Transistor Enhancement TO247 Sfs190n10hf VdS-100 ID-800A RDS (EIN) -2,3milliohm QG-213nc Für Schaltspannungsregler N-Kanal-Leistungs-MOSFET

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Modell Nr.: SFS190N10HF
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: 35x30x37cm
• Warenzeichen: Orientalsemi
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: Over 1kk/Month

Produktbeschreibung

Allgemeine  Beschreibung
FSMOS®    MOSFET   basiert    auf   dem   einzigartigen  Gerätedesign von Oriental Semiconductor  , um  niedrige   RDS(ON), niedrige  Gate -Ladung, schnelles  Schalten  und  ausgezeichnete  Lawineneigenschaften  zu erreichen. Die  High  Vth  Serie ist  speziell   für den  Einsatz  in  Motorsteuerungssystemen    mit  einer Antriebsspannung    von mehr  als 10V konzipiert.
 

Funktionen
      NIEDRIGER  RDS(EIN) UND  FOM
      Extrem  geringe  Schaltverluste  
      Ausgezeichnete  Zuverlässigkeit  und  Gleichmäßigkeit
      Schnelles  Umschalten  und  sanftes  Recovery



Anwendungen
      PD -Ladegerät
      Motortreiber  
      Schaltspannungsregler   
      DC/DC -Wandler
      Schaltnetzteil    




Wichtige  Leistungsparameter  

Parameter	Wert	Einheit
VDS	100	V
ID,  Impuls	800	A
RDS(EIN), MAX . @ VGS  =10V	2,3	MΩ
Qg	213	NC
PD	450	W

Absolute  Höchstwerte   bei  Tj  =25 Grad,  sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	100	V
Gate-Source -Spannung	VGS	±20	V
Dauerablauf   current1), TC=25 Grad	ID	340	A
Gepulster  Ablauf  current2), TC=25 oC	ID,  Impuls	800	A
Dauerdiode   vorwärts  current1), TC=25 Grad	IST	340	A
Diode  gepulst  current2), TC=25 Grad	IS, Puls	800	A
Leistung  dissipation3), TC = 25 Grad	PD	450	W
Lawinenabgang    mit einem Impuls energy5)	EAS	540	MJ
Betriebs - und  Lagertemperatur	Tstg , Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische  Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer  Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,27	C/W
Thermischer  Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische  Eigenschaften  bei  Tj  =25 oC , sofern  nicht anders  angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	100			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
Gate -Schwellenwert Spannung	VGS(th)	2		4	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		2,1	2,3	MΩ	VGS  = 10 V, ID = 50 A
Gate-Quelle Leckstrom	IGSS			100	Entfällt	VGS  = 20 V
				- 100		VGS  = -20 V
Abflussquelle Leckstrom	IDSS			1	μA	VDS  =100 V, VGS  =0 V.
Gate-Widerstand	RG		1,2		Ω	ƒ=1 MHz, offener  Drain

Dynamische  Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		16400		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 25 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		4700		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		388		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		38		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, RG=2 Ω, ID=50  A
Anstiegszeit	tr		31		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		83		ns
Herbstzeit	tf		28		ns

Gate -Ladeeigenschaften  

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr  für Gate	Qg		213		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, ID=50A
Gate-Source -Gebühr	Qgs		71		NC
Gate-Drain -Ladung	Qgd		41		NC
Gate -Plateauspannung	Vplateau		4,8		V

 

Gate -Ladeeigenschaften  

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr  für Gate	Qg		213		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, ID=50A
Gate-Source -Gebühr	Qgs		71		NC
Gate-Drain -Ladung	Qgd		41		NC
Gate -Plateauspannung	Vplateau		4,8		V

  Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IST = 30 A, VGS  = 0 V
Rückfahrzeit	trr		123		ns	VR = 50 V, IST = 50 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		309		NC
Spitzenstrom  für Rücklauf	Irrm		4,4		A

Hinweis
1)    berechneter  Dauerstrom   auf Basis  der  maximal  zulässigen  Grenzschichttemperatur .
2)    sich wiederholende  Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur  begrenzt.
3)    Pd  basiert   auf  der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung  des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4)    VDD=50V,VGS=10 V, L=0,3 mH, Start  Tj  =25 Grad




 

Lieferkette

Umweltfreundliche Produktdeklaration