Startseitearrow-rightChina-Fabrik-Indexarrow-rightmosfet-Halbleiter Fabrikarrow-rightLieferantenliste
Filter
Kategorie
Mehr
Management-Zertifizierung
Mehr
F&E-Kapazität
Jahresumsatz
Mehr
Anzahl der Mitarbeiter
Provinz und Region
Mehr
etwa mosfet-Halbleiter
  • Technologische Innovation
  • Zuverlässige Lieferketten
  • Umfangreiche Fertigungskapazitäten

mosfet-Halbleiter200+ Fabriken verifiziert

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 J.·4.9
Anfrage Absenden
Dmp2065ufdb-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays Udfn-6

Dmp2065ufdb-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays Udfn-6

1,00-1,10 $
1 Stück(MOQ)
Dnbt8105-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach Sot-23-3

Dnbt8105-7 Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach Sot-23-3

1,00-1,10 $
1 Stück(MOQ)
Diskrete Halbleiter Ipb029n06NF2satma1 D2pak-3 2.9mohms 120A

Diskrete Halbleiter Ipb029n06NF2satma1 D2pak-3 2.9mohms 120A

0,001-0,10 $
10 Stücke(MOQ)
Irfl214trpbf Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne to-261-4

Irfl214trpbf Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne to-261-4

0,10 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Hochspannungs-Pdfn 8*8 Gehäuse Osg80r300jf N-Kanal 800V 300V Leistungshalbleiter-Mosfet

Hochspannungs-Pdfn 8*8 Gehäuse Osg80r300jf N-Kanal 800V 300V Leistungshalbleiter-Mosfet

0,10-0,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
Telekom Strom To252 Paket 800W 900V Osg80r300jf Leistungshalbleiter Transistor Mosfet

Telekom Strom To252 Paket 800W 900V Osg80r300jf Leistungshalbleiter Transistor Mosfet

0,10-0,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
Oriental Semi Grünmos Hochspannungs-Mosfet

Oriental Semi Grünmos Hochspannungs-Mosfet

0,35-0,60 $
600 Stücke(MOQ)
Telekom Leistungshalbleiter Mosfet Osg55r290df

Telekom Leistungshalbleiter Mosfet Osg55r290df

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
1/4

Shen Zhen JYD Electronics Co., Ltd

Anfrage Absenden
Szjyd Halbleiter 10n60f to-220f 10A 600V Mosfet

Szjyd Halbleiter 10n60f to-220f 10A 600V Mosfet

0,18-1,80 $
10 Stücke(MOQ)
Sc1r0n170y 5A 1700V to-247-3L in Lager Siliziumkarbid Mosfet Treiber Halbleiter Neu Original

Sc1r0n170y 5A 1700V to-247-3L in Lager Siliziumkarbid Mosfet Treiber Halbleiter Neu Original

0,18-1,80 $
10 Stücke(MOQ)
Transistor Mosfet N-Kanal 900V To220sis Tk9a90e, S4X

Transistor Mosfet N-Kanal 900V To220sis Tk9a90e, S4X

0,85 $
1 Stück(MOQ)
28n50y to-3p 28A 500V Mosfet

28n50y to-3p 28A 500V Mosfet

0,18-1,80 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

CTC Technology Co., Ltd.

20 J.
Anfrage Absenden
Halbleiterhersteller 7A 600V N-Kanal Transistor Mosfet

Halbleiterhersteller 7A 600V N-Kanal Transistor Mosfet

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
4A 650V TO-220 SVF4N65 Kunststoffverpackung N-Kanal Transistor MOSFET

4A 650V TO-220 SVF4N65 Kunststoffverpackung N-Kanal Transistor MOSFET

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
NCEP048NH150 N-Kanal Super Junction Leistung Mosfet Transistor

NCEP048NH150 N-Kanal Super Junction Leistung Mosfet Transistor

0,10-2,00 $
1.000 Stücke(MOQ)
Hersteller 3A 800V TO-220 Transistor DIP Kunststoffgehäuse N-Kanal MOSFET

