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etwa Schalttransistor
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Schalttransistor300+ Fabriken verifiziert

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
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N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor Hochgeschwindigkeitsumschaltung SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3404AQ

N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor Hochgeschwindigkeitsumschaltung SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3404AQ

0,92 $
1.000 Stücke(MOQ)
P-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor Hochgeschwindigkeitsumschaltung SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3407AQ

P-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor Hochgeschwindigkeitsumschaltung SOT-23 Merkmale Anwendungen YJL3407AQ

0,79 $
1.000 Stücke(MOQ)
N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit SOT-323 Merkmale Anwendungen 2N7002KDWHQ

N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit SOT-323 Merkmale Anwendungen 2N7002KDWHQ

0,18-1,16 $
1 Stück(MOQ)
N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit SOT-23 Merkmale Anwendungen 2N7002KCQ

N-Kanal Enhancement Mode-Feldeffekttransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit SOT-23 Merkmale Anwendungen 2N7002KCQ

0,14-1,15 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Simentor Electronic Limited

13 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Bdx53c Leistungstransistor - Ideal für Audioverstärker und Schaltanwendungen

Bdx53c Leistungstransistor - Ideal für Audioverstärker und Schaltanwendungen

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Sot23 Schalttransistor NPN (MMBT4401LT1G)

Sot23 Schalttransistor NPN (MMBT4401LT1G)

Verhandelbar
100 Stücke(MOQ)
Guter Preis IC Fqp90n10V2 Hochstrom 65A N-Kanal Mosfet, 60V, Schnelles Schalten

Guter Preis IC Fqp90n10V2 Hochstrom 65A N-Kanal Mosfet, 60V, Schnelles Schalten

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Fqd5n20L Mosfet-Transistor mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltgeschwindigkeit

Fqd5n20L Mosfet-Transistor mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltgeschwindigkeit

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

5.0
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MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Oberflächenmontage NPN Silizium Schalttransistor

MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Oberflächenmontage NPN Silizium Schalttransistor

0,05-200,00 $
500 Stücke(MOQ)
PMBT3904,215 PMBT3904 Serie 40 V 200 mA SMT NPN Schalttransistor

PMBT3904,215 PMBT3904 Serie 40 V 200 mA SMT NPN Schalttransistor

0,072-15,00 $
100 Stücke(MOQ)
MMBT4403LT1G MMBT-Serie 40V 600mA Oberflächenmontage PNP Silizium-Schalttransistor

MMBT4403LT1G MMBT-Serie 40V 600mA Oberflächenmontage PNP Silizium-Schalttransistor

0,05-200,00 $
500 Stücke(MOQ)
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS Transistor-Mosfet

SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS Transistor-Mosfet

0,12-15,00 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Shengxinweiye (Shenzhen) Co., Ltd

9 J.
·Handelsunternehmen
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Importierter Chip Stf10nm60n Neu 600V10A To220f Schaltnetzteil MOS-Transistor

Importierter Chip Stf10nm60n Neu 600V10A To220f Schaltnetzteil MOS-Transistor

2,70-4,00 $
10 Stücke(MOQ)
Buh515D Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor

Buh515D Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor

1,02-2,00 $
10 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor

Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor

2,00 $
2.000 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Mje 13009A 13009 Mje13009A

Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Mje 13009A 13009 Mje13009A

0,21 $
500 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 J.
·Handelsunternehmen
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Buh515D Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor

Buh515D Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor

1,02-2,00 $
10 Stücke(MOQ)
Originalleistung E13003 Schalten D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Originalleistung E13003 Schalten D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

0,09 $
1.000 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Mje 13009A 13009 Mje13009A

Hochspannungs-Schnellschalt-NPN-Leistungstransistor Mje 13009A 13009 Mje13009A

0,21 $
500 Stücke(MOQ)
Neue Triode Bc337-25 Bc337-40 Schalt- und Verstärkungs-Transistor

Neue Triode Bc337-25 Bc337-40 Schalt- und Verstärkungs-Transistor

0,08 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Hochgeschwindigkeits-Schalt-NPN-Allzweck-Verstärkertransistor Pxt2222A Gehäuse Sot-89

Hochgeschwindigkeits-Schalt-NPN-Allzweck-Verstärkertransistor Pxt2222A Gehäuse Sot-89

0,02 $
1.000 Stücke(MOQ)
Asc30n650mt4 650V N-Kanal Siliziumkarbid (SiC) Mosfet to-247-4 Transistor

Asc30n650mt4 650V N-Kanal Siliziumkarbid (SiC) Mosfet to-247-4 Transistor

3,12 $
500 Stücke(MOQ)
IGBT-Module Vces-1200V IC-35A Mg35p12p3 Transistor

IGBT-Module Vces-1200V IC-35A Mg35p12p3 Transistor

12,50 $
6 Stücke(MOQ)
Asc100n1700mt3pb 1700V N-Kanal Sic Mosfet to-247-3 Elektronenröhren-Transistor

Asc100n1700mt3pb 1700V N-Kanal Sic Mosfet to-247-3 Elektronenröhren-Transistor

2,60 $
500 Stücke(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Ausgezeichnete Leitfähigkeit und Schaltverluste To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar Transistor

Ausgezeichnete Leitfähigkeit und Schaltverluste To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Hersteller Trident Gate Bipolar Transistor

2,50-3,00 $
5.000 Stücke(MOQ)
Schnellrückführungsdiode Hochspannungsreglertransistor

Schnellrückführungsdiode Hochspannungsreglertransistor

0,20 $
660 Stücke(MOQ)
Transistor-Verstärkung To263-6L Sfs10r021K7NF Vds-100 ID-960A RDS (ON) -2.1milliohm Qg-107nc für Schaltspannungsregler N-Kanal Leistungs-Mosfet

Transistor-Verstärkung To263-6L Sfs10r021K7NF Vds-100 ID-960A RDS (ON) -2.1milliohm Qg-107nc für Schaltspannungsregler N-Kanal Leistungs-Mosfet

0,35-0,40 $
800 Stücke(MOQ)
PC-Leistungs-Mosfet mit extrem niedrigen Schaltverlusten

PC-Leistungs-Mosfet mit extrem niedrigen Schaltverlusten

0,35-0,60 $
600 Stücke(MOQ)
1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 J.·4.9
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Originalleistung E13003 Schalten D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Originalleistung E13003 Schalten D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

0,10-0,50 $
1 Stück(MOQ)
Hochleistungsstrom N-Kanal Modus Mosfet Transistor Hy4008p/M/B/PS/Pm

Hochleistungsstrom N-Kanal Modus Mosfet Transistor Hy4008p/M/B/PS/Pm

0,25 $
100 Stücke(MOQ)
Transistoren Buk6d23-40eh Mosfet Buk6d23-40e/Sot1220 SMD/SMT

Transistoren Buk6d23-40eh Mosfet Buk6d23-40e/Sot1220 SMD/SMT

0,001-0,10 $
10 Stücke(MOQ)
Sgt75t65sdm1p7 75t65s IGBT to-247 650V/75A Originaltransistoren Komponenten Elektronenstrahl Eins-Stop-Service

Sgt75t65sdm1p7 75t65s IGBT to-247 650V/75A Originaltransistoren Komponenten Elektronenstrahl Eins-Stop-Service

0,57-1,23 $
10 Stücke(MOQ)
1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

14 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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B772 Bipolar (BJT) Transistoranordnung Bipolartransistoranordnungen

B772 Bipolar (BJT) Transistoranordnung Bipolartransistoranordnungen

0,01-0,03 $
1 Stück(MOQ)
Mmbt5551 Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 Ma 300MHz 250 MW Oberflächenmontage

Mmbt5551 Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 Ma 300MHz 250 MW Oberflächenmontage

0,01-0,03 $
1 Stück(MOQ)
Ao3401A Feldeffekttransistor P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3

Ao3401A Feldeffekttransistor P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3

1,75-1,78 $
1 Stück(MOQ)
Ao3401 P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3 Transistor

Ao3401 P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Oberflächenmontage Sot-23-3 Transistor

0,01-0,02 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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40A 650V Isolierter Tor-Bipolartransistor G40t65lbbn to-3pn

40A 650V Isolierter Tor-Bipolartransistor G40t65lbbn to-3pn

0,22 $
5.000 Stücke(MOQ)
NPN epitaxial Siliziumtransistor Tip41c to-220 to-252

NPN epitaxial Siliziumtransistor Tip41c to-220 to-252

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
Heißer Verkauf NPN Epitaxialsiliziumtransistor Tip122 to-220

Heißer Verkauf NPN Epitaxialsiliziumtransistor Tip122 to-220

0,01-1,50 $
5.000 Stücke(MOQ)
110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

110A 60V N-Kanal Enhancement-Modus Leistung Mosfet Dh066n06e

0,01-0,20 $
5.000 Stücke(MOQ)
1/4

Finest Printed Circuit Board Ltd.

23 J.
·Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
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Bester Leistungsröhren-Tetrode-Oszillator Leistungs-Triode Fu 728f RF-Röhre 4cx1000A Tb3 750 TV-Transistoren C3856

Bester Leistungsröhren-Tetrode-Oszillator Leistungs-Triode Fu 728f RF-Röhre 4cx1000A Tb3 750 TV-Transistoren C3856

5,00 $
1 Stück(MOQ)
Nichia Laserdiode RS3060cj Cbt 120 2sc5200 Trioden-Hochfrequenzröhren NPN-Transistorfabrik

Nichia Laserdiode RS3060cj Cbt 120 2sc5200 Trioden-Hochfrequenzröhren NPN-Transistorfabrik

5,00 $
1 Stück(MOQ)
2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Leistung Mosfet PNP NPN Transistoren SMD Triode Verstärker IGBT Transistor

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Leistung Mosfet PNP NPN Transistoren SMD Triode Verstärker IGBT Transistor

5,00 $
1 Stück(MOQ)
Mosfet Bss138 SCR Thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Audio 2488 Transistoren

Mosfet Bss138 SCR Thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Audio 2488 Transistoren

5,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Guangdong Global Well Electronic Limited

3 J.
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Transistors2sc5200 Mosfets Kit Tester Transistoren

Transistors2sc5200 Mosfets Kit Tester Transistoren

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
B772equivalent SMD-Codes Transistoren

B772equivalent SMD-Codes Transistoren

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
Originale neue Silizium-Hochleistungs-De-Potenztransistoren elektronische Komponente

Originale neue Silizium-Hochleistungs-De-Potenztransistoren elektronische Komponente

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
Elektronische Bauelemente Transistoren für integrierte Schaltkreise IC-Chips und Halbleitermodule

Elektronische Bauelemente Transistoren für integrierte Schaltkreise IC-Chips und Halbleitermodule

0,10-0,20 $
1.000 pieces(MOQ)
1/4

Shenzhen Lianxiong Trading Co., Ltd.

6 J.
·Handelsunternehmen
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Transistoren Irf3808 N-Kanal-Mosfet 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

Transistoren Irf3808 N-Kanal-Mosfet 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

0,50-0,70 $
200 pieces(MOQ)
Transistor Irf7404 Sop-8 Original Integrierte Schaltkreisverteiler Irf7404trpbf

Transistor Irf7404 Sop-8 Original Integrierte Schaltkreisverteiler Irf7404trpbf

0,20-0,30 $
200 pieces(MOQ)
Neue originale Hochwertige to-220ab Irf3205 Mosfet Transistor Lieferant Irf3205pbf

Neue originale Hochwertige to-220ab Irf3205 Mosfet Transistor Lieferant Irf3205pbf

0,10-0,30 $
500 pieces(MOQ)
Elq3h7 (TA) Originaltransistor elektronische Bauelemente Optokoppler 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

Elq3h7 (TA) Originaltransistor elektronische Bauelemente Optokoppler 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

0,10-0,30 $
100 Stücke(MOQ)
1/4

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

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Hochgeschwindigkeits-Schalt-Diode Ll4148 Integrierter Schaltkreis Transistor

Hochgeschwindigkeits-Schalt-Diode Ll4148 Integrierter Schaltkreis Transistor

Verhandelbar
10.000 Stücke(MOQ)
Neue Original to-220f 7A 680V N-Kanal Mosfet Transistor 7n65

Neue Original to-220f 7A 680V N-Kanal Mosfet Transistor 7n65

0,041 $
1.000 Stücke(MOQ)
680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 N-Kanal Hochleistungs-Mosfet

