DC/DC-Hochspannungsnetzungs-MOSFET

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
• Installation: Plug-in-Triode
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Leistungspegel: Medium Power
• Funktion: Macht Triode, Switching Triode
• Modell Nr.: OSG60R030HZF TO247
• Struktur: NPN
• Stoff: Silizium
• beschreibung: Extrem geringe Schaltverluste
• Eigenschaften: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Anwendungen: pc-Stromversorgung
• Branchen: led-Beleuchtung
• Typ: Fast EV Ladestation
• Garantie: 24 Monate
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemiconductor
• Herkunft: China
• HS-Code: 854129000
• Produktionskapazität: 20kkkk/Monthly

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

 

Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS® Z-Serie ist mit einer Fast Recovery Diode (FRD) integriert, um die Rückkehrzeit zu minimieren. Es eignet sich für resonante Schalttopologien, um einen höheren Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und einen kleineren Formfaktor zu erreichen.

Funktionen

• NIEDRIGER RDS(EIN) UND FOM
• Extrem geringe Schaltverluste
• Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• Ultraschnelle und robuste Diode

Anwendungen                                                                                             

• PC-Stromversorgung
• Telekommunikationsleistung
• Serverleistung
• EV-Ladegerät
• Motortreiber

Wichtige Leistungsparameter
 

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min. @ Tj(max)	650	V
ID, Impuls	240	A
RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V	30	MΩ
Qg	178	NC

Markierungsinformationen
 

Produktname	Paket	Markierung
OSG60R030HZF	TO247	OSG60R030HZ

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	600	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	80	A
Dauerablauf current1^), TC = 100 Grad		50
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	240	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	80	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	240	A
Leistung dissipation3^), TC = 25 Grad	PD	480	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	2500	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,26	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=1 MA
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	3,0		4,5	V	VDS=VGS, ID=2 MA,
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		0,028	0,030	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0,058			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
				-100		VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			10	μA	VDS = 600 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand	RG		2,1		Ω	ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		9343		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		708		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		15		PF
Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen	Co(er)		345		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen	Co(tr)		1913		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		52,1		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Anstiegszeit	tr		105,2		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		125,7		ns
Herbstzeit	tf		4,1		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		177,9		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		37,4		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		78,4		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		6,2		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,4	V	IS=80 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		186,6		ns	IST = 40 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		1,6		μC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		15,4		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, Start Tj=25 Grad