Hersteller 3A 800V TO-220 Transistor DIP Kunststoffgehäuse N-Kanal MOSFET

0,05-0,15 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

5.0
Anfrage Absenden
BSC066N06NS BSC066N06NSATMA1 MOSFET N-CH 60V 64A Transistor Halbleiter

BSC066N06NS BSC066N06NSATMA1 MOSFET N-CH 60V 64A Transistor Halbleiter

0,40-15,00 $
10 Stücke(MOQ)
IRF5210STRLPBF MOSFET P-Kanal 100V 38A D2PAK

IRF5210STRLPBF MOSFET P-Kanal 100V 38A D2PAK

0,17-200,00 $
500 Stücke(MOQ)
IRFP9240PBF P-Kanal Leistungsmosfet Transistor IRFP9240 ic 200v 12a

IRFP9240PBF P-Kanal Leistungsmosfet Transistor IRFP9240 ic 200v 12a

0,86-1,00 $
10 Stücke(MOQ)
IR2104STRPBF IR2104 IR2104SPBF IR2104PBF Gate-Treiber-IC Integrierte Schaltung Treiber MOSFET

IR2104STRPBF IR2104 IR2104SPBF IR2104PBF Gate-Treiber-IC Integrierte Schaltung Treiber MOSFET

0,20-340,00 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 J.·5.0
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Neue originale elektronische Bauelemente Halbleiter-IC-Chips integrierte Schaltungen Mosfets Transistor Sum70040e-Ge3

Neue originale elektronische Bauelemente Halbleiter-IC-Chips integrierte Schaltungen Mosfets Transistor Sum70040e-Ge3

0,75-1,25 $
10 Stücke(MOQ)
Neue originale diskrete Halbleiter-RF-Mosfet-Transistor Mrf8p29300h Mrf8p29300hr6

Neue originale diskrete Halbleiter-RF-Mosfet-Transistor Mrf8p29300h Mrf8p29300hr6

89,23 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren Stl26nm60n Mosfets N-CH 600V

Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren Stl26nm60n Mosfets N-CH 600V

1,32-1,87 $
10 Stücke(MOQ)
Neue originale Halbleiter-Elektronikbauteile Transistor Mosfet Irfr5305trpbf Irfz24

Neue originale Halbleiter-Elektronikbauteile Transistor Mosfet Irfr5305trpbf Irfz24

0,13-0,26 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

Anfrage Absenden
Integrierter Schaltkreis auf Lager Original-Halbleiter Smk0965

Integrierter Schaltkreis auf Lager Original-Halbleiter Smk0965

0,02-2,20 $
10 Stücke(MOQ)
1206sfs100f/63-2 Integrierter Schaltkreis auf Lager Original-Halbleiter

1206sfs100f/63-2 Integrierter Schaltkreis auf Lager Original-Halbleiter

0,02-0,05 $
1 Stück(MOQ)
Ipb039n10n3g Ipb144n12n3gatma1 Ipb108n15n3 G Irfh5300trpbf Irfh7004trpbf Mosfet, Elektronische Bauelemente Ics von Infineon

Ipb039n10n3g Ipb144n12n3gatma1 Ipb108n15n3 G Irfh5300trpbf Irfh7004trpbf Mosfet, Elektronische Bauelemente Ics von Infineon

0,10-0,30 $
100 Stücke(MOQ)
Df52-5p-0.8c Integrierter Schaltkreis auf Lager Original Halbleiter

Df52-5p-0.8c Integrierter Schaltkreis auf Lager Original Halbleiter

0,02-0,05 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
Anfrage Absenden
IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/100A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER Anwendungen GD100HFY120C1S

IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/100A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER Anwendungen GD100HFY120C1S

135,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

IGBT-Leistungsmodul 1200V/900A 2 in einem Gehäuse Kurzschlussfähigkeit Merkmale Halbleiteranwendungen GD900HFA120C6S

