4N ATO Target SnO2: Sb2o3 Rotary Targets/Flat Targets

• Application: Industrial
• Formel: Sno2:Sb2o3
• Klassifizierung: Ceranic Traget
• Sortenstandard: Industriequalität
• Zertifizierung: iso
• Form: Rotary,Flat,Round
• Modell Nr.: CYT-ATO
• Transportpaket: Wooden Box
• Spezifikation: Customized Size
• Warenzeichen: CANYUAN
• Herkunft: China
• Produktionskapazität: 1000PCS

Produktbeschreibung

PRODUKTBESCHREIBUNG

ATO-Zielmaterial ist Zinnoxid-Antimon-Zielmaterial, das hauptsächlich aus mit Antimonoxid dotiertem Zinnoxid besteht. Es ist ein N-Typ Halbleitermaterial und ein neuer Typ von transparentem leitfähigem Oxidmaterial, das in den letzten Jahren entwickelt wurde. Es hat hervorragende optische, elektrische und thermische Eigenschaften.

Es hat hervorragende Eigenschaften wie große verbotene Bandbreite (≥3,6eV), gute elektrische Leitfähigkeit, hohe sichtbare Lichtdurchlässigkeit, Strahlungsbeständigkeit und gute thermische Stabilität. Das Sintern von ATO-Zielmaterialien wird in der Regel mit dem Austragplasma-Sinterverfahren durchgeführt

(SPS), die Größe und der Anteil werden nach Kundenwunsch angepasst.

Technische Parameter

Reinheit: 99,99 %; gemeinsames Verhältnis: SnO2:Sb2O3 = 90:10(Gew.-%), SnO2:Sb2O3 = 95:5(Gew.-%).

Anwendungsbereiche: Flachbildschirme, Solarzellen und andere optoelektronische Materialien.

Wir können flache ATO und rotierende Sputterziele machen.
Spezifikation und Reinheit können individuell angepasst werden.
Die Beschreibung und Zusammensetzung Analyse Tabelle von 4N ATO  wie folgt:

Zielspezifikation
Anwendung	PVD-Sputtermaterialien
Material	ATO (SnO2:Sb2O3)
Reinheit	4N
Größe	Angepasst
Dicke	Angepasst
Form	Drehsputterziel, Ringtyp, Blechtyp, Platt-Typ und Rohrtyp
Dichte	-g/cm3
Schmelzpunkt	-ºC
Methode erzeugen	HÜFTE

Unser Vorteil

Vorgang

Bild Wird Verpackt

Anwendung:

Produkt In Beziehung Zu Bringen

Material	Reinheit (N)	Komponenten (wt%)	Dichte	Schmelzen  Punkt	Thermisch Leitfähigkeit (WM-1K-1)	Koeffizient von  Erweiterung (10-6k-1)	Produktion  Prozess
Al-Legierung	5N	-	2,7	660	235	23,1	Schmelzen
Cr	3N5	-	7,22	1907	94	4,9	HÜFTE
Cu	4N	-	8,9	1084	400	16,5	Schmelzen
Mo-Legierung	3N5	-	10,28	2623	139	4,8	HÜFTE
Anm.	4N	-	8,6	2477	54	7,3	Schmelzen
Ta	4N	-	16,7	3017	57	6,3	Schmelzen
Si	4N	-	2,33	1414	150	2,6	Sintern Und Sprühen
TI	5N	-	4,5	1670	22	8,6	Schmelzen
W	4N	-	19,25	3422	174	4,5	HÜFTE
AZO	3N5	98:2 Uhr	5,6	1975	22	1,5	Sintern
ITO	4N	90:10 Uhr	7,15	2000	15	2,0	Sintern
GZO	3N5	WIE GEWÜNSCHT	7,15	-	-	-	Sintern
IGZO	4N	WIE GEWÜNSCHT	-	-	-	-	Sintern
NBox	4N	-	4,6	1460	5	1,5	Sintern Und Sprühen
TiOx	4N	-	4,23	1800	4	7,14	Sintern Und Sprühen