Gx5n60 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 600V 4,5A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgp9n20 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponenten to-220-Teile
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx7n65 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220 Teile
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
7002knsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 60V 0,3A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wga460 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 500V 20A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx1n80 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To251 Teile 800V 1A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgp60r190 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 600V 20A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
2310nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 60V 3A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung To-220parts 400V 11,4A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgp16n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 500V16A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wga60r070 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To3p Teile 600V 47A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx11n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220f Teile 900V 11,4A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx2n65 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 650V 2A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx2n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To251 Teile 900V 1,7A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgp50r140 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 500V 24A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx830 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-220 Teile 500V 4,5A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
3018nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 30V 0,1A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgp5n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 500V 4,5A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
3401psa-L hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -30V -4,1A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgd50r550 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 500V 7A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx9n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220f Teile 900V 9A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
3422nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 55V 2,1A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgp830 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 500V 4,5A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
2307psa hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -30V -2,7A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx2n65 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To251 Teile 650V 2A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wga65r080 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 650V 47A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx4n60 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220 Teile
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
2324nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 100V 2A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
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- Provinz: Jiangsu, China
Gx12n60 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 600V 12A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx18n60 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220f Teile 600V 18A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
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