Startseitearrow-rightChina-Fabrik-Indexarrow-rightSchalttransistor Fabrikarrow-rightLieferantenliste
Filter
Kategorie
Mehr
Management-Zertifizierung
Mehr
F&E-Kapazität
Jahresumsatz
Mehr
Anzahl der Mitarbeiter
Provinz und Region
Mehr
etwa Schalttransistor
  • Technologische Innovation
  • Zuverlässige Lieferketten
  • Umfangreiche Fertigungskapazitäten

Schalttransistor300+ Fabriken verifiziert

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 J.
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Fjp13009h2 E13009-2 Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor to-220 J13009-2

Fjp13009h2 E13009-2 Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor to-220 J13009-2

0,05-0,10 $
10 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Bux48A

Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Bux48A

0,80 $
1.000 Stücke(MOQ)
Importierter Chip Stf10nm60n Neu 600V10A To220f Schaltstromversorgung MOS-Transistor

Importierter Chip Stf10nm60n Neu 600V10A To220f Schaltstromversorgung MOS-Transistor

2,70-4,00 $
10 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Mje 13009A 13009 Mje13009A

Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Mje 13009A 13009 Mje13009A

0,21 $
500 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

5.0
Anfrage Absenden
MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Oberflächenmontage NPN Silizium Schalttransistor

MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Oberflächenmontage NPN Silizium Schalttransistor

0,05-200,00 $
500 Stücke(MOQ)
MMBT4403LT1G MMBT-Serie 40V 600mA Oberflächenmontage PNP Silizium-Schalttransistor

MMBT4403LT1G MMBT-Serie 40V 600mA Oberflächenmontage PNP Silizium-Schalttransistor

0,05-200,00 $
500 Stücke(MOQ)
PMBT3904,215 PMBT3904 Serie 40 V 200 mA SMT NPN Schalttransistor

PMBT3904,215 PMBT3904 Serie 40 V 200 mA SMT NPN Schalttransistor

0,072-15,00 $
100 Stücke(MOQ)
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS Transistor-Mosfet

SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS Transistor-Mosfet

0,12-15,00 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
Anfrage Absenden
N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor Hochgeschwindigkeitsumschaltung SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3400AQ

N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor Hochgeschwindigkeitsumschaltung SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3400AQ

0,95 $
1.000 Stücke(MOQ)
P-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor Extrem niedrige Schaltverluste SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3415KCQ

P-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor Extrem niedrige Schaltverluste SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3415KCQ

0,86 $
1.000 Stücke(MOQ)
P-Kanal Enhancement-Modus-Feldeffekttransistor Hochgeschwindigkeitsumschaltung SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3401AQ

P-Kanal Enhancement-Modus-Feldeffekttransistor Hochgeschwindigkeitsumschaltung SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3401AQ

0,92 $
1.000 Stücke(MOQ)
N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit SOT-23 Merkmale Anwendungen 2N7002KCQ

N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit SOT-23 Merkmale Anwendungen 2N7002KCQ

0,14-1,15 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 J.·5.0
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Tip107: PNP Darlington-Transistor für Motorsteuerung und Leistungsschaltung

Tip107: PNP Darlington-Transistor für Motorsteuerung und Leistungsschaltung

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Original 2SA1494 PNP und 2sc3858 NPN Transistoren - Hohe Leistung, Zuverlässige Qualität

Original 2SA1494 PNP und 2sc3858 NPN Transistoren - Hohe Leistung, Zuverlässige Qualität

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Irfr9024n P-Kanal Mosfet - 55V, 12A, Niedriger Einschaltwiderstand für effizientes Leistungsschalten

Irfr9024n P-Kanal Mosfet - 55V, 12A, Niedriger Einschaltwiderstand für effizientes Leistungsschalten

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
RF- und drahtlose RF-Transceiver-Module und Modems 2.4GHz ~ 2.5GHz #Esp32-Wroom-32D-N4

RF- und drahtlose RF-Transceiver-Module und Modems 2.4GHz ~ 2.5GHz #Esp32-Wroom-32D-N4

Verhandelbar
1 Stück(MOQ)
1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 J.·4.9
Anfrage Absenden
2n7002p, 215 N-Kanal 60V 360mA Mosfet-Transistoren für effiziente Schaltanwendungen verbessern die Schaltkreisleistung

2n7002p, 215 N-Kanal 60V 360mA Mosfet-Transistoren für effiziente Schaltanwendungen verbessern die Schaltkreisleistung

0,01-1,00 $
1 Stück(MOQ)
Originalleistung E13003 Schalten D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Originalleistung E13003 Schalten D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

0,10-0,50 $
1 Stück(MOQ)
Hochleistungsstrom N-Kanal Modus Mosfet Transistor Hy4008p/M/B/PS/Pm

Hochleistungsstrom N-Kanal Modus Mosfet Transistor Hy4008p/M/B/PS/Pm

0,25 $
100 Stücke(MOQ)
Transistoren Buk6d23-40eh Mosfet Buk6d23-40e/Sot1220 SMD/SMT

Transistoren Buk6d23-40eh Mosfet Buk6d23-40e/Sot1220 SMD/SMT

0,001-0,10 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Hochgeschwindigkeits-Schalt-NPN-Allzweck-Verstärkertransistor Pxt2222A Gehäuse Sot-89

Hochgeschwindigkeits-Schalt-NPN-Allzweck-Verstärkertransistor Pxt2222A Gehäuse Sot-89

0,02 $
1.000 Stücke(MOQ)
Asr35n650MD02 650V N-Kanal Sic Mosfet Röhrengehäuse Original und Neu Transistor

Asr35n650MD02 650V N-Kanal Sic Mosfet Röhrengehäuse Original und Neu Transistor

5,31 $
500 Stücke(MOQ)
Asc100n1700mt3pb 1700V N-Kanal Sic Mosfet to-247-3 Elektronenröhren-Transistor

Asc100n1700mt3pb 1700V N-Kanal Sic Mosfet to-247-3 Elektronenröhren-Transistor

2,60 $
500 Stücke(MOQ)
1200V/10A Siliziumkarbid-Leistungs-Schottky-Barriere-Diode G5s12010c to-252 Transistor

1200V/10A Siliziumkarbid-Leistungs-Schottky-Barriere-Diode G5s12010c to-252 Transistor

0,769 $
2.500 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Ausgezeichnete Leitfähigkeit und Schaltverluste To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar Transistor

Ausgezeichnete Leitfähigkeit und Schaltverluste To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar Transistor

2,50-3,00 $
5.000 Stücke(MOQ)
Schnellrückführungsdiode Hochspannungsreglertransistor

Schnellrückführungsdiode Hochspannungsreglertransistor

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
UPS und Energiespeicher-Mosfet schnelles Schalten und sanfte Rückgewinnung

UPS und Energiespeicher-Mosfet schnelles Schalten und sanfte Rückgewinnung

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
Sfs15r05tnf Vds-150 ID-720A RDS (AN) -5milliohm Qg-149nc Schaltspannung N-Kanal Leistungs-Mosfet

Sfs15r05tnf Vds-150 ID-720A RDS (AN) -5milliohm Qg-149nc Schaltspannung N-Kanal Leistungs-Mosfet

0,10-0,15 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Finest Printed Circuit Board Ltd.

23 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Bester Leistungsröhren-Tetrode-Oszillator Leistungs-Triode Fu 728f RF-Röhre 4cx1000A Tb3 750 TV-Transistoren C3856

Bester Leistungsröhren-Tetrode-Oszillator Leistungs-Triode Fu 728f RF-Röhre 4cx1000A Tb3 750 TV-Transistoren C3856

5,00 $
1 Stück(MOQ)
RF-Verstärker Elektronenröhre SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 Irf3205 Bt169 3cx1500A7

RF-Verstärker Elektronenröhre SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 Irf3205 Bt169 3cx1500A7

5,00 $
1 Stück(MOQ)
Mosfet Bss138 SCR Thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Audio 2488 Transistoren

Mosfet Bss138 SCR Thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Audio 2488 Transistoren

5,00 $
1 Stück(MOQ)
Hochleistungs-FET-Audioverstärker 13005 Transistoren Händler Irf9540n P75NF75 16n65 Irfp260

Hochleistungs-FET-Audioverstärker 13005 Transistoren Händler Irf9540n P75NF75 16n65 Irfp260

5,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

14 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Mmbt5551 Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 Ma 300MHz 250 MW Oberflächenmontage

Mmbt5551 Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 Ma 300MHz 250 MW Oberflächenmontage

0,01-0,03 $
1 Stück(MOQ)
S8550 Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Oberflächenmontage Sot-23

S8550 Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Oberflächenmontage Sot-23

0,01-0,03 $
1 Stück(MOQ)
Ao3401A Feldeffekttransistor P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3

Ao3401A Feldeffekttransistor P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3

1,75-1,78 $
1 Stück(MOQ)
Ao3401 P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3 Transistor

Ao3401 P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3 Transistor

0,01-0,02 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Guangdong Global Well Electronic Limited

3 J.
Anfrage Absenden
Originale neue Silizium-Hochleistungs-De-Potenztransistoren elektronische Komponente

Originale neue Silizium-Hochleistungs-De-Potenztransistoren elektronische Komponente

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
Elektronische Bauelemente Transistoren für integrierte Schaltkreise IC-Chips und Halbleitermodule

Elektronische Bauelemente Transistoren für integrierte Schaltkreise IC-Chips und Halbleitermodule

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
B772equivalent SMD-Codes Transistoren

B772equivalent SMD-Codes Transistoren

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
Transistors2sc5200 Mosfets Kit Tester Transistoren

Transistors2sc5200 Mosfets Kit Tester Transistoren

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Heißer Verkauf NPN Epitaxialsiliziumtransistor Tip122 to-220

Heißer Verkauf NPN Epitaxialsiliziumtransistor Tip122 to-220

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
40A 650V Isolierter Tor-Bipolartransistor G40t65lbbn to-3pn

40A 650V Isolierter Tor-Bipolartransistor G40t65lbbn to-3pn

0,22 $
5.000 Stücke(MOQ)
NPN epitaxial Siliziumtransistor Tip41c to-220 to-252

NPN epitaxial Siliziumtransistor Tip41c to-220 to-252

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

0,01-0,20 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Lianxiong Trading Co., Ltd.

6 J.
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Transistor Irf7404 Sop-8 Original Integrierte Schaltkreisverteiler Irf7404trpbf

Transistor Irf7404 Sop-8 Original Integrierte Schaltkreisverteiler Irf7404trpbf

0,20-0,30 $
200 pieces(MOQ)
Transistoren Irf3808 N-Kanal-Mosfet 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

Transistoren Irf3808 N-Kanal-Mosfet 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

0,50-0,70 $
200 pieces(MOQ)
Neue originale Hochwertige to-220ab Irf3205 Mosfet Transistor Lieferant Irf3205pbf

Neue originale Hochwertige to-220ab Irf3205 Mosfet Transistor Lieferant Irf3205pbf

0,10-0,30 $
500 pieces(MOQ)
Elq3h7 (TA) Originaltransistor elektronische Bauelemente Optokoppler 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

Elq3h7 (TA) Originaltransistor elektronische Bauelemente Optokoppler 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

0,10-0,30 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

20 J.·5.0
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
2301 Transistor 20V P-Kanal Mosfet

2301 Transistor 20V P-Kanal Mosfet

0,006 $
30.000 Stücke(MOQ)
Ao4435 Modus Mosfet Sop8

Ao4435 Modus Mosfet Sop8

0,03 $
1.000 Stücke(MOQ)
Zuverlässiger Ao4435 -30V P-Kanal Mosfet für effizientes Energiemanagement

Zuverlässiger Ao4435 -30V P-Kanal Mosfet für effizientes Energiemanagement

0,05 $
20.000 Stücke(MOQ)
Mmbt3904 NPN-Kunststoffgehäuse-Transistoren

Mmbt3904 NPN-Kunststoffgehäuse-Transistoren

0,0034-0,0035 $
21.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Xinjiaye Electronics Technology Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Thermoleitfähige Silikon-Gummi-Kappe Isolierhülse für to-220 / to-3p Leistungstransistor Mosfet IGBT

Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Thermoleitfähige Silikon-Gummi-Kappe Isolierhülse für to-220 / to-3p Leistungstransistor Mosfet IGBT

0,02 $
1 Stück(MOQ)
Ll4148 Standarddiode 100V 200mA SOD-80 Gehäuse - 20PCS Hochleistungs-Elektronikkomponenten

Ll4148 Standarddiode 100V 200mA SOD-80 Gehäuse - 20PCS Hochleistungs-Elektronikkomponenten

3.000,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Gewei Technology Co., Ltd.

5.0
Anfrage Absenden
CD4069ubm96 IC Integrierte Schaltung IC Chip Transistor auf Lager Vorräte IC Integrierte Schaltung

CD4069ubm96 IC Integrierte Schaltung IC Chip Transistor auf Lager Vorräte IC Integrierte Schaltung

0,001 $
1 Stück(MOQ)
1/4

CTC Technology Co., Ltd.

20 J.
Anfrage Absenden
elektronisches Bauteil Schottky-Diode Transistor SBD10C100F

elektronisches Bauteil Schottky-Diode Transistor SBD10C100F

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
Elektronik Stromversorgung Schottky-Diode Transistor SBD20C100F

Elektronik Stromversorgung Schottky-Diode Transistor SBD20C100F

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
Diskrete Vorrichtung SBD10C100T/F/D/S Leistung Schottky-Diode Transistor

Diskrete Vorrichtung SBD10C100T/F/D/S Leistung Schottky-Diode Transistor

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
Hohe Überspannungskapazität SBD10C100F Schottky-Dioden-Transistor-Schutzschaltung

Hohe Überspannungskapazität SBD10C100F Schottky-Dioden-Transistor-Schutzschaltung

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
1/4

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

Anfrage Absenden
MOSFET 500V-1500V Reifen Hochspannungs-Vdmos in Wechselrichtern, Ladegeräten, Hochspannungs-Schaltnetzteilen und anderen Bereichen angewendet

MOSFET 500V-1500V Reifen Hochspannungs-Vdmos in Wechselrichtern, Ladegeräten, Hochspannungs-Schaltnetzteilen und anderen Bereichen angewendet

0,50 $
1.000 Stücke(MOQ)
Jiaen sic MOSFET, 1200V 50A, Hocheffizienz-Schnellumschaltung für EV-Ladegerät und PV-Wechselrichter

Jiaen sic MOSFET, 1200V 50A, Hocheffizienz-Schnellumschaltung für EV-Ladegerät und PV-Wechselrichter

1,20 $
1.000 Stücke(MOQ)
1200V/80A Jiaen sic MOSFET für EV-Ladegerät und Energiespeicherung

1200V/80A Jiaen sic MOSFET für EV-Ladegerät und Energiespeicherung

1,20 $
1.000 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-Mosfet

Hochspannungs-Mosfet

0,50 $
1.000 Stücke(MOQ)

Baoding Sanzheng Electrical Equipment Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Hersteller 1500kw Schweißgeräte Induktionstyp ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

Hersteller 1500kw Schweißgeräte Induktionstyp ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

100.000,00-150.000,00 $
1 Satz(MOQ)
800kw Schweißgeräte Induktionsart ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

800kw Schweißgeräte Induktionsart ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

60.000,00-80.000,00 $
1 Satz(MOQ)
500kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Mosfet oder IGBT

500kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Mosfet oder IGBT

78.000,00-82.000,00 $
1 Satz(MOQ)
CE 1000kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

CE 1000kw Schweißgeräte Induktionsart konfiguriert mit Si-Mosfet oder Sic-Mosfet

160.000,00-170.000,00 $
1 Satz(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 J.
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

12,11 $
10 Stücke(MOQ)
Bmd60n600c1, 600V 8A Sj Mosfet mit niedrigem Schaltverlust, niedriger EMI

Bmd60n600c1, 600V 8A Sj Mosfet mit niedrigem Schaltverlust, niedriger EMI

0,13 $
10 Stücke(MOQ)
600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Hochleistungs-Sj-Mosfet mit niedriger EMI und geringen Schaltverlusten

600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Hochleistungs-Sj-Mosfet mit niedriger EMI und geringen Schaltverlusten

0,35 $
10 Stücke(MOQ)
1200 V, 69 a, [Bcz120n32W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

