99,999 % Hochreine Monokristalline Silizium-Sputtertarget-Platte/Silizium-Keramik Ziel

• Application: Industrial
• Formel: Zirkonium
• Klassifizierung: Metal Traget
• Sortenstandard: Industriequalität
• Zertifizierung: iso
• Form: Rotary,Flat,Round
• Modell Nr.: CYT-MoSi
• Transportpaket: Wooden Box
• Spezifikation: Customized Size
• Warenzeichen: CANYUAN
• Herkunft: China
• Produktionskapazität: 1000PCS

Produktbeschreibung

 

Silizium hat zwei Allotropes, eines ist kristallines Silizium und eines ist amorphes Silizium. Kristallines Silizium ist stahlgrau und amorphes Silizium ist schwarz. Kristallines Silizium ist ein atomarer Kristall, hart und glänzend, und hat Halbleitereigenschaften. Hauptsächlich verwendet, um hochreine Halbleiter, hochtemperaturbeständige Materialien, optische Faserkommunikationsmaterialien, organische Siliziumverbindungen, Legierungen usw. herzustellen und werden in der Luft- und Raumfahrt, Elektronik und Elektrik, im Bauwesen, im Transport, in der Energie, Chemische Industrie, Textil, Lebensmittel, Leichtindustrie, Medizin, Landwirtschaft und andere Industrien.

Silizium-Sputtertargets können in zwei Typen unterteilt werden: Einkristall und polykristallin. Wir produzieren planare Silizium-Sputterziele über die Czochralski Kristallwachstumsmethode. Hauptsächlich in Halbleiterchips, LCD-Flachbildschirmen, dekorativer und funktioneller Beschichtungsindustrie, Solarmodulen, Datenspeicherindustrie (optische Platten), optischer Kommunikationsindustrie, Glasbeschichtungsindustrie (Bauglas und Automobilglas), Korrosionsbeständigkeit und Verschleißfestigkeit (Oberflächenmodifikation) und anderen Bereichen eingesetzt.

Häufig verwendete Silizium-Zielformen sind planare und rotierende Typen; Spezifikationen und Reinheit können angepasst werden. Das Bild unten ist die Tabelle zur Analyse der Zusammensetzung des 5N hochreinen Silizium-Targets:

Spezifikation Der Chromziele
Anwendung	PVD-Sputtermaterialien
Material	Silizium
Reinheit	4N5
Größe	Angepasst
Dicke	Angepasst
Form	Rotary Chromium Sputtering Target, Ring Type, Sheet Type, Plat Type und Tube Type
Dichte	2,33g/cm3
Schmelzpunkt	2355ºC
Methode erzeugen	HÜFTE

Unser Vorteil

Vorgang

Bild Wird Verpackt

Anwendung:

Produkt In Beziehung Zu Bringen

Material	Reinheit (N)	Komponenten (wt%)	Dichte	Schmelzen  Punkt	Thermisch Leitfähigkeit (WM-1K-1)	Koeffizient von  Erweiterung (10-6k-1)	Produktion  Prozess
Al	3N	-	2,7	660	235	23,1	Schmelzen
Cr	3N5	-	7,22	1907	94	4,9	HÜFTGELENK, Schmelzen
Cu	4N	-	8,9	1084	400	16,5	Schmelzen
Ni	3N5	-	4,5	1453	90	13	Schmelzen
Ti	3N	-	4,5	1668	15,2	9,4	Schmelzen
Zr	3N	-	6,49	1852	0,227	-	Schmelzen
Si	4N	-	2,33	1414	150	2,6	Sintern Und Sprühen
Ag	4N	-	10,49	961,93	429	19	Schmelzen
C	4N	-	2,23	3850±50	151	-	HÜFTE
Ttial	3N5	WIE GEWÜNSCHT	-	-	-	-	Schmelzen
InSn	4N	WIE GEWÜNSCHT	-	-	-	-	Gießen
CRSI	4N	WIE GEWÜNSCHT	-	-	-	-	Sprühen
CRW	4N	WIE GEWÜNSCHT	16,7	3017	57	6,3	HÜFTE
NiCr	3N	WIE GEWÜNSCHT	-	-	-	-	Schmelzen
NIV	3N	97:3 Uhr	-	-	-	-	Schmelzen
WC.	3N	-	15,77	2870	110	5,5	Sintern Und Sprühen
NBox	4N	-	4,6	1460	5	1,5	Sintern Und Sprühen