Fertigungstechnik: | Diskrete Geräte |
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Material: | Element Semiconductor |
Art: | N-Typ-Halbleiter |
Paket: | DIP (Dualin-line Package) |
Signalverarbeitung: | Simulation |
Anwendung: | Fernsehen |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Allgemeine Beschreibung
Der Hochspannungs-MOSFET nutzt die Ladungsausgleichstechnologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten. Die Generic-Serie ist für extreme Schaltleistung optimiert, um Schaltverluste zu minimieren. Es ist für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte ausgelegt, um höchste Effizienzstandards zu erfüllen.
Funktionen
NIEDRIGER RDS(EIN) UND FOM
Extrem geringe Schaltverluste
Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
Anwendungen
LED -Beleuchtung
Telekommunikationsleistung
Solar/USV
Leistung abschalten
PC-Stromversorgung
EV-Ladegerät
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