925,00 $
1 Stück(MOQ)
IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/300A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER-Anwendungen GD300HFX120C2S

IGBT-Leistungsmodul 10μs Kurzschlussfähigkeit 1200V/300A 2 in einem Paket Funktionen HALBLEITER-Anwendungen GD300HFX120C2S

330,00 $
1 Stück(MOQ)
WMM14N60C4 TO-263 600V Super Junction Leistung Mosfet

WMM14N60C4 TO-263 600V Super Junction Leistung Mosfet

0,018-0,02 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

Anfrage Absenden
MOSFET Ssm3j36fs-VB SC75-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Ssm3j36fs-VB SC75-3 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,066 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Fdn306p-NL-VB Dmp2215L-7-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

MOSFET Fdn306p-NL-VB Dmp2215L-7-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Komponente

0,032 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Si1555dl-T1-GE3-VB SC70-6 N+P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Si1555dl-T1-GE3-VB SC70-6 N+P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,105 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Apm4015puc-Trl-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Apm4015puc-Trl-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,315 $
1.000 Stücke(MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Dgz50n65cth2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Halbleiter für Leistungsanwendungen

Dgz50n65cth2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Halbleiter für Leistungsanwendungen

2,02 $
1.080 Stücke(MOQ)
Mg50hf12tfc1 IGBT-Modul 1200V 50A RoHS-konformer Halbleiter von hoher Qualität

Mg50hf12tfc1 IGBT-Modul 1200V 50A RoHS-konformer Halbleiter von hoher Qualität

16,53 $
1 Stück(MOQ)
Dgw50n65cts2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Transistor Hochleistungs-Halbleiter to-247

Dgw50n65cts2a RoHS-konformer IGBT Discrete 650V 50A Transistor Hochleistungs-Halbleiter to-247

2,09 $
1.000 Stücke(MOQ)
Gd100hfy120c1s IGBT-Modul 1200V/100A Hochleistungs-Transistor Neu und Original Halbleiter

Gd100hfy120c1s IGBT-Modul 1200V/100A Hochleistungs-Transistor Neu und Original Halbleiter

27,55 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

0,01-0,20 $
5.000 Stücke(MOQ)
5A 200V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet B5n20 to-251

5A 200V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet B5n20 to-251

Verhandelbar
5.000 Stücke(MOQ)
25A 30V N-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet DHD20n03 to-252

25A 30V N-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet DHD20n03 to-252

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
7A 600V N-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet 7n60 to-220

7A 600V N-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet 7n60 to-220

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

17 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Mosfet 12n65

Mosfet 12n65

0,01 $
1.000 Stücke(MOQ)
800V, N-Kanal Planar Mosfet 7n80

800V, N-Kanal Planar Mosfet 7n80

0,01 $
1.000 Stücke(MOQ)
650V, N-Kanal Planar Mosfet 7n65

650V, N-Kanal Planar Mosfet 7n65

0,01 $
1.000 Stücke(MOQ)
650V, N-Kanal Planar Mosfet 10n80

650V, N-Kanal Planar Mosfet 10n80

0,01 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 J.
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Irfb4310zpbf to-220 Neu Original Irfb4310z N-Kanal-Feldeffekttransistor Mosfet

Irfb4310zpbf to-220 Neu Original Irfb4310z N-Kanal-Feldeffekttransistor Mosfet

1,30-1,50 $
10 Stücke(MOQ)
Originale elektronische Komponente MCU Originale Stm Halbleiter Stm32g070rbt6

Originale elektronische Komponente MCU Originale Stm Halbleiter Stm32g070rbt6

1,00-3,00 $
10 Stücke(MOQ)
Neue Original-Mikrocomputer-MCU 8-Bit Stm8s003f3p6tr Halbleiter

