Elektronenstrahllithographie 7*24 Stundenlange Verarbeitungsfähigkeit

Produktdetails
Anpassung: Verfügbar
Bescheinigung: ISO 9001, CCC, jis
Schutz: Korrosionsbeständigkeit
Diamond-Mitglied Seit 2023

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Geprüfter Lieferant Geprüfter Lieferant

Von einer unabhängigen externen Prüfstelle geprüft

QA/QC-Inspektoren
Der Lieferant verfügt über 1 QA- und QC-Inspektionspersonal
F&E-Fähigkeiten
Der Lieferant verfügt über 1 Forschungs- und Entwicklungsingenieure. Weitere Informationen finden Sie unter Audit Report
, um alle verifizierten Stärkelabels (14) anzuzeigen.
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Überblick

Grundlegende Informationen

Modell Nr.
CABL-AP
Installation
Vertikal
Gehäuse
Kaltgewalzter Stahl
Transportpaket
Holzkiste
Herkunft
Japan
HS-Code
8415809010
Produktionskapazität
10

Produktbeschreibung

Electron Beam Lithography 7*24 Hours Long Processing Capacity
Vorteile
Es ist das beste Modell für die Produktion von DFB-Laserdioden für optische Kommunikationsgeräte und für akademische und F&E. Wir realisieren hohe Auflösung und hohen Durchsatz mit 50kV.
Strahldurchmesser:
< 2 nmΦ (für Wissenschaft und Forschung und Entwicklung)  
< 4 nmΦ (für Produktion)  
Accerelationsspannung: 50kV, 30kV
Bühnengröße: 4 Zoll, 6 Zoll ,8 Zoll Wafer Modell
Funktionen
(1) Elektronenstrahl direkt schreiben ohne Fotomasken.
(2) anders als Laserlithographie ohne Fotomasken, anwendbar auf <500nm charakteristische Linienbreitenanforderung, auch verfügbar sein, um die 7*24hours lange Verarbeitung zu leisten.
(3) hohe Auflösung wie 100kV
(4) hohe genaue Stichschrift für lange Zeit durch speziell Laserinterferometer entwickelt
(5) Mehrbenutzerumgebung (PC-gesteuertes EOC = Rezept)
(6) selbst Umgebungskontrolle - Thermal & Lärm frei
(7) Flexible Schreibmethoden (Vektor, Vektor R-Theta, Raster, Punkt, axial symmetrisch, Feldgrößenmodulation, Multimode, 3D)
Spezifikation
Elektronenemitter/Beschleunigungsspannung
TFE (ZrO/W)/5 bis 50kV
Min. Strahldurchmesser
2,0nm (für Wissenschaft und Forschung und Entwicklung)  
4,0nm (für Produktion)
Erweiterte Lithographie
Funktionen (optional)
Feldgröße Modulation Lithographie, axiale Symmetrie Muster Lithographie
Feldgröße
30μm – 1000μm (50kV) (für Wissenschaft und Forschung und Entwicklung)  
30μm - 1500μm (50kV) (für Produktion)
Größe des Werkstücks
4,6, 8inchΦ
CAD-Software
Dediziertes CAD (Standard), GDS II-Konvertierung (optional),
DXF-Konvertierung (optional)
BETRIEBSSYSTEM
Fenster
UI
Englisch
Verpackung Und Lieferung
Electron Beam Lithography 7*24 Hours Long Processing Capacity
Unternehmensprofil
Jiangsu Himalaya Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Himalaya Semiconductor Co., Ltd wurde 2019 gegründet und beschäftigt sich hauptsächlich mit dem Export und der Integration von Geräten der Halbleiterindustrie. Die Ausrüstung wird derzeit in über 30 Länder importiert und exportiert, mit über 200 Kunden und Lieferanten, mit dem Ziel, die Beschaffung der kostengünstigsten Produkte in der Endphase für Kunden zu kontrollieren und streben nach einmaliger Zahlungsabwicklung und Risikovermeidung für Lieferanten!
Wir fertigen Ausrüstungen für die Bonder, Draht-Bonding, Laser-Marking (ID IC Wafer), Laser-Nuten, Laser-Schneiden (Glas Keramik Wafer Verpackung, Laser interne Modifikation Maschine Si / sic Wafe, Laser interne Modifikation Maschine LT / LN Wafer, Laser Glüh-Maschine für Si / sic, automatische Dicing Säge Maschine (Wafer Verpackung)), automatische Silikon-Dispensing-Ausrüstung.
Sowie wir bieten einige Lösungen für die Handhabung erschöpft Metallsorter Anlagen, kundenspezifische Beschichtung und Beschichtungsmaschine, TGV & manuelle / halbautomatische / automatische Anlagen, so weiter.  

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