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Nur ein Hersteller in der Welt für Elektron-Gefäß Tb4/1250/5868

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

SD1446 Hg1446 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Binhu Boer Electronic Components Sales Center
  • Provinz: Jiangsu, China

FscMosfet Ka1m0880

  • Zertifizierung: RoHS
  • Funktion: Macht Triode
  • Standard: TO-3P
  • Warenzeichen: FSC
  • E-Solution Technology Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1036

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

2sc0435t2f1-17 Treiberplatten-Rasterantriebschip

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Germanium
  • Verpackung: Tray
  • Produktionskapazität: 500
  • CRD Technology (HK) Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

ISC Silizium-NPN-Leistungstransistor (2SC3320)

  • Verpackung: to-3pn
  • Standard: OEM
  • Warenzeichen: ISCSEMI/ISC
  • Herkunft: China
  • HS-Code: 85412900
  • Produktionskapazität: 10000
  • Inchange Semiconductor Company Limited
  • Provinz: Jiangsu, China

Transistor NPN: Mmbt5551

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Schalttriode
  • Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

IGBT-Transistor

  • Winsoon Industry Limited
  • Provinz: Guangdong, China

960-1215MHz 100W HF-LDMOS-Transistor

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Verpackung: Box Pacakge
  • Produktionskapazität: 100
  • Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
  • Provinz: Fujian, China

Bcp56 NPN Sot-223 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,ISO,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Schalttriode
  • Guangdong Shikues Mirco industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Leistungs-MOSFET (IRF3205)

  • Verpackung: 50/Tube, 3000 PCS/Box
  • HS-Code: 8542390000
  • Produktionskapazität: 30000
  • Hongkong Partnartek Company
  • Provinz: Guangdong, China

Schwingungsröhre 7t69rb

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode
  • Huizhou Yiyuan Machinery Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Ursprünglicher Vishay EnergieMosfetN-Channel

  • Shenzhen Faisemi Electronic Co.,Ltd
  • Provinz: Hubei, China

Triac, Thyristor SCR MCR100-6 MCR100-8

  • Verpackung: to-92
  • Standard: ISO 9001, ISO 14001, UL, ROHS, SGS, REACH, etc.
  • Warenzeichen: JJ
  • Herkunft: Jiangsu, China
  • Produktionskapazität: 10000000PCS/Month
  • Ningbo Haishu Jiemao Electronics Co., Ltd
  • Provinz: Zhejiang, China

Sihon Brücken-Gleichrichter Kbpc Diode 1A 1000V dB Paket Brücken-Diode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

HF-Leistung-Transistor Ptfa092213EL V4 Ptfa092213EL

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß-Leistungs-Triode Fd921s für Oszillator in der Hochfrequenzheizung

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Elektron-Gefäß des Vakuum3-500c, Glasgefäß 3-500/Z. Gefäß, das, Gefäß Pairable erhältlich zusammenpaßt

  • Zertifizierung: CE,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Triode Bw1185j2/Yd1212/Itk90-1/Fu-3092ca

  • Zertifizierung: CE
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Wooden Box
  • Warenzeichen: HUAGUANG
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

Bc108 Transistor

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Provinz: Shanghai, China

Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA812

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

ISC Silizium-NPN-Leistungstransistor (BU508A)

  • Verpackung: to-3pn
  • Standard: OEM
  • Warenzeichen: iscsemi/isc
  • Herkunft: Isc
  • HS-Code: 85912900
  • Produktionskapazität: 100000
  • Inchange Semiconductor Company Limited
  • Provinz: Jiangsu, China

Energien-Transistor Spw47n65c3

  • Zertifizierung: RoHS
  • Funktion: Macht Triode
  • Standard: TO-247
  • Warenzeichen: INFINEO
  • E-Solution Technology Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Tas6424eqdkqrq1 Neue Original-Elektronik-Komponenten Lieferant Hssop-56 Tas6424eqdkqrq1

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Silizium
  • Verpackung: Air Transport
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

MosfetN-Channel 2n7002

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

MOSFETs MDF13n50

  • Verpackung: to-220f
  • Warenzeichen: KWS
  • Herkunft: China
  • Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Ikcm30f60gd Ikcm20L60gd Ikcm20L60ga Ikcm30f60ga neue ursprüngliche Aktien

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Silizium
  • Verpackung: Tube
  • CRD Technology (HK) Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Hg2879 2sc2879 Transistor

  • Zertifizierung: RoHS,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Binhu Boer Electronic Components Sales Center
  • Provinz: Jiangsu, China

Sihon Brücken-Gleichrichter Skbp Diode 1A 1000V dB Paket Brücken-Diode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

Leistung-Transistor TPV8100b TPV8100

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China