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Hochspannungs-Pdfn 8*8-Gehäuse Osg80r300jf, ein N-Kanal 800W 300V Leistungs-Mosfet

Fertigungstechnik: Diskrete Geräte
Material: Element Semiconductor
Art: N-Typ-Halbleiter
Paket: DIP (Dualin-line Package)
Signalverarbeitung: Simulation
Anwendung: Fernsehen

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Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Hersteller/Werk, Handelsunternehmen
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Überblick

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
OSG80R300JF
Modell
PC817
Chargennummer
2010+
Marke
Orientalsemi
Transportpaket
Carton
Spezifikation
35x37x30cm
Warenzeichen
Orientalsemi
Herkunft
China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
Der Hochspannungs-MOSFET nutzt die Ladungsausgleichstechnologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten. Die Generic-Serie ist für extreme Schaltleistung optimiert, um Schaltverluste zu minimieren. Es ist für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte ausgelegt, um höchste Effizienzstandards zu erfüllen.


Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit

Anwendungen
      LED -Beleuchtung
     Telekommunikationsleistung
      Solar/USV
      Leistung abschalten
   PC-Stromversorgung
   EV-Ladegerät

 

High Voltage Pdfn 8*8 Package Osg80r300jf Single N-Channel 800W 300V Power Mosfet

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Lieferkette

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Umweltfreundliche Produktdeklaration

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