Zertifizierung: | RoHS, ISO |
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Gestalten: | Metall-Porzellan-Schlauch |
Abschirmungstyp: | Sharp Cutoff Schirmungsrohr |
Kühlungsmethode: | Luftgekühlte Rohr |
Funktion: | Mikrowelle Transistor, Schalttransistor |
Arbeitsfrequenz: | Hochfrequenz |
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Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.Parameter | Wert | Einheit |
VDS | 650 | V |
ID, Impuls | 96 | A |
RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V | 99 | MΩ |
Qg | 66,6 | NC |
Produktname | Paket | Markierung |
OSG65R099HSZAF | TO247 | OSG65R099HSZA |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Spannung der Abflussquelle | VDS | 650 | V |
Gate-Source-Spannung | VGS | ±30 | V |
Dauerablauf current1), TC = 25 Grad | ID |
32 | A |
Dauerablauf current1), TC = 100 Grad | 20 | ||
Gepulster Ablauf current2), TC = 25 oC | ID, Impuls | 96 | A |
Dauerdiode vorwärts current1), TC=25 Grad | IST | 32 | A |
Diode gepulst current2), TC=25 oC | IS, Puls | 96 | A |
Leistung dissipation3) , TC = 25 Grad | PD | 278 | W |
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5) | EAS | 648 | MJ |
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V | dv/dt | 50 | V/ns |
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 50 | V/ns |
Betriebs- und Lagertemperatur | Tstg, Tj | -55 bis 150 | GRAD |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse | RθJC | 0,45 | C/W |
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) | RθJA | 62 | C/W |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Durchschlagspannung der Abflussquelle | BVDSS | 650 | V | VGS=0 V, ID=1 MA | ||
Gate-Schwellenspannung | VGS(th) | 3,0 | 4,5 | V | VDS=VGS, ID=1 MA | |
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand |
RDS(EIN) |
0,090 | 0,099 | Ω |
VGS=10 V, ID=16 A | |
0,21 | VGS=10 V, ID=16 A, TJ=150 GRAD | |||||
Leckstrom der Gate-Quelle | IGSS |
100 | Entfällt |
VGS = 30 V | ||
-100 | VGS = -30 V | |||||
Leckstrom der Abflussquelle | IDSS | 10 | μA | VDS = 650 V, VGS = 0 V. | ||
Gate-Widerstand | RG | 7,8 | Ω | ƒ=1 MHz, offener Drain |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Eingangskapazität | Ciss | 3988 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz |
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Ausgangskapazität | Coss | 210 | PF | |||
Kapazität der Umkehrübertragung | Crs | 7,4 | PF | |||
Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen | Co(er) | 124 | PF | VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V |
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Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen | Co(tr) | 585 | PF | |||
Einschaltverzögerung | td(ein) | 46,0 | ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20 A |
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Anstiegszeit | tr | 60,3 | ns | |||
Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 93,0 | ns | |||
Herbstzeit | tf | 3,7 | ns |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Gesamtgebühr für Gate | Qg | 66,6 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A |
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Gate-Source-Gebühr | Qgs | 20,6 | NC | |||
Gate-Drain-Ladung | Qgd | 24,8 | NC | |||
Gate-Plateauspannung | Vplateau | 6,7 | V |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Diodenvorwärtsspannung | VSD | 1,3 | V | IS=32 A, VGS=0 V | ||
Rückfahrzeit | trr | 151,7 | ns | IST = 20 A, Di/dt=100 A/μs |
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Rückfahrladung | Qrr | 1,0 | μC | |||
Spitzenstrom für Rücklauf | Irrm | 12,3 | A |
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