Neue Original-Mikrocomputer-MCU 8-Bit Stm8s003f3p6tr Halbleiter

0,28-0,45 $
10 Stücke(MOQ)
2sk2313 K2313 MOS Transistor Original 2313 MOSFET

2sk2313 K2313 MOS Transistor Original 2313 MOSFET

0,10-2,00 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

Anfrage Absenden
IGBT-Leistungsverstärker I/O-Modul Mosfet-Leistungsmodule Hersteller Diode Thyristor-Modul

IGBT-Leistungsverstärker I/O-Modul Mosfet-Leistungsmodule Hersteller Diode Thyristor-Modul

11,00-35,00 $
1 Stück(MOQ)
Vielseitiger Mosfet-Transistor für Standardmontage-Diodengleichrichteranwendungen

Vielseitiger Mosfet-Transistor für Standardmontage-Diodengleichrichteranwendungen

0,01-0,45 $
1 Stück(MOQ)
Standard-Montage-Dioden-Gleichrichter-Mosfet-Transistor von Powerpassion

Standard-Montage-Dioden-Gleichrichter-Mosfet-Transistor von Powerpassion

0,01-0,45 $
1 Stück(MOQ)
Standard-Montage-Dioden-Gleichrichter-Mosfet-Transistor-Spezifikationen von Powerpassion

Standard-Montage-Dioden-Gleichrichter-Mosfet-Transistor-Spezifikationen von Powerpassion

0,01-0,45 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Xiamen Sinuowei Automated Science and Technology Co., Ltd.

9 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Automatische Klebemaschine Halbleitermaschine

Automatische Klebemaschine Halbleitermaschine

9.000,00-19.000,00 $
1 set(MOQ)
Halbleiter-Simulation Transistor Halbleiter Halbleiter Batterie Halbleiter Laser

Halbleiter-Simulation Transistor Halbleiter Halbleiter Batterie Halbleiter Laser

90.000,00-190.000,00 $
1 set(MOQ)
1/4

Shenzhen Vbsemi Electronics Co., Ltd

Anfrage Absenden
MOSFET Fdn306p-NL-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Fdn306p-NL-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,032 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Aod403-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET Aod403-VB to-252 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,315 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET St2341s23rg-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

MOSFET St2341s23rg-VB Sot-23 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Elektronische Komponente Integrierte Schaltung

0,048 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET Ao4421-VB SOP-8 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

MOSFET Ao4421-VB SOP-8 P-Kanal Transistor Halbleiter Hersteller Vbsemmi Electronic Component Integrierte Schaltung

0,315 $
1.000 Stücke(MOQ)

Chengdu Canmeng Trading Co., Ltd

Anfrage Absenden
2mbi150u4a-120-50 Leistungshalbleiter - Hohe Leistungsaufnahmefähigkeit für FUJI

2mbi150u4a-120-50 Leistungshalbleiter - Hohe Leistungsaufnahmefähigkeit für FUJI

10,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
Ixa45if1200hb N-Kanal Leistungsmosfet - Schnelle Diode Halbleitermodul für Ixys

Ixa45if1200hb N-Kanal Leistungsmosfet - Schnelle Diode Halbleitermodul für Ixys

10,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
Mg200j2ys1 Mg50/75/100/300j2ys1 Toshiba IGBT-Modul Leistung

Mg200j2ys1 Mg50/75/100/300j2ys1 Toshiba IGBT-Modul Leistung

10,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
Mwi50-12e7/A7 6-Unit IGBT-Modul - 62A 1200V Hohe Effizienz für Ixys

Mwi50-12e7/A7 6-Unit IGBT-Modul - 62A 1200V Hohe Effizienz für Ixys

10,00-20,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Ucreate PCB Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Thyristoren

Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Thyristoren

0,20-0,50 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren

Elektronische Bauelemente Diskrete Halbleiter Transistoren

0,20-0,50 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronische Bauelemente Halbleiterdioden und Gleichrichter

Elektronische Bauelemente Halbleiterdioden und Gleichrichter

0,60-1,00 $
10 Stücke(MOQ)
Elektronik Isl24835irz Isl24835 LCD Logikplatine Chip Qfn Gehäuse

