, China
Tpdv825rg Hochwertiger Drucktransmitter von ISO9001 zertifiziertem Hersteller
MOQ:
10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box
- Standard: TO-220
- Provinz: Guangdong, China
Tt820n16koftimhpsa1 Tt61n16kofhpsa1 Tt60n16sofb01 Bg-Sb20-1 Transistor heiße Komponenten
FOB Preis:
1,0E-4-0,1 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
- Provinz: Guangdong, China
Motorfahrer Vds 650V RDS 99mΩ Mosfet
FOB Preis:
0,2 $ / Stück
MOQ: 660 Stück
MOQ: 660 Stück
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Provinz: Shanghai, China
Mitsubishi IGBT-Modul Cm200du-24f Cm300du-24f
FOB Preis:
99,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: Legierung
- Provinz: Fujian, China