• Transistor Enhancement Mode TO247 Osg65r074ht3zf VdS-700V ID-138a RDS (EIN) -74milliohm QG-65,7nc für Solar-Wechselrichter Super Charger N-Kanal Power MOSFET
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Transistor Enhancement Mode TO247 Osg65r074ht3zf VdS-700V ID-138a RDS (EIN) -74milliohm QG-65,7nc für Solar-Wechselrichter Super Charger N-Kanal Power MOSFET

Zertifizierung: RoHS, ISO
Gestalten: ST
Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
Funktion: Schalttransistor
Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
TO247 OSG65R074HT3ZF
Struktur
planar
Verkapselungsstruktur
Chip-Transistor
Leistungspegel
Hohe Energie
Stoff
Silizium
Transportpaket
Carton
Spezifikation
35x30x37cm
Warenzeichen
Orientalsemi
Herkunft
China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
Over 1kk/Month

Produktbeschreibung


Allgemeine  Beschreibung
Der  GreenMOS®  Hochspannungs  -MOSFET  nutzt  Ladungsausgleich  -Technologie , um  einen  außergewöhnlich niedrigen  Einschaltwiderstand  und  eine geringere  Gate -Ladung zu erreichen.  Es  wurde   entwickelt, um  Leitungsverluste zu minimieren  , eine überlegene  Schaltleistung   und  robuste  Lawinenleistung  zu bieten.
Die  GreenMOS® Z -Serie  ist   mit  einer Fast  Recovery  Diode (FRD) integriert, um  die  Rückkehrzeit  zu minimieren. Es  eignet   sich für  resonante  Schalttopologien  , um  einen  höheren  Wirkungsgrad, eine höhere  Zuverlässigkeit  und einen kleineren  Formfaktor  zu erreichen.

Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit

Anwendungen
      PC -Stromversorgung
      Stromversorgung des Servers   
      Telekommunikation
      Solar -Inverter
      Super  Ladegerät  für  Autos

Wichtige  Leistungsparameter  

Parameter Wert Einheit
VDS, min . @ Tj(max) 700 V
ID,  Impuls 138 A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V 74
Qg 65,7 NC


Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter Symbol Wert Einheit
Spannung der Abflussquelle   VDS 650 V
Gate-Source -Spannung VGS ±30 V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad
ID
46
A
Dauerablauf   current1), TC=100 Grad 29
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC ID,  Impuls 138 A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad IST 46 A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad IS, Puls 138 A
Leistung  dissipation3), TC=25 Grad PD 379 W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5) EAS 705 MJ
MOSFET  dv/dt  Robustheit, VDS  =0…480 V dv/dt 50 V/ns
Rückdiode   dv/dt, VDS  =0…480 V, ISDID dv/dt 50 V/ns
Betriebs - und  Lagertemperatur   Tstg , Tj -55 bis 150 GRAD


Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung  
Durchschlagspannung der Abflussquelle           
BVDSS
650    
V
VGS  =0 V, ID  =1 MA
700     VGS  =0 V, ID  =1 MA,
TJ  = 150 Grad
Gate -Schwellenwert
Spannung
VGS(th) 3,0   5,0 V VDS  =VGS  , ID  =1 MA
Abflussquelle
Widerstand im Zustand „ein“  

RDS(EIN)
  68 74
VGS  = 10 V, ID = 23,5  A
  178   VGS  = 10 V, ID = 23,5 A, TJ  = 150 GRAD
Gate-Quelle
Leckstrom  

IGSS
    100
Entfällt
VGS  = 30 V
    - 100 VGS  = -30 V
Abflussquelle
Leckstrom  
IDSS     10 μA VDS  =650 V, VGS  =0 V.
 Gate-Widerstand RG   8,3   Ω ƒ=1 MHz, offener  Drain


Gate -Ladeeigenschaften  

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung  
Gesamtgebühr  für Gate   Qg   65,7   NC
VGS  = 10 V,
VDS  = 400 V,
ID=20  A
Gate-Source -Gebühr Qgs   24,5   NC
Gate-Drain -Ladung Qgd   19,4   NC
Gate -Plateauspannung   Vplateau   7   V

Hinweis
1)    berechneter  Dauerstrom   auf Basis  der  maximal  zulässigen  Grenzschichttemperatur .
2)    sich wiederholende  Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur  begrenzt.
3)    Pd  basiert   auf  der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung  des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)     der  Wert   von RθJA  wird   mit  dem  Gerät  auf  1 in 2 FR-4 Board  mit 2oz montiert gemessen. Kupfer, in  einer  ruhigen  Luftumgebung   mit  Ta=25 Grad
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=80 mH, Start  Tj  =25 Grad


Bestellinformationen  

Paket
Typ
Einheiten/
Rohr
Schläuche/  Innenbox   Einheiten/   Innenbox   Innenboxen / Karton   Einheiten/     Karton  
TO247-P 30 11 330 6 1980
TO247-J 30 20 600 5 3000



Produktinformationen  
 
Produkt Paket Pb -Frei RoHS Halogenfrei  
OSG65R074HT3ZF TO247 ja ja ja


Lieferkette

O247 Osg65r074ht3zf Vds-700V ID-138A RDS (ON) -74milliohm Qg-65.7nc Solar Invertor Super Charger Power Mosfet



Umweltfreundliche Produktdeklaration

O247 Osg65r074ht3zf Vds-700V ID-138A RDS (ON) -74milliohm Qg-65.7nc Solar Invertor Super Charger Power Mosfet
 







 

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Stammkapital
10000000 RMB
Blumenbeet
501~1000 Quadratmeter