Elektronik Transistor Igbt Für USV Preis 2024 Igbt Für USV Preisliste
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igbt für USV

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1200V IGBT-Modul Dgc40c120m2t

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Referenz FOB Preis: 20,00-50,00 $ / Stück
MOQ: 240 Stück
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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
WXDH
Econopack2
Wuxi, China
8541290000
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FF900r12IP4 Hochkurzschlussfunktion, selbstlimitierende Kurzschlussdiode IGBT für Fahren
Referenz FOB Preis: 300,00-350,00 $ / Stück
MOQ: 3 Stück
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Infineon
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Germany
50000 PC/ Year
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Nce20td60bd 600V 20A Trench FS II schneller IGBT mit to-263 T bietet überlegene Leitungs- und Schaltleistung

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Referenz FOB Preis: 0,1-1,2 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
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Diskrete Geräte
Element Semiconductor
SMD
Analog Digital Composite und Funktion
NCE
Carton
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Bester Preis und neues Fs150r12n2t7_B15 1200 V 150 A Sixpack IGBT-Modul für Infineon

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Referenz FOB Preis: 35,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
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Integrated Circuits Geräte
Digital
Box/Carton
107 mm*45 mm
China
100000 Piece/Pieces Per Week
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30A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate Dgf30f65m2

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Referenz FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
MOQ: 5.000 Stück
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N-Typ-Halbleiter
WXDH
Tube
Wuxi, China
8541290000
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100A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul

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Referenz FOB Preis: 20,00-50,00 $ / Stück
MOQ: 240 Stück
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Compound Semiconductor
N-Typ-Halbleiter
WXDH
Box
Wuxi, China
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Skm75GB17e4 IGBT Modulessemitrans 2 (94X34X30)
Referenz FOB Preis: 34,00-40,00 $ / Stück
MOQ: 12 Stück
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Carton
94x34x30
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50000 PC/ Year
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60A 650V Bipolarer Isolationstransistor Dhg60t65D to-3PN

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Referenz FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
MOQ: 5.000 Stück
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N-Typ-Halbleiter
WXDH
Tube
Wuxi, China
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40A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate Dgc40f65m2 to-247

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Referenz FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
MOQ: 5.000 Stück
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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
WXDH
Tube
Wuxi, China
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80A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate Dgc80f65m

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MOQ: 5.000 Stück
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N-Typ-Halbleiter
WXDH
Tube
Wuxi, China
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Ncepower Marke Nce80td60bt 600V 80A Trench FS II Fast IGBT Mit to-247

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Referenz FOB Preis: 1,7-2,3 $ / Stück
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Element Semiconductor
DIP (Dualin-line Package)
Analog Digital Composite und Funktion
NCE
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IGBT-Modul mit hoher Leistung IGBT-Transistor-IGBT-Module von Infineon Fabrikpreis Großbestand

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Referenz FOB Preis: 0,77-29,77 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
Anyhertz Drive (Shenzhen) Co., Ltd.
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RoHS,CE,ISOCCC
Chip-Transistor
SMD Triode
Hochfrequenz
Hohe Energie
lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht TriodeSwitching Triode
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FF150r12ks4 IGBT2 für Hochfrequenz-Schalttransistor-Modul
Referenz FOB Preis: 71,00-85,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.
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Infineon
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50000 PC/ Year
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Nce75td120bt4 1200V 75A Graben FS II schneller IGBT mit to-247-4L Bietet überlegene Leitungs- und Schaltleistungen und einfachen Parallelbetrieb Für Wechselrichter

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Referenz FOB Preis: 0,1-1,2 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
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Element Semiconductor
DIP (Dualin-line Package)
Analog Digital Composite und Funktion
NCE
Carton
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Fz400r17ke4 IGBT Infineon für unterbrechungsfreie Stromversorgungen mit isoliertem Sockel Platte
Referenz FOB Preis: 84,00-95,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.
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Infineon
Carton
Germany
50000 PC/ Year
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Df80r07W1h5fp_B11 Df100r07W1h5fp_B54 650V 100% Original-IGBT-Modul für Infineon

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Referenz FOB Preis: 200,00-300,00 $ / Stück
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Sichuan Focus Science and Technology Co., Ltd.
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Integrated Circuits Geräte
Digital
Box/Carton
62.8 mm*33.8 mm
China
100000 Piece/Pieces Per Week
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Skm100gar123D Skm150gar12t4 Skm200gar12e4 IGBT-Module

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Referenz FOB Preis: 26,00 $ / Stück
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Shenzhen Dulcimer Technology Co., Ltd.
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Halbleiter-IC
/
Cartons
/
China
8504409190
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34mm 75A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul

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Referenz FOB Preis: 20,00-50,00 $ / Stück
MOQ: 5.000 Stück
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Compound Semiconductor
N-Typ-Halbleiter
WXDH
Box
Wuxi, China
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FF100r12rt4 1200 V 100 A Original-IGBT-Modul mit zwei Schaltermodulen Für Infineon

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Referenz FOB Preis: 150,00-300,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
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Integrated Circuits Geräte
Digital
Box/Carton
94 mm*34mm
China
100000 Piece/Pieces Per Week
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40A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate Dgn40f65m2 to-3PN

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Referenz FOB Preis: 0,01-1,5 $ / Stück
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N-Typ-Halbleiter
WXDH
Tube
Wuxi, China
8541290000
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Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzschalter Nce50td120bp 1200V 50A Graben FS II schnell IGBT mit to-3p

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Referenz FOB Preis: 0,1-1,2 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
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Element Semiconductor
DIP (Dualin-line Package)
Analog Digital Composite und Funktion
NCE
Carton
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Fz900r12kp4 1200 V 900 A Einschaltermodul IGBT

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Referenz FOB Preis: 50,00-100,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
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Integrated Circuits Geräte
Digital
Box/Carton
106.4mm*61.4 mm
China
100000 Piece/Pieces Per Week
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Ikq50n120CH3 50 A IGBT mit Anti-Parallel-Diode im to-247PLUS-Gehäuse Für Energiespeichersysteme
Referenz FOB Preis: 8,00-12,00 $ / Stück
MOQ: 240 Stück
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Infineon
Carton
Germany
50000 PC/ Year
20A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate Dge20f65m2 to-263-3L

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MOQ: 5.000 Stück
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N-Typ-Halbleiter
WXDH
Tube
Wuxi, China
8541290000
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100% Original elektronische Komponenten Nce30td60bt 600V 30A Graben FS II Schnelles IGBT mit to-247

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Referenz FOB Preis: 0,989-1,138 $ / Stück
MOQ: 600 Stück
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Element Semiconductor
DIP (Dualin-line Package)
Analog Digital Composite und Funktion
NCE
Cardboard Box
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100 % Original FF900r12me7p_B11 1200 V 900 A Power IGBT-Modul Für Infineon

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Referenz FOB Preis: 35,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
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Integrated Circuits Geräte
Digital
Box/Carton
152 mm*62 mm
China
100000 Piece/Pieces Per Week
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Ikw50n60t 600V 50A IGBT diskret mit Anti-Parallel-Diode in to-247 Paket
Referenz FOB Preis: 5,00-7,00 $ / Stück
MOQ: 240 Stück
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Carton
Germany
50000 PC/ Year
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1700V IGBT-Modul Dgc75c170m2t

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MOQ: 240 Stück
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N-Typ-Halbleiter
WXDH
Econopack2
Wuxi, China
8541290000
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IGBT-Modul mit hoher Leistung IGBT-Transistor-IGBT-Module von Infineon Fabrikpreis

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Referenz FOB Preis: 0,77-29,77 $ / Stück
MOQ: 1 Stück
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RoHS,CE,ISOCCC
Chip-Transistor
SMD Triode
Hochfrequenz
Hohe Energie
lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht TriodeSwitching Triode
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1200 V Fp25r12W2t4 100 % Original-IGBT-Modul für Infineon

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Referenz FOB Preis: 20,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
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Integrated Circuits Geräte
Digital
Box/Carton
56.7 mm*48mm
China
100000 Piece/Pieces Per Week
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Nce40td60bp 600V 40A Trench FS II schneller IGBT mit to-3p Bietet Überlegene Leitungs- Und Schaltleistung

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MOQ: 600 Stück
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Element Semiconductor
DIP (Dualin-line Package)
Analog Digital Composite und Funktion
NCE
Carton
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2sc0535t2a1-33 Dual-Driver mit Parallelschaltung einfaches Inverter-Design für höhere Leistung Nennleistung
Referenz FOB Preis: 130,00-140,00 $ / Stück
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Optoelektronische Semiconductor
Element Semiconductor
N-Typ-Halbleiter
PGA (Pin Grid Array Package)
Analog Digital Composite und Funktion
Temperaturmessung
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50A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate, IGBT Dgc50f65m2 to-247

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MOQ: 5.000 Stück
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Diskrete Geräte
N-Typ-Halbleiter
WXDH
Tube
Wuxi, China
8541290000
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Skm200GB12t4 4th Generation Fast Trench IGBT mit integriertem Gate-Widerstand
Referenz FOB Preis: 58,00-65,00 $ / Stück
MOQ: 12 Stück
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semi kron
Carton
Germany
50000 PC/ Year
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Nce40td60bt NCE 600V 40A Trench FS II schneller IGBT mit To-247 wird in Luftkonditon verwendet

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Diskrete Geräte
Element Semiconductor
DIP (Dualin-line Package)
Analog Digital Composite und Funktion
NCE
Cardboard Box
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FF600r12me4_B72 1200V 600A Dual IGBT-Modul mit Emitter-gesteuerter Diode Und NTC
Referenz FOB Preis: 150,00-160,00 $ / Stück
MOQ: 10 Stück
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Optoelektronische Semiconductor
Element Semiconductor
N-Typ-Halbleiter
PGA (Pin Grid Array Package)
Analog Digital Composite und Funktion
Infineon
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Hochfrequenz-Usv Preis
Leistungsschutz Preis
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Igbt Für USV Preisliste

Es wurden 10509 igbt für USV Produkte gefunden,von denen etwa 3% zur Transistor-Liste gehören,24% zur Ups-Liste gehörenund 3% zur Triode gehören.Sie können Produkte nach mehreren Attributen filtern, z. B. Bescheinigung, Funktion, Struktur, Leistungspegel.
Es gibt 14319 igbt für USV Lieferanten aus China, etwa 55% davon sind igbt für USV Hersteller / Fabriken.
  • 1200V IGBT-Modul Dgc40c120m2t

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