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Über 2209 Produkte gefunden

Hohe Leistung Keramisch-Metalltriode des Elektron-Gefäß-Fd-912s

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Triode 3-500z

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verpackung: Carton
  • Warenzeichen: HUAGUANG
  • Herkunft: China
  • HS-Code: 85408900
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

Thyristor-Baugruppe Skch28/16

  • Zertifizierung: RoHS
  • Funktion: Macht Triode
  • Standard: TO-247
  • Warenzeichen: ST
  • E-Solution Technology Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

MosfetN-Channel 2n7002

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

2sc0435t2f1-17 Treiberplatten-Rasterantriebschip

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Germanium
  • Verpackung: Tray
  • Produktionskapazität: 500
  • CRD Technology (HK) Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

MOSFETs MDF13n50

  • Verpackung: to-220f
  • Warenzeichen: KWS
  • Herkunft: China
  • Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Multifunktionale Diode Sgbp für den Großhandel Halbleiter Diskrete Halbleiter Dioden & Gleichrichter Brückengleichrichter

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

5868 Vakuumelektron-Glasgefäß, gleichwertig mit Glasgefäß Tb4/1250

  • Zertifizierung: CCC
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Leistung-Transistor TPV8100b TPV8100

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Lmh6643max/Nopb (Elektronische Komponenten IC Chips integrierte Schaltungen IC) Lmh6643max/Nopb

  • Zertifizierung: RoHS
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1162 (PNP)

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß-Leistungs-Triode Fu 1184ca für Oszillator in der Hochfrequenzheizungs-Anwendung ersetzen Bw1184j2 oder Yd1202

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Bc108 Transistor

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Provinz: Shanghai, China

ISC Silizium PNP Leistungstransistor 2SB772

  • Verpackung: to-126
  • Standard: OEM
  • Warenzeichen: iscsemi/isc
  • Herkunft: Isc
  • HS-Code: 85912900
  • Produktionskapazität: 100000
  • Inchange Semiconductor Company Limited
  • Provinz: Jiangsu, China

Nur ein Hersteller in der Welt für Elektron-Gefäß 5867A

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

Dioden-Brückengleichrichter Gbu606

  • Zertifizierung: RoHS
  • Funktion: Macht Triode
  • Standard: TO-220
  • Warenzeichen: POWER
  • E-Solution Technology Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Energien-Ableitung C1815

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

MOSFETs MDF18N50

  • Verpackung: to-220f
  • Warenzeichen: KWS
  • Herkunft: China
  • Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Induktions-Heizungs-Trioden-Gefäß Fd-934s HF-200kw, für 200kw Indcution Heizung/Schweißgerät, keramisches Gefäß/Glasgefäß erhältlich

  • Zertifizierung: CCC
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Sihon Brückengleichrichter GBP Diode 1A 1000V dB Gehäuse Brückendiode für LED

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China

HF-Leistung-Transistor Mrf857s

  • Verpackung: Standard
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Tas6424eqdkqrq1 Neue Original-Elektronik-Komponenten Lieferant Hssop-56 Tas6424eqdkqrq1

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Silizium
  • Verpackung: Air Transport
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß Fu-101c Keramisch-Metalltetrode hohes Frenquency

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Bc177 Transistor

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Provinz: Shanghai, China

Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1036

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß 4-400c HF-Energien-Transistor

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

Transistor Mmbt3904

  • Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Energiemosfet-Transistor Irfp4332

  • Zertifizierung: RoHS
  • Funktion: Macht Triode
  • Standard: TO-247
  • Warenzeichen: IR
  • E-Solution Technology Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Vakuumelektron-Gefäß Fu508f gleichwertig mit Eimac 3cx1500A7 Energien-Trioden-Gefäß

  • Zertifizierung: CE,CCC
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Strong Cartons
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Multifunktionale Diode Tbp für Großhandel Halbleiter Diskrete Halbleiter Dioden & Gleichrichter Brückengleichrichter

  • Zertifizierung: CE
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Übertakten
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Produktionskapazität: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Provinz: Anhui, China
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