Leistungs-MOSFET (IRF3205)
- Verpackung: 50/Tube, 3000 PCS/Box
- HS-Code: 8542390000
- Produktionskapazität: 30000
-
Hongkong Partnartek Company
- Provinz: Guangdong, China
Hg2879 2sc2879 Transistor
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Binhu Boer Electronic Components Sales Center
- Provinz: Jiangsu, China
960-1215MHz 100W HF-LDMOS-Transistor
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Box Pacakge
- Produktionskapazität: 100
-
Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
- Provinz: Fujian, China
ISC Silizium PNP Leistungstransistor 2SA1757
- Verpackung: to-220fa
- Standard: OEM
- Warenzeichen: iscsemi/isc
- Herkunft: Isc
- HS-Code: 85912900
- Produktionskapazität: 100000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- Provinz: Jiangsu, China
Triac, Thyristoren (BT131)
- Verpackung: to-92
- Standard: ISO 9001, ISO 14001, UL, ROHS, SGS, REACH, etc.
- Warenzeichen: JJ
- Herkunft: Jiangsu, China
- Produktionskapazität: 10000000PCS/Month
-
Ningbo Haishu Jiemao Electronics Co., Ltd
- Provinz: Zhejiang, China
5kW Hochfrequenz-Oszillationsröhre 7t85rb Power Triode Tube 7t85rb
- Zertifizierung: RoHS,CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode
-
Huizhou Yiyuan Machinery Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Ursprünglicher Vishay EnergieMosfetN-Channel
-
Shenzhen Faisemi Electronic Co.,Ltd
- Provinz: Hubei, China
Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA812
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
-
Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Fabrik Preis Komponenten Elektronik WSON-8 (2X2) TPS22965tdsgrq1
- Zertifizierung: RoHS
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Air Transport
- Warenzeichen: TI
- Herkunft: Philippines
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Q-Yang Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
Elektron-Gefäß-Leistungs-Triode für HochfrequenzFeating Fu3092ca
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
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Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- Provinz: Beijing, China
Brücken-Gleichrichter Dfs Diode 1A 1000V dB Gehäuse Brücken-Diode für LED
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Produktionskapazität: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Provinz: Anhui, China
Induktions-Heizungs-Trioden-Gefäß Fd-934s HF-200kw, für 200kw Indcution Heizung/Schweißgerät, keramisches Gefäß/Glasgefäß erhältlich
- Zertifizierung: CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
HF-Leistung-Transistor C2630
- Verpackung: Standard
-
Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
Energien-Transistor Spw47n65c3
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Macht Triode
- Standard: TO-247
- Warenzeichen: INFINEO
-
E-Solution Technology Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
15V/70A N-Kanal-Mosfets durch 252 Typ ersetzen für Irlr3802
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
-
Cpm Electronics Co., Ltd
- Provinz: Guangdong, China
Triode Bw1185j2/Yd1212/Itk90-1/Fu-3092ca
- Zertifizierung: CE
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Wooden Box
- Warenzeichen: HUAGUANG
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- Provinz: Liaoning, China
2sc0435t2f1-17 Treiberplatten-Rasterantriebschip
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Struktur: PNP
- Stoff: Germanium
- Verpackung: Tray
- Produktionskapazität: 500
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CRD Technology (HK) Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
MosfetCj3401 P-Channelverbesserungs-Modus-Bereich-Effekt-Transistor
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Schalttriode
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Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China
MOSFETs MDF18N50
- Verpackung: to-220f
- Warenzeichen: KWS
- Herkunft: China
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Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
ISC Silizium-NPN-Leistungstransistor (2SC3320)
- Verpackung: to-3pn
- Standard: OEM
- Warenzeichen: ISCSEMI/ISC
- Herkunft: China
- HS-Code: 85412900
- Produktionskapazität: 10000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- Provinz: Jiangsu, China
2sc2290 Hg2290 Transistor
- Zertifizierung: RoHS,ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Binhu Boer Electronic Components Sales Center
- Provinz: Jiangsu, China
Hihg Energien-Trioden-Elektron-Gefäß für Hochfrequenzheizung Fd-307s
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- Provinz: Beijing, China
Leistung-Transistor Rd16hhf1
- Verpackung: Standard
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Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Provinz: Guangdong, China
7t85rb, Elektron-Gefäß Fu7085f des Vakuum5kw gleichwertig mit 7t85rb für HF-dielektrische Heizung
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Mittlere Leistung
- Funktion: Macht Triode
- Verpackung: Cartons
- Warenzeichen: EECTECH
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Provinz: Beijing, China
Brücken-Gleichrichter Gbu Diode 1A 1000V dB Gehäuse Brückendiode für LED
- Zertifizierung: CE
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Übertakten
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Produktionskapazität: 500000pieces/Year
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Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Provinz: Anhui, China
20V/3A N-Kanal Mosfets Sot-23-3L Typ Ersatz für Bss806n
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode
-
Cpm Electronics Co., Ltd
- Provinz: Guangdong, China
FscMosfet Ka1m0880
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Macht Triode
- Standard: TO-3P
- Warenzeichen: FSC
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E-Solution Technology Co., Limited
- Provinz: Guangdong, China