Transistor Enhancement Mode N-Kanal Power MOSFET To220f Osg80r380FF VdS-850V ID-33A RDS (EIN) -380milliohm QG-22,2nc für EV-Ladegerät Solar/USV

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: TO220F OSG80R380FF
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
Der  GreenMOS®  Hochspannungs  -MOSFET  nutzt  Ladungsausgleich  -Technologie , um  einen  außergewöhnlich niedrigen  Einschaltwiderstand  und  eine geringere  Gate -Ladung zu erreichen.  Es  wurde   entwickelt, um  Leitungsverluste zu minimieren  , eine überlegene  Schaltleistung   und  robuste  Lawinenleistung  zu bieten.
Die   GreenMOS®   Generic   Serie   ist   für     extreme   Schaltleistung     optimiert, um   Schaltverluste zu minimieren  .  Es   ist  für    Anwendungen mit hoher   Leistungsdichte     ausgelegt, um   höchste      Effizienzstandards zu erfüllen.

Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit

Anwendungen
      PC -Stromversorgung
      LED -Beleuchtung
       Telekommunikationsleistung
      Serverleistung  
      EV -Ladegerät
      Solar/USV


Wichtige  Leistungsparameter  

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min . @ Tj(max)	850	V
ID,  Impuls	33	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	380	MΩ
Qg	22,2	NC

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	800	V
Gate-Source -Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	11	A
Dauerablauf   current1), TC=100 Grad		6,9
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	33	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	11	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	6,9	A
Leistung  dissipation3), TC=25 Grad	PD	34	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	400	MJ
MOSFET  dv/dt  Robustheit, VDS  =0…640 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode   dv/dt, VDS  =0…640 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische  Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer  Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	3,68	C/W
Thermischer  Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62,5	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	800			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
		850				VGS  =0 V, ID  =250 μA, Tj  =150 Grad
Gate -Schwellenwert Spannung	VGS(th)	2,9		3,9	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand	RDS(EIN)		0,30	0,38	Ω	VGS  = 10 V, ID = 5,5  A
			0,69			VGS  = 10 V, ID = 5,5 A, TJ  = 150 GRAD
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS  = 30 V
				- 100		VGS  = -30 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			10	μA	VDS  =800 V, VGS  =0 V.

Bestellinformationen  

Paket Typ	Einheiten/ Rohr	Schläuche/  Innenbox	Einheiten/   Innenbox	Innenboxen / Karton	Einheiten/     Karton
TO220F-C	50	20	1000	6	6000
TO220F-J	50	20	1000	5	5000

Produktinformationen  

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
OSG80R380FF	TO220F	ja	ja	ja

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration