Zertifizierung: | RoHS, ISO |
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Gestalten: | Metall-Porzellan-Schlauch |
Abschirmungstyp: | Sharp Cutoff Schirmungsrohr |
Kühlungsmethode: | Luftgekühlte Rohr |
Funktion: | Schalttransistor |
Arbeitsfrequenz: | Hochfrequenz |
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Allgemeine Beschreibung
FSMOS® MOSFET basiert auf dem einzigartigen Gerätedesign von Oriental Semiconductor , um niedrige RDS(ON), niedrige Gate -Ladung, schnelles Schalten und ausgezeichnete Lawineneigenschaften zu erreichen. Die High Vth Serie ist speziell für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen mit einer Antriebsspannung von mehr als 10V konzipiert.Parameter | Wert | Einheit |
VDS | 150 | V |
ID, Impuls | 720 | A |
RDS(EIN), MAX . @ VGS =10V | 5 | MΩ |
Qg | 149 | NC |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Spannung der Abflussquelle | VDS | 150 | V |
Gate-Source -Spannung | VGS | ±20 | V |
Dauerablauf current1), TC=25 Grad | ID | 180 | A |
Gepulster Ablauf current2), TC=25 oC | ID, Impuls | 720 | A |
Dauerdiode vorwärts current1), TC=25 Grad | IST | 180 | A |
Diode gepulst current2), TC=25 Grad | IS, Puls | 720 | A |
Leistung dissipation3), TC = 25 Grad | PD | 450 | W |
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5) | EAS | 135 | MJ |
Betriebs - und Lagertemperatur | Tstg , Tj | -55 bis 150 | GRAD |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse | RθJC | 0,27 | C/W |
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) | RθJA | 62,5 | C/W |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Durchschlagspannung der Abflussquelle | BVDSS | 150 | V | VGS =0 V, ID =250 ΜA | ||
Gate -Schwellenwert Spannung |
VGS(th) | 3 | 4,5 | V | VDS =VGS , ID =250 ΜA | |
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“ |
RDS(EIN) | 4 | 5 | MΩ | VGS = 10 V, ID = 60 A | |
Gate-Quelle Leckstrom |
IGSS |
100 | Entfällt |
VGS = 20 V | ||
- 100 | VGS = -20 V | |||||
Abflussquelle Leckstrom |
IDSS | 1 | μA | VDS =120 V, VGS =0 V. | ||
Gate-Widerstand | RG | 1,2 | Ω | ƒ=1 MHz, offener Drain |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Eingangskapazität | Ciss | 13467 | PF | VGS = 0 V, VDS = 25 V, ƒ = 100 kHz |
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Ausgangskapazität | Coss | 4347 | PF | |||
Kapazität der Umkehrübertragung | Crs | 295 | PF | |||
Einschaltverzögerung | td(ein) | 43 | ns | VGS = 10 V, VDS = 80 V, RG=2 Ω, ID=40 A |
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Anstiegszeit | tr | 37 | ns | |||
Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 74 | ns | |||
Herbstzeit | tf | 26 | ns |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Gesamtgebühr für Gate | Qg | 149 | NC | VGS = 10 V, VDS = 80 V, ID=40A |
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Gate-Source -Gebühr | Qgs | 56 | NC | |||
Gate-Drain -Ladung | Qgd | 28 | NC | |||
Gate -Plateauspannung | Vplateau | 5,4 | V |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Diodenvorwärtsspannung | VSD | 1,3 | V | IST = 20 A, VGS = 0 V |
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Rückfahrzeit | trr | 130 | ns | VR = 80 V, IST = 40 A, Di/dt=100 A/μs |
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Rückfahrladung | Qrr | 497 | NC | |||
Spitzenstrom für Rücklauf | Irrm | 6,2 | A |
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