Zertifizierung: | RoHS, ISO |
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Gestalten: | Metall-Porzellan-Schlauch |
Abschirmungstyp: | Sharp Cutoff Schirmungsrohr |
Kühlungsmethode: | Luftgekühlte Rohr |
Funktion: | Schalttransistor |
Arbeitsfrequenz: | Hochfrequenz |
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Parameter | Wert | Einheit |
VDS, min . @ Tj(max) | 700 | V |
ID, Impuls | 45 | A |
RDS(EIN), MAX . @ VGS =10V | 290 | MΩ |
Qg | 18 | NC |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Spannung der Abflussquelle | VDS | 650 | V |
Gate-Source -Spannung | VGS | ±30 | V |
Dauerablauf current1), TC=25 Grad | ID |
15 | A |
Dauerablauf current1), TC=100 Grad | 9,3 | ||
Gepulster Ablauf current2), TC=25 oC | ID, Impuls | 45 | A |
Dauerdiode vorwärts current1), TC=25 Grad | IST | 15 | A |
Diode gepulst current2), TC=25 Grad | IS, Puls | 45 | A |
Leistung dissipation3), TC=25 Grad | PD | 32 | W |
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5) | EAS | 400 | MJ |
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS =0…480 V | dv/dt | 50 | V/ns |
Rückdiode dv/dt, VDS =0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 15 | V/ns |
Betriebs - und Lagertemperatur | Tstg , Tj | -55 bis 150 | GRAD |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Durchschlagspannung der Abflussquelle | BVDSS |
650 | V |
VGS =0 V, ID =250 ΜA | ||
700 | 770 | VGS =0 V, ID =250 μA, Tj =150 Grad | ||||
Gate -Schwellenwert Spannung |
VGS(th) | 2,0 | 4,0 | V | VDS =VGS , ID =250 ΜA | |
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand | RDS(EIN) |
0,26 | 0,29 | Ω |
VGS = 10 V, ID = 7,5 A | |
0,68 | VGS = 10 V, ID = 7,5 A, TJ = 150 GRAD | |||||
Gate-Quelle Leckstrom |
IGSS |
100 | Entfällt |
VGS = 30 V | ||
- 100 | VGS = -30 V | |||||
Abflussquelle Leckstrom |
IDSS | 1 | μA | VDS =650 V, VGS =0 V. |
Paket Typ |
Einheiten/ Rohr |
Schläuche/ Innenbox | Einheiten/ Innenbox | Innenboxen / Karton | Einheiten/ Karton |
TO220F-C | 50 | 20 | 1000 | 6 | 6000 |
Produkt | Paket | Pb -Frei | RoHS | Halogenfrei |
OSG65R290FF | TO220F | ja | ja | ja |
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