Elektronik Isl24835irz Isl24835 LCD Logikplatine Chip Qfn Gehäuse

0,60-1,00 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Esino Electronics Limited

Anfrage Absenden
On Semiconductor Bss123 Transistoren

On Semiconductor Bss123 Transistoren

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
STMicroelectronics 2n7000 Transistoren

STMicroelectronics 2n7000 Transistoren

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
On Semiconductor 2n7002 Transistoren

On Semiconductor 2n7002 Transistoren

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
Stmicroelectronics Irf540 Transistoren

Stmicroelectronics Irf540 Transistoren

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)

Jilin Magic Semiconductor Co., Ltd

Anfrage Absenden
Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (PMOS1)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (PMOS1)

Verhandelbar
Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS5)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS5)

Verhandelbar
Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS3)

Halbleiterintegrations-Ciruit (Gießerei) (COMOS3)

Verhandelbar
Vdmos – Pmo-Nmos

Vdmos – Pmo-Nmos

Verhandelbar

Simentor Electronic Limited

13 J.·5.0
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Abwärts DC-DC-Schaltwandler mit integriertem Inductor#En29A0qi#750 Mv bis 3.3 V

Abwärts DC-DC-Schaltwandler mit integriertem Inductor#En29A0qi#750 Mv bis 3.3 V

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
Tda7851L Mosfet-basierter Audioverstärker - 4 X 50W, Geringes Rauschen, Hohe Effizienz

Tda7851L Mosfet-basierter Audioverstärker - 4 X 50W, Geringes Rauschen, Hohe Effizienz

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Irf830 N-Kanal Mosfet - 500V, 4.5A, Niedriger RDS (on) für Hochspannungsanwendungen

Irf830 N-Kanal Mosfet - 500V, 4.5A, Niedriger RDS (on) für Hochspannungsanwendungen

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Neu und Original Infineon Mosfet # Irf150p220 Graben 150V Pg-to-247-3

Neu und Original Infineon Mosfet # Irf150p220 Graben 150V Pg-to-247-3

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
1/4

Jiaozuo Commercial Finewin Co., Ltd.

5.0
Anfrage Absenden
N-Typ Sic Substrate

N-Typ Sic Substrate

0,50 $
100 Stücke(MOQ)
Sic Siliziumkarbid-Wafer-Substrate

Sic Siliziumkarbid-Wafer-Substrate

0,50 $
100 Stücke(MOQ)
Siliziumkarbid (SiC) Substrate für Leistungselektronik

Siliziumkarbid (SiC) Substrate für Leistungselektronik

0,50 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Shinningpc Industrial Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Neue Original-Halbleiter-Speicher-ICs Mt53e1g32D2fw-046 Wt: B 200tfbga auf Lager

Neue Original-Halbleiter-Speicher-ICs Mt53e1g32D2fw-046 Wt: B 200tfbga auf Lager

18,00 $
1 Stück(MOQ)
Totx1353 (F) Toslink Allgemeine Zweck Optische Übertragungsmodulen

Totx1353 (F) Toslink Allgemeine Zweck Optische Übertragungsmodulen

18,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

9 J.·5.0
Anfrage Absenden
Phasensteuerthyristor Kp1500A2500V für AC/DC-Motorsteuerungssystem zur Geschwindigkeitsregelung

Phasensteuerthyristor Kp1500A2500V für AC/DC-Motorsteuerungssystem zur Geschwindigkeitsregelung

50,00-60,00 $
6 Stücke(MOQ)
1/4

Shinehome Electronics Limited

Anfrage Absenden
pHIR internationaler Halter des Gleichrichter-Halbleiter-(IR2110STRPBF) des Klebstreifen-4246-19c oder Klebeband-Zufuhr

pHIR internationaler Halter des Gleichrichter-Halbleiter-(IR2110STRPBF) des Klebstreifen-4246-19c oder Klebeband-Zufuhr

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)

Newtech Electronics International Co., Limited

Anfrage Absenden
Bridge Arrays Single Zener Diodes Power Driver Modulesthyristors Arrays Bipolar Mosfets Transistoren Discrete Semiconductor

