Transistorverbesserung -sic Diode TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V maximale Anschlussstelle Temperature175, IC, Pulse-320A VCE (Sat) -1,45V QG-168nc N-Kanal-Leistung IGB

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: IGBT-SiC Diode TO247-4L OST80N65H4EWF
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
OST80N65H4EWF   nutzt   die patentierte       Trident-Gate   Bipolar   Transistor (TGBTTM) Technologie von Oriental-Semi , um  extrem   niedrige  VCE(Sat), niedrige  Gate -Ladung und  ausgezeichnete  Schaltleistung zu bieten.  Dieses  Gerät  ist  für  Schaltfrequenz       -Wandler im mittleren bis hohen Bereich geeignet.



Funktionen
      Fortschrittliche  TGBTTM -Technologie
      Ausgezeichnete  Leitungs - und  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit
      Schnelle  und  weiche  antiparallele  SiC -Diode



Anwendungen
      Induktionswandler  
      Unterbrechungsfreie  Stromversorgungen  



Wichtige  Leistungsparameter  

Parameter	Wert	Einheit
VCES,  min . @ 25 Grad	650	V
Maximale  Temperatur der Verbindung	175	GRAD
IC, Impuls	320	A
VCE(Sat), Typ . @ VGE=15  V.	1,5	V
Qg	168	NC

Absolute  Höchstwerte   bei  TVJ=25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Kollektoremitterspannung	VCES	650	V
Gate -Emitter -Spannung	VGES	±20	V
Transiente  Gate -Emitter -Spannung, TP≤10 µs, D<0,01		±30	V
Dauerkollektor   current1), TC=25 Grad	IC	114	A
Dauerkollektor   current1), TC=100 Grad		80	A
Gepulster  Kollektor  current2), TC=25 Grad	IC, Impuls	320	A
Diode  vorwärts  current1), TC=25 Grad	WENN	80	A
Diode  vorwärts  current1), TC=100 Grad		60	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	WENN,  Puls	240	A
Leistung  dissipation3), TC=25 Grad	PD	395	W
Leistung  dissipation3), TC=100 Grad		198	W
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg, Tvj	-55 bis 175	GRAD
Kurzschlussfestigkeit     VGE  =15 V, VCC≤400  V Zulässige  Anzahl   von Kurzschlüssen <1000 Zeit  zwischen  Kurzschlüssen :≥1,0  S TVJ  = 150 Grad	SC	5	μs

Thermische  Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
IGBT -Wärmewiderstand , Anschlussgehäuse	RθJC	0,38	C/W
Thermowiderstand der Diode  , Anschlussgehäuse	RθJC	0,65	C/W
Thermischer  Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	40	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  TVJ=25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung Kollektor-Emitter	V(BR)CES	650			V	VGE  =0  V, IC  =0,5 MA
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter	VCE (Sat)		1,5	1,8	V	VGE  = 15 V, IC = 80 A TVJ = 25 Grad
			1,7		V	VGE  =15 V, IC=80 A, TVJ = 125 Grad
			1,85			VGE  =15 V, IC=80 A, TVJ = 175 Grad
Gate-Emitter       -Schwellenspannung	VGE(th)	3,5	4,5	5,5	V	VCE  =VGE , ID =0,5 MA
Diode  vorwärts Spannung	VF		2,2		V	VGE  =0  V, WENN  =40 A TVJ = 25 Grad
			2,8			VGE  =0  V, WENN  =40 A, TVJ = 125 Grad
			3,4			VGE  =0  V, WENN  =40 A, TVJ = 175 Grad
Gate-Sender Leckstrom	IGES			100	Entfällt	VCE  =0 V, VGE=20  V.
Nullabgleich  -Spannung Kollektorstrom	ICES			50	μA	VCE  =650 V, VGE  =0 V.

Gate -Ladeeigenschaften  

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr  für Gate	Qg		168		NC	VGE  = 15 V, VCC = 520 V, IC = 80  A
Gate-Emitter-Ladung	Qge		74		NC
Gate-Collector-Ladung	Qgc		30		NC

  Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Rücklaufzeit der Diode	trr		41		ns	VR = 400 V, WENN = 80 A, DIF/dt=500 A/μs
Rücklaufladung der Diode	Qrr		141		NC
Diode  Spitzenwert Rückkehrstrom	Irrm		7		A

Hinweis
1)    berechneter  Dauerstrom   auf Basis  der  maximal  zulässigen  Grenzschichttemperatur .
2)    sich wiederholende  Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur  begrenzt.
3)    Pd  basiert   auf  der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung  des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.



Bestellinformationen  

Paket Typ	Einheiten/ Rohr	Schläuche/  Innenbox	Einheiten/   Innenbox	Innenboxen / Karton	Einheiten/     Karton
TO247-4L-S	30	15	450	4	1800

Produktinformationen  

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
OST80N65H4EWF	TO247-4L	ja	ja	ja

 

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