Transistor Enhancement TO247 Osg60r074hszf VdS-650V ID-141A RDS (EIN) -74milliohm QG-66,8nc Für Motortreiber EV-Ladegerät N-Kanal-Leistungs-MOSFET

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: TO247 OSG60R074HSZF
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35cm x 37cm x 30cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
Der  GreenMOS®  Hochspannungs  -MOSFET  nutzt  Ladungsausgleich  -Technologie , um  einen  außergewöhnlich niedrigen  Einschaltwiderstand  und  eine geringere  Gate -Ladung zu erreichen.  Es  wurde   entwickelt, um  Leitungsverluste zu minimieren  , eine überlegene  Schaltleistung   und  robuste  Lawinenleistung  zu bieten.
Die  GreenMOS® Z -Serie  ist   mit  einer Fast  Recovery  Diode (FRD) integriert, um  die  Rückkehrzeit  zu minimieren.  Es  eignet   sich für  resonante  Schalttopologien  , um  einen  höheren  Wirkungsgrad, eine höhere  Zuverlässigkeit  und einen kleineren  Formfaktor  zu erreichen.

Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Stabilität  und  Gleichmäßigkeit
      Ultraschnelle  und  robuste  Diode  

Anwendungen
      PC -Stromversorgung
       Telekommunikationsleistung
      Serverleistung  
      EV -Ladegerät
      Motortreiber  

Wichtige  Leistungsparameter  

Parameter	Wert	Einheit
VDS, min . @ Tj(max)	650	V
ID,  Impuls	141	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	74	MΩ
Qg	66,8	NC

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	600	V
Gate-Source -Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	47	A
Dauerablauf   current1), TC=100 Grad		30
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	141	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	47	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	141	A
Leistung  dissipation3), TC=25 Grad	PD	278	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	1000	MJ
MOSFET  dv/dt  Robustheit, VDS  =0…480 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode   dv/dt, VDS  =0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische  Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer  Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,45	C/W
Thermischer  Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	600			V	VGS  =0 V, ID  =1 MA
		650				VGS  =0 V, ID  =1 MA, TJ  = 150 Grad
Gate -Schwellenwert Spannung	VGS(th)	3,0		4,5	V	VDS  =VGS  , ID  =1 MA
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand	RDS(EIN)		0,066	0,074	Ω	VGS  = 10 V, ID = 23,5  A
			0,16			VGS  = 10 V, ID = 23,5 A, TJ  = 150 GRAD
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS  = 30 V
				- 100		VGS  = -30 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			10	μA	VDS  =600 V, VGS  =0 V.
Gate-Widerstand	RG		8		Ω	ƒ=1 MHz , offener  Drain

Dynamische  Merkmale
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		3982		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		354		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		9,3		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		48,3		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, RG=2 Ω, ID=25  A
Anstiegszeit	tr		88		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		89,3		ns
Herbstzeit	tf		7,2		ns

Gate -Ladeeigenschaften  
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr  für Gate	Qg		66,8		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, ID=25  A
Gate-Source -Gebühr	Qgs		24,4		NC
Gate-Drain -Ladung	Qgd		23,5		NC
Gate -Plateauspannung	Vplateau		7,0		V

  Eigenschaften Der Körperdiode
 

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,4	V	IST = 47 A, VGS  = 0 V
Rückfahrzeit	trr		158,3		ns	IST = 25 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		1,1		UC
Spitzenstrom  für Rücklauf	Irrm		12,5		A

Hinweis
1)    berechneter  Dauerstrom   auf Basis  der  maximal  zulässigen  Grenzschichttemperatur .
2)    sich wiederholende  Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur  begrenzt.
3)    Pd  basiert   auf  der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung  des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)     der  Wert   von RθJA  wird   mit  dem  Gerät  auf  1 in 2 FR-4 Board  mit 2oz montiert gemessen. Kupfer, in  einer  ruhigen  Luftumgebung   mit  Ta=25 Grad
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=60 mH, Start  Tj  =25 Grad


Bestellinformationen  

Paket Typ	Einheiten/ Rohr	Schläuche/  Innenbox	Einheiten/   Innenbox	Innenboxen / Karton	Einheiten/     Karton
TO247-C	30	11	330	6	1980
TO247-J	30	20	600	5	3000

Produktinformationen  
 

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
OSG60R074HSZF	TO247	ja	ja	ja

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration