Über 2201 Produkte gefunden

Wga24n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 500V 24A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp60r450 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 600V 10A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp9n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 500V 9A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx6n40 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-220 Teile 400V 5,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

123nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 100V 0,17A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp50r140 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 500V 24A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

2301psa-S hochwertiger Pchannel-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung, Originalkomponente SOT23 Teile -20V -2A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

2309psa hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -60V -2A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx15n60 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 600V 15A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx4n65 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 650V 4A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

60h12mnsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 600V 0,03A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx11n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220f Teile 900V 11,4A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

3400nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 30V 5,8A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgd60r650 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 600V 7A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

3407psa hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -30V -4,1A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx9n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220f Teile 900V 9A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

84psa hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -50V -0,13A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx2n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To251 Teile 900V 1,7A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx5n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 900V 5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgd60r850 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 600V 5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp5n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 500V 4,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Gx24n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-3p Teile 500V 24A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode,Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Hochspannungs-N-Kanal Gx730 5,5A 400V to-220 in hoher Qualität Mosfet-Transistor-Originalkomponente

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp740 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 400V 11,4A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

3415psa-AP hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -20V -4,1A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Wgp830 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente TO220 Teile 500V 4,5A

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Schalttriode
  • Struktur: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provinz: Jiangsu, China

Elektron-Gefäß-hohe Leistung Keramisch-Metalltrioden-Industrie-Hochfrequenzheizungs-Anwendungen Fd-935s

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Elektronische Röhre Ctk12-4 Ctk15-2 Ctk25-4

  • Warenzeichen: HAN
  • Herkunft: China
  • HS-Code: 8540890000
  • Produktionskapazität: 10
  • HAN Trade (Beijing) Company
  • Provinz: Beijing, China

INA168na/3K Integrated Circuit IC Chip Neue und ursprüngliche Unterstützung Bom

  • Zertifizierung: RoHS
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Triode 3-500z

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verpackung: Carton
  • Warenzeichen: HUAGUANG
  • Herkunft: China
  • HS-Code: 85408900
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China