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ISC Silizium-NPN-Leistungstransistoren (TIP31C)

  • Warenzeichen: ISCSEMI/ISC
  • HS-Code: 85412900
  • Produktionskapazität: 10000
  • Inchange Semiconductor Company Limited
  • Provinz: Jiangsu, China

Leistungstransistoren/Transistor-Module

  • Shenzhen Juteng Electronics Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Rf-Energien-Transistor (2SC1946A 2SC1946)

  • HS-Code: 8541100000
  • Produktionskapazität: 50, 000 PCS/Year.
  • Bocen (Hk) Technology Co.,Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Transistor mit niedriger Leistung (S8550)

  • Halcyon Electronics Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Transistor

  • Nice and Lucky Technology Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Triode und Diode

  • Guangdong Liantong Electronic Co., Ltd
  • Provinz: Guangdong, China

Leistungsoszillator Hzyd1212

  • Beijing Hertz Union Tech Co.,Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

MOSFET (IRF740)

  • ShenZhen XinQiang Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

MOSFET Einkanal P-Kanal 60V, 14A, 52mohm Nvtfs5116pltag

  • Zertifizierung: RoHS
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Stoff: Silizium
  • Sunshine Electronics (Hk) Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Baseplate mit rhomboider Nadel und Gehäuse für IGBT-Modul

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Struktur: Legierung
  • Gootage(Kunshan) Thermal Technology Co., Ltd
  • Provinz: Jiangsu, China

Ad8629arz-Reel7 SOIC-8 Single Supply Rail-to-Rail Operationsverstärker IC Chip Ad8629arz

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Silizium
  • Verpackung: Air Transport
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß 3cw20000A7

  • High Hope Int'l Inc.
  • Provinz: Jiangsu, China

Mosfet (A3977SED-T)

  • HS-Code: 8542390000
  • Shenzhen Boype Electronics Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Zweipoliges Produkt (KIA431)

  • Shenzhen Farce Jie Xin Electronics Co., Ltd
  • Provinz: Guangdong, China

SilikonN-ChannelMosfet (WFP12N60)

  • Verpackung: to-220
  • Produktionskapazität: 20, 000, 000
  • Winsemi Microelectronics Company Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Diode

  • Focus Electronics Technology Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

2n7002dw-7-F Transistor

  • Hong Kong Yanli Electronic Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Hochspannungsleistungstransistoren (Serie W13003)

  • Standard: Sample available
  • Produktionskapazität: 1 billion pcs/year
  • Shenzhen GHD Electronics Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Blf188xr Leistungs-MOSFET LDMOS Transistor für Broadcast- und industrielle Anwendungen Im HF-bis 600MHz-Band

  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Verpackung: Box Package
  • Produktionskapazität: 1000
  • Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
  • Provinz: Fujian, China

MOSFET (N-Kanal GT2302)

  • Warenzeichen: Omictek
  • Omictek
  • Provinz: Guangdong, China

ISC Silizium-NPN-Leistungstransistor BUT11A

  • HS-Code: 85912900
  • Produktionskapazität: 100000
  • Inchange Semiconductor Company Limited
  • Provinz: Jiangsu, China

Mosfets (MRF6S27085H)

  • Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
  • Provinz: Fujian, China

Dtd123tchzgt116

  • Suzhou Hugo Electromechanical Co., Ltd
  • Provinz: Jiangsu, China

Vakuumröhre (ITL9-1)

  • Beijing Sinocleansky Technologies Corp.
  • Provinz: Beijing, China

MOSFET IRFP250N

  • ShenZhen XinQiang Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron Tube Triode 3cw45000h3

  • High Hope Int'l Inc.
  • Provinz: Jiangsu, China

Fd934s (GLAS) 200kw Elektronenröhrentriode High Power Triode

  • Beijing Hertz Union Tech Co.,Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Ud2195g-AB3-R Lagerfähigkeit von 12 Monaten Bom PCBA SMD 3D CNC-Mechatronik drucken

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Silizium
  • Verpackung: Air Transport
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

IGBT-Transistoren Fga60n65SMD

  • Zertifizierung: RoHS
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Stoff: Silizium
  • Sunshine Electronics (Hk) Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Schnell-Schaltung NPN Energien-Transistor (SBP13003-O)

  • Verpackung: to-220
  • Produktionskapazität: 500, 000, 000
  • Winsemi Microelectronics Company Limited
  • Provinz: Guangdong, China