Über 2209 Produkte gefunden

Gx1n65 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-126 Teile 650V 0,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgd65r950 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 650V5a

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp6n40 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 400V 5,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wga60r070d hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 600V47A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

3416nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 20V 6,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx1n65 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-92 Teile 650V 0,4A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

3407psa hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -30V -4,1A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx9n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To3p Teile 900V 8A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp50r240 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 500V 18A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx2n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To251 Teile 900V 1,7A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgd60r850 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 600V 5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

3415psa hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -20V -4A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx4n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 900V 4A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

3420nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 20V 6A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

02n60SA hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 60V 2A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx8n65 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 650V 7,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx6n40 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-220 Teile 400V 5,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp65r300 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 650V 15A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

3400nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 30V 5,8A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx1n80 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To251 Teile 800V 1A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx830 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-220 Teile 500V 4,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx11n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220f Teile 900V 11,4A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wga460 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 500V 20A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp634 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente TO220 Teile 250V 8,1A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx2n60 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 600V 2A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx7n80 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220 Teile

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx20n65 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220f Teile 650V 20A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

0615esa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 70V 0,1A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx5n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-251 Teile 500V 4,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

2300nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 20V 4,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China