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Über 2801 Produkte gefunden

2n3773 Transistor

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Provinz: Shanghai, China

Thyristor-Baugruppe Skch28/16

  • Zertifizierung: RoHS
  • Funktion: Macht Triode
  • Standard: TO-247
  • Warenzeichen: ST
  • E-Solution Technology Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

ISC Silizium PNP Leistungstransistor 2SA1757

  • Verpackung: to-220fa
  • Standard: OEM
  • Warenzeichen: iscsemi/isc
  • Herkunft: Isc
  • HS-Code: 85912900
  • Produktionskapazität: 100000
  • Inchange Semiconductor Company Limited
  • Provinz: Jiangsu, China

MOSFETs MDF9n50

  • Verpackung: to-220f
  • Warenzeichen: KWS
  • Herkunft: China
  • Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1179 (PNP)

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Energien-Ableitung C1815

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß-Leistungs-Triode für HochfrequenzFeating Fu3092ca

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Multifunktionale Diode DMF für den Großhandel Halbleiter Diskrete Halbleiter Dioden & Gleichrichter Brückengleichrichter

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

Leistung-Transistor M57729L M57729

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß des Vakuum3-500c, Glasgefäß 3-500/Z. Gefäß, das, Gefäß Pairable erhältlich zusammenpaßt

  • Zertifizierung: CE,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

650V, 0.69ω 12A N-Kanal Mosfet to-220 zum Ersetzen Irfb9n65A

  • Zertifizierung: RoHS
  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Cpm Electronics Co., Ltd
  • Provinz: Guangdong, China

Integrated Circuit Pth12060wah Ti 21+ Bestand

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Silizium
  • Verpackung: Air Transport
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß 4-400c HF-Energien-Transistor

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

Bc107 Transistor

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Provinz: Shanghai, China

Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA812

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Energien-Transistor Spw47n65c3

  • Zertifizierung: RoHS
  • Funktion: Macht Triode
  • Standard: TO-247
  • Warenzeichen: INFINEO
  • E-Solution Technology Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Transistor Mmbt3904

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Brücken-Gleichrichter Gbu Diode 1A 1000V dB Gehäuse Brückendiode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

HF-Leistung-Transistor Mrf857s

  • Verpackung: Standard
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß Fu-101c Keramisch-Metalltetrode hohes Frenquency

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

FU1608C Rf-Energien-Triode, gleichwertig mit BW1608J2

  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Air Worthy Carton Package
  • Herkunft: China
  • HS-Code: 8540890000
  • Produktionskapazität: 100 PCS Per Month
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Mcp23s17t-E/ml Integrated Circuit Networks and Interfaces

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Air Transport
  • Warenzeichen: MICROCHIP
  • Herkunft: Made-in-Thailand
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

15V/70A N-Kanal-Mosfets durch 252 Typ ersetzen für Irlr3802

  • Zertifizierung: RoHS
  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Cpm Electronics Co., Ltd
  • Provinz: Guangdong, China

SL100 Transistor

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Provinz: Shanghai, China

Nur ein Hersteller in der Welt für Elektron-Gefäß 5867A

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1036

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Brücken-Gleichrichter DMB Diode 1A 1000V dB Gehäuse Brücken-Diode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

HF-Leistung-Transistor C2630

  • Verpackung: Standard
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Trioden-Gefäß Fu3092ca, gleichwertig mit Bw1185j2, Yd1212

  • Verpackung: Air Worthy Cartons Packing
  • Warenzeichen: EECTECH
  • Herkunft: China
  • HS-Code: 8540890000
  • Produktionskapazität: 50 PCS Per Months
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Elektron-Gefäß-Leistungs-Glas/Metalltriode für Oszillator-Industrie-Hochfrequenzheizungs-Anwendungen Fu-5s

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China
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