0,083 $
1.000 Stücke(MOQ)
ZG 5n60 MOSFET 600V 2,8A To220f 5n60

ZG 5n60 MOSFET 600V 2,8A To220f 5n60

0,039 $
1.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

20 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Zuverlässiger Ao4435 -30V P-Kanal Mosfet für effizientes Energiemanagement

Zuverlässiger Ao4435 -30V P-Kanal Mosfet für effizientes Energiemanagement

0,05 $
20.000 Stücke(MOQ)
Ao4435 Modus Mosfet Sop8

Ao4435 Modus Mosfet Sop8

0,03 $
1.000 Stücke(MOQ)
2301 Transistor 20V P-Kanal Mosfet

2301 Transistor 20V P-Kanal Mosfet

0,006 $
30.000 Stücke(MOQ)
Mmbt3904 NPN-Kunststoffgehäuse-Transistoren

Mmbt3904 NPN-Kunststoffgehäuse-Transistoren

0,0034-0,0035 $
21.000 Stücke(MOQ)
1/4

Shenzhen Xinjiaye Electronics Technology Co., Ltd.

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Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Thermoleitfähige Silikon-Gummi-Kappe Isolierhülse für to-220 / to-3p Leistungstransistor Mosfet IGBT

Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Thermoleitfähige Silikon-Gummi-Kappe Isolierhülse für to-220 / to-3p Leistungstransistor Mosfet IGBT

0,02 $
1 Stück(MOQ)
Ll4148 Standarddiode 100V 200mA SOD-80 Gehäuse - 20PCS Hochleistungs-Elektronikkomponenten

Ll4148 Standarddiode 100V 200mA SOD-80 Gehäuse - 20PCS Hochleistungs-Elektronikkomponenten

3.000,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Shenzhen Gewei Technology Co., Ltd.

5.0
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CD4069ubm96 IC Integrierte Schaltung IC Chip Transistor auf Lager Vorräte IC Integrierte Schaltung

CD4069ubm96 IC Integrierte Schaltung IC Chip Transistor auf Lager Vorräte IC Integrierte Schaltung

0,001 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

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Jiaen sic MOSFET, 1200V 50A, Hocheffizienz-Schnellumschaltung für EV-Ladegerät und PV-Wechselrichter

Jiaen sic MOSFET, 1200V 50A, Hocheffizienz-Schnellumschaltung für EV-Ladegerät und PV-Wechselrichter

1,20 $
1.000 Stücke(MOQ)
MOSFET 500V-1500V Reifen Hochspannungs-Vdmos in Wechselrichtern, Ladegeräten, Hochspannungs-Schaltnetzteilen und anderen Bereichen angewendet

MOSFET 500V-1500V Reifen Hochspannungs-Vdmos in Wechselrichtern, Ladegeräten, Hochspannungs-Schaltnetzteilen und anderen Bereichen angewendet

0,50 $
1.000 Stücke(MOQ)
Hochspannungs-Mosfet

Hochspannungs-Mosfet

0,50 $
1.000 Stücke(MOQ)
1200V/80A Jiaen sic MOSFET für EV-Ladegerät und Energiespeicherung

1200V/80A Jiaen sic MOSFET für EV-Ladegerät und Energiespeicherung

1,20 $
1.000 Stücke(MOQ)

CTC Technology Co., Ltd.

20 J.
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elektronisches Bauteil Schottky-Diode Transistor SBD10C100F

elektronisches Bauteil Schottky-Diode Transistor SBD10C100F

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
Diskrete Vorrichtung SBD10C100T/F/D/S Leistung Schottky-Diode Transistor

Diskrete Vorrichtung SBD10C100T/F/D/S Leistung Schottky-Diode Transistor

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
Elektronik Stromversorgung Schottky-Diode Transistor SBD20C100F

Elektronik Stromversorgung Schottky-Diode Transistor SBD20C100F

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
Hohe Überspannungskapazität SBD10C100F Schottky-Dioden-Transistor-Schutzschaltung

Hohe Überspannungskapazität SBD10C100F Schottky-Dioden-Transistor-Schutzschaltung

0,03-0,15 $
2.000 Stücke(MOQ)
1/4

Baoding Sanzheng Electrical Equipment Co., Ltd.