1200 V, 69 a, [Bcz120n32W1], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

2,87 $
10 Stücke(MOQ)
1/1

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

9 J.·5.0
Anfrage Absenden
Kapsel-Scheiben-Typ Phasenregelung Thyristor Kp Gewöhnliche Serie Kp1600A 2000V SCR Transistor

Kapsel-Scheiben-Typ Phasenregelung Thyristor Kp Gewöhnliche Serie Kp1600A 2000V SCR Transistor

100,00 $
10 Stücke(MOQ)
Sailton Marke SCR Schnellschaltthyristor Y40kpeot18K

Sailton Marke SCR Schnellschaltthyristor Y40kpeot18K

Verhandelbar
5 Stücke(MOQ)
Elektronisches Bauteil Induktionsheizung Schnelle Schaltleistung Phasensteuerung Thyristor Kp3800A600V

Elektronisches Bauteil Induktionsheizung Schnelle Schaltleistung Phasensteuerung Thyristor Kp3800A600V

150,00-570,00 $
5 Stücke(MOQ)
Eupec Thyristor Ausgezeichnete dynamische Eigenschaften Schnelle Schaltleistung Phasensteuerungs-Thyristor Kp3200A2000V

Eupec Thyristor Ausgezeichnete dynamische Eigenschaften Schnelle Schaltleistung Phasensteuerungs-Thyristor Kp3200A2000V

150,00-570,00 $
5 Stücke(MOQ)
1/4

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

Anfrage Absenden
60V 5A Nce6005as N-Kanal Verstärkungsmodus Leistung Mosfet Transistor м о п -т р а н з и с т о р

60V 5A Nce6005as N-Kanal Verstärkungsmodus Leistung Mosfet Transistor м о п -т р а н з и с т о р

0,077-0,089 $
5.000 Stücke(MOQ)
82V 140A Nce82h140 Nce82h140d N-Kanal Enhancement-Modus 220W Mosfet-Transistor mit to-220

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d N-Kanal Enhancement-Modus 220W Mosfet-Transistor mit to-220

0,38-0,437 $
1.000 Stücke(MOQ)
-60V -12A Nce60p12as Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

-60V -12A Nce60p12as Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

0,001-0,109 $
5.000 Stücke(MOQ)
-60V -45A Nce60p45K Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

-60V -45A Nce60p45K Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

0,116-0,20 $
2.500 Stücke(MOQ)
1/4

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor 20n06 60V 25A Mosfet-Schaltanwendungen

Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor 20n06 60V 25A Mosfet-Schaltanwendungen

Verhandelbar
100 Stücke(MOQ)
Original neuer Transistor 100V 15A Mosfet auf Lager

Original neuer Transistor 100V 15A Mosfet auf Lager

0,062-0,099 $
20 Stücke(MOQ)
Neue Original-Mosfet 18n20 200V 18A to-220 Leistungstransistor für LED-Licht

Neue Original-Mosfet 18n20 200V 18A to-220 Leistungstransistor für LED-Licht

Verhandelbar
100 Stücke(MOQ)
Gute Qualität Mosfet für Kleinsignal-, Schalt-, Leistungs- und Automobilbereich

Gute Qualität Mosfet für Kleinsignal-, Schalt-, Leistungs- und Automobilbereich

0,054-0,089 $
20 Stücke(MOQ)

Henan 4.0 Automation Equipment Co., Ltd.

5.0
Anfrage Absenden
8dq Transistor-Ausgang Statt Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 für S7-1200

8dq Transistor-Ausgang Statt Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 für S7-1200

50,00-60,00 $
1 Stück(MOQ)
Sm1223 Digitale Ein- und Ausgangsmodul 16di/16dq, Transistorausgang Statt 6es7223-1bl32-0xb0 für Siemens S7-1200

Sm1223 Digitale Ein- und Ausgangsmodul 16di/16dq, Transistorausgang Statt 6es7223-1bl32-0xb0 für Siemens S7-1200

135,00-140,00 $
1 Stück(MOQ)
Dq16 Transistor-Upgrade für Sm1222 digitale Ausgangsmodule

Dq16 Transistor-Upgrade für Sm1222 digitale Ausgangsmodule

80,00-85,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

9 J.·5.0
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
Svs47n60pn Swasiland SL Agent Originalbestand 47A 600V DP MOS Leistungstransistor

Svs47n60pn Swasiland SL Agent Originalbestand 47A 600V DP MOS Leistungstransistor