Bridge Arrays Single Zener Diodes Power Driver Modulesthyristors Arrays Bipolar Mosfets Transistoren Discrete Semiconductor

0,01 $
5.000 Stücke(MOQ)

KUN SHENG DA ELECTRONICS CO., LTD

Anfrage Absenden
Irfz48n Halbleiter

Irfz48n Halbleiter

Verhandelbar

Din-Tek Semiconductor

Anfrage Absenden
SOT-23 N-Kanal 60-V (D-S) MOSFET

SOT-23 N-Kanal 60-V (D-S) MOSFET

0,02-0,04 $
1 Stück(MOQ)
DIN-Tek Dts22n03 Sot-23-6 Dt-Graben N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET

DIN-Tek Dts22n03 Sot-23-6 Dt-Graben N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET

0,042-0,06 $
1 Stück(MOQ)
Dfn5X6-8L P-Kanal 60V (D-S) Leistungs-MOSFET

Dfn5X6-8L P-Kanal 60V (D-S) Leistungs-MOSFET

0,32-0,40 $
1 Stück(MOQ)
To-220 N-Kanal 100V (D-S) Leistungs-MOSFET

To-220 N-Kanal 100V (D-S) Leistungs-MOSFET

0,50-0,60 $
1 Stück(MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

Anfrage Absenden
-60V -12A Nce60p12as Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

-60V -12A Nce60p12as Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

0,001-0,109 $
5.000 Stücke(MOQ)
60V 5A Nce6005as N-Kanal Verstärkungsmodus Leistung Mosfet Transistor м о п -т р а н з и с т о р

60V 5A Nce6005as N-Kanal Verstärkungsmodus Leistung Mosfet Transistor м о п -т р а н з и с т о р

0,077-0,089 $
5.000 Stücke(MOQ)
60V 5A Nce603s Nce 60V Komplementärer Mosfet-Transistor

60V 5A Nce603s Nce 60V Komplementärer Mosfet-Transistor

0,124-0,143 $
4.000 Stücke(MOQ)
Nce60p10K Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistungstransistor Mosfet mit to-252 zur Verwendung als Lastschalter oder in PWM-Anwendungen

Nce60p10K Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistungstransistor Mosfet mit to-252 zur Verwendung als Lastschalter oder in PWM-Anwendungen

0,096-0,12 $
2.500 Stücke(MOQ)
1/4

Kunshan Huateng Electronics Co., Ltd.

Anfrage Absenden
P-Kanal-Enhancement-Modus Power-MOSFET JMTL2301C SOT-23

P-Kanal-Enhancement-Modus Power-MOSFET JMTL2301C SOT-23

0,09-0,10 $
100.000 Stücke(MOQ)
RS1B Gleichrichterdiode mit schneller Wiederherstellung

RS1B Gleichrichterdiode mit schneller Wiederherstellung

0,005-0,008 $
10.000 Stücke(MOQ)
3.0SMC9.1A 3.0SMC9.1CA Transient Voltage Suppressor TVs Diode

3.0SMC9.1A 3.0SMC9.1CA Transient Voltage Suppressor TVs Diode

Verhandelbar
1.000.000 Stücke(MOQ)
05D220K Halbleiter-Varistoren für elektronische Bauelemente

05D220K Halbleiter-Varistoren für elektronische Bauelemente

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
17
Über uns Erklärung Nutzungsvertrag Datenschutzerklärung Kontakt Made-in-China.com Schnellauswahl Produkte Einblicke
Sprachoptionen: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2026 Focus Technology Co., Ltd. Alle Rechte vorbehalten
Focus Technologie ist nicht verantwortlich für Unstimmigkeiten zwischen der englischen Version und anderen Versionen dieser Website. Sollte es zu Wiedersprüchen kommen, wird die englische Version als maßgeblich angesehen.Mit der Nutzung dieser Website stimmen sie unseren AGB’s zu.