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Über 2773 Produkte gefunden

Leistung-Transistor Rd16hhf1

  • Verpackung: Standard
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

TPS2h000aqpwprq1 TPS2h000 Leistungsschalter/Treiber 1: 1 N-Kanal 750mA 16-HTSSOP PMIC Component Electronic

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Air Transport
  • Warenzeichen: TI
  • Herkunft: Made-in-Taiwan
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Hohe Leistung Keramisch-Metalltriode des Elektron-Gefäß-Fd-912s

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Sk100 Transistor

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Provinz: Shanghai, China

Fabrik Brücken-Gleichrichter Mbf Diode 1A 1000V dB Paket Brücken-Diode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

Vakuumelektronisches Trioden-Gefäß Fu1184ca, gleichwertig mit Bw1184j2, Yd1202

  • Verpackung: Air Worthy Carton Packing
  • Herkunft: China
  • HS-Code: 8540890000
  • Produktionskapazität: 100PCS Per Month
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

HF-Leistung-Transistor Blf246

  • Verpackung: Sot-121b
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Hohe Leistung Keramisch-Metalltriode für Oszillator in den Hochfrequenzheizungs-Anwendungen Fd-934s

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Fabrik Preis Komponenten Elektronik WSON-8 (2X2) TPS22965tdsgrq1

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Air Transport
  • Warenzeichen: TI
  • Herkunft: Philippines
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Brücken-Gleichrichter DMB Diode 1A 1000V dB Gehäuse Brücken-Diode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

HF-Leistung-Transistor Mrf857s

  • Verpackung: Standard
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Vakuumelektron-Gefäß Fu3062f, 7t62r, E3062c Äquivalente, für HF-dielektrische Heizung, Induktions-Heizung

  • Zertifizierung: CCC
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Strong Cartons
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Tcan1043admtrq1 Neue und ursprüngliche Bom-Liste Ti integrierte Schaltungen in Texas Chip Instruments

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Silizium
  • Verpackung: Air Transport
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß-Leistungs-Triode Fd921s für Oszillator in der Hochfrequenzheizung

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Brücken-Gleichrichter Dfs Diode 1A 1000V dB Gehäuse Brücken-Diode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

Vakuumelektron-Gefäß Fu3069f gleichwertig mit E3069 für HF-dielektrische Heizung, Induktions-Heizung

  • Zertifizierung: CE,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Leistung-Transistor M57729L M57729

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Hochfrequenzheizungs-Anwendungen der Elektron-Gefäß-Leistungs-Trioden-Fd-911SD

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Lmh6643max/Nopb (Elektronische Komponenten IC Chips integrierte Schaltungen IC) Lmh6643max/Nopb

  • Zertifizierung: RoHS
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Sihon Brücken-Gleichrichter Kbpc Diode 1A 1000V dB Paket Brücken-Diode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

Induktions-Heizungs-Trioden-Gefäß Fd-911SD HF-100kw, für 100kw Indcution Heizung/Schweißgerät, Fd-911s für Glasgefäß

  • Zertifizierung: CCC
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Leistung-Transistor TPV8100b TPV8100

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektronische Gefäß-Energien-Tetrode für Cw-Oszillator Fu3537c

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

7t85rb, Elektron-Gefäß Fu7085f des Vakuum5kw gleichwertig mit 7t85rb für HF-dielektrische Heizung

  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Cartons
  • Warenzeichen: EECTECH
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Sihon Brücken-Gleichrichter Skbp Diode 1A 1000V dB Paket Brücken-Diode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

Leistung-Transistor Blv31

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß-hohe Leistung Keramisch-Metalltrioden-Industrie-Hochfrequenzheizungs-Anwendungen Fd-935s

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

FU1608C Rf-Energien-Triode, gleichwertig mit BW1608J2

  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Air Worthy Carton Package
  • Herkunft: China
  • HS-Code: 8540890000
  • Produktionskapazität: 100 PCS Per Month
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Fabrik Brücken-Gleichrichter Sgbu Diode 1A 1000V dB Paket Brücken-Diode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

Leistung-Transistor E13005 E13005-1

  • Verpackung: N/a
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China
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