5868 Vakuumelektron-Glasgefäß, gleichwertig mit Glasgefäß Tb4/1250
- Zertifizierung: CCC
- Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
Brücken-Gleichrichter Gbu Diode 1A 1000V dB Gehäuse Brückendiode für LED
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Produktionskapazität: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Provinz: Anhui, China
Elektronische Gefäß-Energien-Tetrode für Cw-Oszillator Fu3537c
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- Provinz: Beijing, China
Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA812
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
-
Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Nur ein Hersteller in der Welt für Elektron-Gefäß Tb4/1250/5868
- Zertifizierung: CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- Provinz: Liaoning, China
MosfetCj3401 P-Channelverbesserungs-Modus-Bereich-Effekt-Transistor
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Schalttriode
-
Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
MOSFETs MDF13n50
- Verpackung: to-220f
- Warenzeichen: KWS
- Herkunft: China
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Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Thyristor-Baugruppe Skch28/16
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Macht Triode
- Standard: TO-247
- Warenzeichen: ST
-
E-Solution Technology Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
ISC Silizium PNP Leistungstransistor 2SA1757
- Verpackung: to-220fa
- Standard: OEM
- Warenzeichen: iscsemi/isc
- Herkunft: Isc
- HS-Code: 85912900
- Produktionskapazität: 100000
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Inchange Semiconductor Company Limited
- Provinz: Jiangsu, China
Integrated Circuit Pth12060wah Ti 21+ Bestand
- Zertifizierung: RoHS
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Air Transport
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Q-Yang Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
Induktions-Heizungs-Trioden-Gefäß Fd-934s HF-200kw, für 200kw Indcution Heizung/Schweißgerät, keramisches Gefäß/Glasgefäß erhältlich
- Zertifizierung: CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
Fabrik Brücken-Gleichrichter Kbu Diode 1A 1000V dB Paket Brücken-Diode für LED
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Produktionskapazität: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Provinz: Anhui, China
Elektron-Gefäß-Leistungs-Triode für HochfrequenzFeating Fu3092ca
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- Provinz: Beijing, China
Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1179 (PNP)
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
-
Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Energien-Ableitung C1815
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
-
Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
Elektronische Triode des Elektron-Gefäß-6t40 des Gefäß-6t40
- Zertifizierung: CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode
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Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- Provinz: Liaoning, China
Dioden-Brückengleichrichter Gbu606
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Macht Triode
- Standard: TO-220
- Warenzeichen: POWER
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E-Solution Technology Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
HF-Leistung-Transistor C2630
- Verpackung: Standard
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Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Elektron-Gefäß Fu7069f des Vakuum9kw gleichwertig mit 7t69rb für HF-dielektrische Heizung, Induktions-Heizung
- Zertifizierung: CCC
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Strong Cartons
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
Multifunktionale Diode Skbl für Großhandel Halbleiter Diskrete Halbleiter Dioden & Gleichrichter Brückengleichrichter
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Produktionskapazität: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Provinz: Anhui, China
TPS4h160bqpwprq1 IC Chip für integrierte Schaltung Neue und ursprüngliche Unterstützung Bom
- Zertifizierung: RoHS
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
- Verpackung: Air Transport
- Warenzeichen: TI
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Q-Yang Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
Hohe Leistung Keramisch-Metalltriode des Elektron-Gefäß-Fd-912s
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- Provinz: Beijing, China
Zweipolige Transistoren Sot-23 ---2SA1037
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
-
Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Triode 3-500z
- Zertifizierung: CE,ISO
- Verpackung: Carton
- Warenzeichen: HUAGUANG
- Herkunft: China
- HS-Code: 85408900
- Produktionskapazität: 200PCS/Month
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Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- Provinz: Liaoning, China
Vakuumelektronisches Trioden-Gefäß Fu1184ca, gleichwertig mit Bw1184j2, Yd1202
- Verpackung: Air Worthy Carton Packing
- Herkunft: China
- HS-Code: 8540890000
- Produktionskapazität: 100PCS Per Month
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
Leistung-Transistor Spw20n60c3 Spw20n60
- Verpackung: to-247-3
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Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China