1,19-2,28 $
600 Stücke(MOQ)
Sgt25u120fd1p7 Original Silan Micro 25A 1200V IGBT

Sgt25u120fd1p7 Original Silan Micro 25A 1200V IGBT

1,19-2,28 $
100 Stücke(MOQ)
Svf23n50pn Original Silan Agent 23A 500V MOS Printing 23n50

Svf23n50pn Original Silan Agent 23A 500V MOS Printing 23n50

1,19-2,28 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Cansheng Industry Development Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Swithing Transistor für energiesparende Lampe (13002/13003)

Swithing Transistor für energiesparende Lampe (13002/13003)

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)
Swithicng Transistor (MMBT3904/MMBT3906)

Swithicng Transistor (MMBT3904/MMBT3906)

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)
Simiconductor (BAV99)

Simiconductor (BAV99)

Verhandelbar

Winsemi Microelectronics Company Limited

Anfrage Absenden
Schnell-Schaltung NPN Energien-Transistor (MJE13005)

Schnell-Schaltung NPN Energien-Transistor (MJE13005)

Verhandelbar
Schnell-Schaltung NPN Energien-Transistor (SBP13003-O)

Schnell-Schaltung NPN Energien-Transistor (SBP13003-O)

Verhandelbar
Schaltungs-Transistor (SBP13007-O)

Schaltungs-Transistor (SBP13007-O)

Verhandelbar

Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited

Anfrage Absenden
Transistor NPN: Mmbt5551

Transistor NPN: Mmbt5551

30,00 $
3.000 Stücke(MOQ)
MosfetCj3401 P-Channelverbesserungs-Modus-Bereich-Effekt-Transistor

MosfetCj3401 P-Channelverbesserungs-Modus-Bereich-Effekt-Transistor

0,025 $
1 Stück(MOQ)

Guangdong Shikues Mirco industrial Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Bcp56 NPN Sot-223 Transistor

Bcp56 NPN Sot-223 Transistor

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Shikues Bcp69 PNP Transistor

Shikues Bcp69 PNP Transistor

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)

Huzhou Yifan Electron Co., Ltd.

Anfrage Absenden
Transistor (13002A)

Transistor (13002A)

Verhandelbar
Transistor (13003M4)

Transistor (13003M4)

Verhandelbar

Shenzhen Tianhehuijin Tech Ltd

10 J.·4.8
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
PLC-Signalverstärkerplatine PNP NPN Umwandlung Eingangsoptokoppler-Isolation Transistor-Auslöser-Spannung 24V

PLC-Signalverstärkerplatine PNP NPN Umwandlung Eingangsoptokoppler-Isolation Transistor-Auslöser-Spannung 24V

17,00-45,00 $
20 pieces(MOQ)
4-32 Kanäle Io Karte PLC Signalverstärker Board PNP NPN Umwandlung Eingangsoptokoppler Isolation Transistor Auslöser Spannung 24V

4-32 Kanäle Io Karte PLC Signalverstärker Board PNP NPN Umwandlung Eingangsoptokoppler Isolation Transistor Auslöser Spannung 24V

8,00-15,00 $
20 pieces(MOQ)
1/4
112
Heiße Produkte
Elektronische Röhren
Schaltversorgung
Schaltnetzteil
Leistungstransistor
Schaltnetzteiladapter
China Transistor
Wechselstromadapter
Richtungswechsel
Zugehörige Hersteller & Lieferant
Wechselstromadapter Fabrik
Umschaltventil Fabrik
Ic Transistor Fabrik
Ladegerät Fabrik
Modus Stromversorgung Schaltung Hersteller
Offenes Rahmen-schaltnetzteil Hersteller
Tft Hersteller
Tft-display Hersteller
Über uns Erklärung Nutzungsvertrag Datenschutzerklärung Kontakt Made-in-China.com Schnellauswahl Produkte Einblicke
Sprachoptionen: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2026 Focus Technology Co., Ltd. Alle Rechte vorbehalten
Focus Technologie ist nicht verantwortlich für Unstimmigkeiten zwischen der englischen Version und anderen Versionen dieser Website. Sollte es zu Wiedersprüchen kommen, wird die englische Version als maßgeblich angesehen.Mit der Nutzung dieser Website stimmen sie unseren AGB’s zu.