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Hersteller 1500kw Schweißgeräte Induktionstyp ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

Hersteller 1500kw Schweißgeräte Induktionstyp ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

100.000,00-150.000,00 $
1 Satz(MOQ)
800kw Schweißgeräte Induktionsart ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

800kw Schweißgeräte Induktionsart ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

60.000,00-80.000,00 $
1 Satz(MOQ)
2023new Entworfen 800kw Schweißgeräte Induktionsart Konfiguriert mit Mosfet oder IGBT

2023new Entworfen 800kw Schweißgeräte Induktionsart Konfiguriert mit Mosfet oder IGBT

128.000,00-134.000,00 $
1 Satz(MOQ)
Hersteller 800kw Schweißgeräte Induktionstyp ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

Hersteller 800kw Schweißgeräte Induktionstyp ausgestattet mit Mosfet oder IGBT

128.000,00-134.000,00 $
1 Satz(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 J.
·Handelsunternehmen
Anfrage Absenden
1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

12,11 $
10 Stücke(MOQ)
Bmd60n600c1, 600V 8A Sj Mosfet mit niedrigem Schaltverlust, niedriger EMI

Bmd60n600c1, 600V 8A Sj Mosfet mit niedrigem Schaltverlust, niedriger EMI

0,13 $
10 Stücke(MOQ)
600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Hochleistungs-Sj-Mosfet mit niedriger EMI und geringen Schaltverlusten

600 V, 20 a, 190 MΩ , [Bmf60n190c1], Hochleistungs-Sj-Mosfet mit niedriger EMI und geringen Schaltverlusten

0,35 $
10 Stücke(MOQ)
650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Hochleistungs-Super-Junction-Leistungs-Mosfet

1,05 $
10 Stücke(MOQ)
1/1

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

9 J.·5.0
Anfrage Absenden
Kapsel-Scheiben-Typ Phasenregelung Thyristor Kp Gewöhnliche Serie Kp1600A 2000V SCR Transistor

Kapsel-Scheiben-Typ Phasenregelung Thyristor Kp Gewöhnliche Serie Kp1600A 2000V SCR Transistor

100,00 $
10 Stücke(MOQ)
Schnellumschaltthyristormodule Halbleiterbauelemente Leistungsmodul

Schnellumschaltthyristormodule Halbleiterbauelemente Leistungsmodul

100,00 $
10 Stücke(MOQ)
Leistungsübertragungsanwendungen Induktionsheizung Schnelle Schaltleistung Phasensteuerung Thyristor Kp3800A1200V

Leistungsübertragungsanwendungen Induktionsheizung Schnelle Schaltleistung Phasensteuerung Thyristor Kp3800A1200V

150,00-570,00 $
5 Stücke(MOQ)
SCR-Induktionsheizung Schnelles Schaltverhalten Phasensteuerung Thyristor Kp3500A2500V

SCR-Induktionsheizung Schnelles Schaltverhalten Phasensteuerung Thyristor Kp3500A2500V

50,00-300,00 $
5 Stücke(MOQ)
1/4

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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82V 140A Nce82h140 Nce82h140d N-Kanal Enhancement-Modus 220W Mosfet-Transistor mit to-220

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d N-Kanal Enhancement-Modus 220W Mosfet-Transistor mit to-220

0,38-0,437 $
1.000 Stücke(MOQ)
60V 5A Nce6005as N-Kanal Verstärkungsmodus Leistung Mosfet Transistor м о п -т р а н з и с т о р

60V 5A Nce6005as N-Kanal Verstärkungsmodus Leistung Mosfet Transistor м о п -т р а н з и с т о р

0,077-0,089 $
5.000 Stücke(MOQ)
-60V -12A Nce60p12as Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

-60V -12A Nce60p12as Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

0,001-0,109 $
5.000 Stücke(MOQ)
-60V -45A Nce60p45K Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

-60V -45A Nce60p45K Nce P-Kanal Enhancement Mode Leistung Mosfet Transistor

0,116-0,20 $
2.500 Stücke(MOQ)
1/4

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor 20n06 60V 25A Mosfet-Schaltanwendungen

Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor 20n06 60V 25A Mosfet-Schaltanwendungen

Verhandelbar
100 Stücke(MOQ)
G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A Schalttransistor Mosfet mit kostenlosem Muster

G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A Schalttransistor Mosfet mit kostenlosem Muster

0,085-0,115 $
20 Stücke(MOQ)
G08p02ts -20V, -8.2A Einzelne Graben-Mosfet für Leistungsschaltungen

G08p02ts -20V, -8.2A Einzelne Graben-Mosfet für Leistungsschaltungen

0,085-0,105 $
20 Stücke(MOQ)
Ifr640 Entsprechender Transistor 200V 9A Mosfet für LED-TV-Hintergrundbeleuchtung

Ifr640 Entsprechender Transistor 200V 9A Mosfet für LED-TV-Hintergrundbeleuchtung

0,077-0,12 $
20 Stücke(MOQ)

Henan 4.0 Automation Equipment Co., Ltd.

5.0
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8dq Transistor-Ausgang Statt Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 für S7-1200

8dq Transistor-Ausgang Statt Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 für S7-1200

50,00-60,00 $
1 Stück(MOQ)
Sm1223 Digitale Ein- und Ausgangsmodul 16di/16dq, Transistorausgang Statt 6es7223-1bl32-0xb0 für Siemens S7-1200

Sm1223 Digitale Ein- und Ausgangsmodul 16di/16dq, Transistorausgang Statt 6es7223-1bl32-0xb0 für Siemens S7-1200

135,00-140,00 $
1 Stück(MOQ)
Dq16 Transistor-Upgrade für Sm1222 digitale Ausgangsmodule

Dq16 Transistor-Upgrade für Sm1222 digitale Ausgangsmodule

80,00-85,00 $
1 Stück(MOQ)
1/4

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

9 J.·5.0
·Handelsunternehmen
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Svs47n60pn Swasiland SL Agent Originalbestand 47A 600V DP MOS Leistungstransistor

Svs47n60pn Swasiland SL Agent Originalbestand 47A 600V DP MOS Leistungstransistor

1,19-2,28 $
600 Stücke(MOQ)
Svf23n50pn Original Silan Agent 23A 500V MOS Printing 23n50

Svf23n50pn Original Silan Agent 23A 500V MOS Printing 23n50

1,19-2,28 $
100 Stücke(MOQ)
Sgt25u120fd1p7 Original Silan Micro 25A 1200V IGBT

Sgt25u120fd1p7 Original Silan Micro 25A 1200V IGBT

1,19-2,28 $
100 Stücke(MOQ)
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Shenzhen Cansheng Industry Development Co., Ltd.

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Swithing Transistor für energiesparende Lampe (13002/13003)

Swithing Transistor für energiesparende Lampe (13002/13003)

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)
Swithicng Transistor (MMBT3904/MMBT3906)

Swithicng Transistor (MMBT3904/MMBT3906)

Verhandelbar
1.000 Stücke(MOQ)
Simiconductor (BAV99)

Simiconductor (BAV99)

Verhandelbar

Winsemi Microelectronics Company Limited

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Schnell-Schaltung NPN Energien-Transistor (MJE13005)

Schnell-Schaltung NPN Energien-Transistor (MJE13005)

Verhandelbar
Schnell-Schaltung NPN Energien-Transistor (SBP13003-O)

Schnell-Schaltung NPN Energien-Transistor (SBP13003-O)

Verhandelbar
Schaltungs-Transistor (SBP13007-O)

Schaltungs-Transistor (SBP13007-O)

Verhandelbar

Guangdong Shikues Mirco industrial Co., Ltd.

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Bcp56 NPN Sot-223 Transistor

Bcp56 NPN Sot-223 Transistor

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Shikues Bcp69 PNP Transistor

Shikues Bcp69 PNP Transistor

Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)

Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited

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Transistor NPN: Mmbt5551

Transistor NPN: Mmbt5551

30,00 $
3.000 Stücke(MOQ)
MosfetCj3401 P-Channelverbesserungs-Modus-Bereich-Effekt-Transistor

MosfetCj3401 P-Channelverbesserungs-Modus-Bereich-Effekt-Transistor

0,025 $
1 Stück(MOQ)
112
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