beschreibung: | Extrem geringe Schaltverluste |
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Eigenschaften: | Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit |
Anwendungen: | pc-Stromversorgung |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Von einer unabhängigen externen Prüfstelle geprüft
Parameter | Wert | Einheit |
VDS, min. @ Tj(max) | 700 | V |
ID, Impuls | 240 | A |
RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V | 35 | MΩ |
Qg | 153,6 | NC |
Produktname | Paket | Markierung |
OSG65R035HTF | TO247 | OSG65R035HT |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Spannung der Abflussquelle | VDS | 600 | V |
Gate-Source-Spannung | VGS | ±30 | V |
Dauerablauf current1), TC = 25 Grad | ID |
80 | A |
Dauerablauf current1), TC = 100 Grad | 50 | ||
Gepulster Ablauf current2), TC = 25 oC | ID, Impuls | 240 | A |
Dauerdiode vorwärts current1), TC=25 Grad | IST | 80 | A |
Diode gepulst current2), TC=25 oC | IS, Puls | 240 | A |
Leistung dissipation3), TC = 25 Grad | PD | 455 | W |
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5) | EAS | 1850 | MJ |
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V | dv/dt | 50 | V/ns |
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 15 | V/ns |
Betriebs- und Lagertemperatur | Tstg, Tj | -55 bis 150 | GRAD |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse | RθJC | 0,27 | C/W |
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) | RθJA | 62 | C/W |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Durchschlagspannung der Abflussquelle |
BVDSS |
600 | V |
VGS=0 V, ID=1 MA | ||
650 | VGS=0 V, ID=1 mA, Tj=150 Grad Celsius | |||||
Gate-Schwellenspannung | VGS(th) | 2,9 | 3,9 | V | VDS=VGS, ID=2 MA | |
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand |
RDS(EIN) |
0,024 | 0,028 | Ω |
VGS=10 V, ID=40 A | |
0,06 | VGS=10 V, ID=40A, TJ=150 GRAD CELSIUS | |||||
Leckstrom der Gate-Quelle | IGSS |
100 | Entfällt |
VGS = 30 V | ||
-100 | VGS = -30 V | |||||
Leckstrom der Abflussquelle | IDSS | 1 | μA | VDS = 600 V, VGS = 0 V. | ||
Gate-Widerstand | RG | 2,2 | Ω | ƒ=1 MHz, offener Drain |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Eingangskapazität | Ciss | 7373 | PF | VGS = 0 V, VDS = 50 V, ƒ = 100 kHz |
||
Ausgangskapazität | Coss | 504 | PF | |||
Kapazität der Umkehrübertragung | Crs | 17 | PF | |||
Einschaltverzögerung | td(ein) | 42,5 | ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A |
||
Anstiegszeit | tr | 71 | ns | |||
Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 126,6 | ns | |||
Herbstzeit | tf | 3,7 | ns |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Gesamtgebühr für Gate | Qg | 181,8 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A |
||
Gate-Source-Gebühr | Qgs | 36,5 | NC | |||
Gate-Drain-Ladung | Qgd | 49,5 | NC | |||
Gate-Plateauspannung | Vplateau | 5,5 | V |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Diodenvorwärtsspannung | VSD | 1,3 | V | IS=80 A, VGS=0 V | ||
Rückfahrzeit | trr | 584 | ns | VR = 400 V, IS = 40 A, Di/dt=100 A/μs |
||
Rückfahrladung | Qrr | 12,8 | μC | |||
Spitzenstrom für Rücklauf | Irrm | 39,8 | A |
Pakettyp | Einheiten/Rohr | Schläuche/Innenbox | Einheiten/Innenbox | Innenboxen/Karton | Einheiten/Karton |
TO247-C | 30 | 11 | 330 | 6 | 1980 |
TO247-J | 30 | 20 | 600 | 5 | 3000 |
Produkt | Paket | Pb-Frei | RoHS | Halogenfrei |
OSG60R028HTF | TO247 | ja | ja | ja |